【突发】美帝华裔科学家突破原子级芯片技术…

”美国成功突破原子级薄晶体管，这位华人将开创芯片新纪元！"

"对于所有国家而言，芯片一直是科技领域的最高成果。美国依靠半导体芯片的优势，可以肆无忌惮地对中国进行制裁和打压，试图阻止中国拥有自己的高端芯片。但科技的进步决定了芯片技术也在不断进步，这符合摩尔定律不可逆转的规律。"

虽然芯片一直是科技领域的最高成果，但近日，美国麻省理工大学的半导体研究团队成功开发出一种基于“二硫化钼（MoS2）的原子级薄晶体管”，这被认为是芯片领域的一次重大突破。据称，这种晶体管将给芯片带来颠覆性的发展，甚至有可能改写芯片的历史，未来的芯片将会有革命性的变化。

传统的芯片制造需要使用块状材料，经过多轮打磨和堆叠，最终得到纳米级别的晶体管组成的芯片。但是这种方式存在困难和限制，因此科学家们开始尝试使用超薄的二维材料制造晶体管，这些材料仅有三个原子大小，可以实现更强大的芯片。这种方法被认为是芯片制造领域的一次重大突破，有望改变芯片制造的历史。

传统的硅芯片制造需要将硅放在二硫化钼晶圆上，并在超过600摄氏度的高温下进行，但这样会导致普通硅晶体和集成电路在400摄氏度就会损坏。

为了解决这个问题，麻省理工大学的朱佳迪教授带领团队使用金属有机化学气相沉积法，拿低温生长区与高温硫化物前体分解区分离，以低于300℃的温度合成二维材料，并直接在8英寸的二硫化钼薄膜CMOS晶圆上生长，无需任何转移过程。这种方法可以避免传统制造方法中的高温损伤问题，同时也提高了生产效率。

使用二硫化钼晶圆的制造方法，能够极大地节省材料，并保证芯片的顺畅，同时也能够节约时间。相比传统的芯片制造方法，这种方法只需要使用60分钟左右的时间进行亮化，而传统方法需要一整天的时间。这意味着，这种方法将彻底改变芯片制造的格局。

华人科学家朱佳迪在芯片制造领域做出了革命性的突破，并为此做出了巨大的历史性贡献。即便在科研强者如云的麻省理工大学，朱佳迪也以第一作者身份发表了学术论文，其导师更是形容他的能力犹如NBA中的“科比”。

如果朱佳迪团队所开发的这项技术得到商业化的推广应用，那么芯片制造将可以像建造楼房一样，逐层堆叠二维材料。这将进一步颠覆超级计算机、人工智能等领域，带来重大的变革。

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