3nm比5nm提升多少？台积电公布三大关键指标

近年来，摩尔定律正在逐渐消失的说法不绝于耳。但台积电用工艺证明，摩尔定律不死，仍在持续往前推进。工艺越先进，晶体管微缩越困难。此前，联电、格芯相继放弃10nm以下的先进制程的研发，Intel也在工艺制程上持续放缓。

据芯智讯消息，12月22日举办的中国集成电路设计业2021年会暨无锡集成电路产业创新发展高峰论坛上，台积电（南京）有限公司总经理罗镇球表示，台积电正在用新工艺证明了摩尔定律仍在持续往前推进。

罗镇球介绍，台积电的7nm是在2018年推出的，5nm是在2020年推出的，我们在2022年会如期推出3nm的工艺，而且我们2nm的工艺也在顺利研发。

对于工艺制程来说，最关键的指标有三个：性能、功耗和密度（单位面积内的晶体管数量）。

罗镇球称，台积电从7nm到5nm再到3nm，单位面积里面的晶体管数相比上一代都是会增长1.7到1.8倍，性能部分每代都会提升高超过10%。同样性能情况下，功耗可以降低20%以上。

对于3nm量产困难的传闻，罗镇球表示，那些都只是传闻，会如期（2022年）量产3nm。

据台积电官方资料显示，台积电的3nm相比上一代的5nm工艺，在逻辑密度上提升了1.7倍，性能提升了11%，同等性能下功耗可降低25-30%。