三星披露存储路线图：明年推出300+层NAND

作为全球最大的 NAND 内存供应商，三星制定了开发 V-NAND（该公司称之为 3D NAND）的宏伟计划，并于本周分享了其中的一些计划。该公司确认，其有望在 2024 年生产出超过 300 层的第 9 代 V-NAND 存储器，并表示其将拥有业内最多的活动层。

三星电子总裁兼内存业务主管 Jung-Bae Lee 在《三星电子》的一篇博文中写道：“第九代 V-NAND 将于明年初顺利量产，其层数是业界最高的，基于双堆栈结构。”

我们在 8 月份获悉，三星正在开发超过 300 层的第 9 代 V-NAND，该技术将保留三星在 2020 年首次采用的双堆叠技术。三星不仅证实其下一代非闪存技术正在走上正轨。易失性存储器，而且据说它比竞争对手的 3D NAND 存储器有更多的活动层。目前我们知道SK Hynix 的下一代 3D NAND将具有 321 个有源层，因此三星预计其内存将具有更多层。

层数的增加将使三星能够提高其 3D NAND 设备的存储密度。该公司预计即将推出的闪存类型不仅能提高存储密度，还能提高性能。

“三星还在致力于下一代价值创造技术，包括最大限度提高 V-NAND 输入/输出 (I/O) 速度的新结构，”Jung-Bae Lee 说道。

我们不知道三星第 9 代 V-NAND 的性能如何，但我们确信该公司将在其即将推出的 SSD 中使用这种内存。也许到时候我们就会看到该公司配备 PCIe Gen5 接口的零售 SSD——三星 990 Pro 系列的后继产品，该系列目前是最好的 SSD之一。

就长期技术创新而言，三星致力于最大限度地减少单元干扰、降低高度并最大化垂直层数，这将使其能够实现业界最小的单元尺寸。这些创新将有助于推动三星创建超过 1000 层的 3D NAND 以及高度差异化的内存解决方案的愿景，并确保该公司的产品与数据中心、个人电脑和其他应用保持相关性。

技术进步是创新的产物，是由意志坚强、顽强的个人创造的，他们在动态环境中抓住机会来实现自己的目标。三星存储的历史是一段持续不断的技术创新之旅，在过去三十年里提升了我们作为领先内存解决方案提供商的声誉。

过去多年，存储的主要应用从个人电脑发展到移动设备，现在又发展到数据中心。超大规模人工智能作为内存的最新应用也正在迅速获得关注，这将进一步扩展到设备上人工智能，它在个人电脑和智能手机等消费设备上本地运行。当然，这些趋势也导致了对内存解决方案不断变化的新需求。为了为超大规模提供商提供的多样化 AI 服务提供最佳解决方案，我们需要高性能、高容量和低功耗的内存产品，这些产品可以处理大量数据，同时降低总体拥有成本 (TCO)。同时，差异化的内存产品也是满足超大规模企业需求的必要条件。此外，随着数据呈指数级增长，内存所需的作用正在从数据存储（内存的固有功能）扩展到额外的计算能力。简而言之，现在是内存解决方案与 CPU 和 GPU 分担数据处理工作负载的时候了。

在存储器行业，确保成本竞争力至关重要。这可以通过增加密度来实现，以便晶圆可以生产更多具有更高容量的芯片，并通过使用尖端生产设施实现规模经济。这是因为以前在 PC 和移动时代，内存需求很大程度上受到产品组物料清单 (BOM) 成本的影响。这种动态至今仍然有效，以 BOM 为中心的结构通常决定需求。不断变化的市场环境提出了看似相互矛盾的要求，即确保成本竞争力，同时提供尽可能高附加值的产品。

为了满足这两个目标，我们一直在仔细考虑我们的存储器业务将走的道路。但答案比你想象的要简单。在过去的 30 年里，三星通过为客户提供他们所需要的产品而引领行业。这一原则现在比以往任何时候都更加有效。

尽管优先级各不相同，但我们努力提供客户在产品中所需的各个方面，包括高性能、高容量、低功耗、定制和具有成本竞争力的产品。当然，这是一项具有挑战性的任务。但三星旨在通过三个关键战略巩固其在行业中的地位：首先，不断努力创新，克服技术限制。二是扩大先进工艺产能和高附加值产品生产，同时加大研发投入。第三，与客户和合作伙伴建立牢固的共生关系。

作为其第一个关键战略的基本组成部分，三星将把其 DRAM 和 NAND 闪存的密度提高到极限水平，并通过提供差异化解决方案（包括为客户提供完全定制的产品）来打开新市场。

新的结构和材料创新对于即将到来的 10 纳米 (nm) 以下的DRAM 和 1,000 层垂直 V-NAND 时代至关重要。因此，我们正在开发 DRAM 的 3D 堆叠结构和新材料，同时增加 V-NAND 的层数、降低高度并最大限度地减少单元干扰。我们将继续发挥这些优势，使我们能够实现业内最小的单元尺寸。三星还致力于开发下一代价值创造技术，包括最大限度提高 V-NAND 输入/输出 (I/O) 速度的新结构。我们的 11 纳米级 DRAM 目前正在开发中，有望实现业界最高密度。第九代V-NAND正在顺利进行，将于明年初量产，其基于双堆栈结构，具有业界最高的层数。

三星最近成功开发了业界首款 32Gb DDR5 DRAM。展望未来，我们将继续扩大高容量 DRAM 产品阵容，包括 1TB 模块。此外，积极利用 CMM（CXL 内存模块）等新颖接口将有助于实现内存带宽和容量可以根据操作需求无缝扩展的未来。高带宽内存（HBM）是人工智能时代最有前途的为客户带来更高价值的解决方案之一。2016年，三星成为第一家将HPC HBM2商业化的公司，为当今AI市场的HBM奠定了基础。我们目前正在量产 HBM3，同时在下一代产品 HBM3E 方面也取得了重大进展。通过充分利用多年大规模生产经验中积累的成熟技术能力，并基于与不同客户的合作伙伴关系，三星将为客户提供高性能的 HBM 并扩展到定制的 HBM 解决方案。LPDDR DRAM 是一款专门针对低功耗的产品，由于采用了新的 High-K 金属栅极工艺 ，实现了更高的性能。三星将通过使用以模块形式实现的

LPDDR5X CAMM 3 2解决方案将其应用扩展到PC市场和数据中心。通过未来解决方案扩展内存的可能性

为了解决内存瓶颈，内存处理（PIM）和近内存处理（PNM）（可在内存芯片或模块级别进行数据计算）将被实施到HBM和CMM产品中，以显着改善数据计算功能并提高电源效率。对于服务器存储，我们很快将推出Petabyte SSD（PBSSD），它可以根据应用程序改变容量，并支持PB级可扩展性。根据第二个关键战略，三星致力于提高高附加值产品的比例并扩大先进工艺产能，以满足超大规模人工智能等新应用的需求。

与此同时，我们将继续进行投资并推进内存生产线运营，以克服需求波动和较长的生产周期。同样重要的是对未来的投资，例如在三星内存业务的发源地器兴园区建设尖端半导体研发线。继第三个关键战略之后，三星将继续与客户和合作伙伴建立牢固的合作关系。这包括通过在产品规划、技术开发和质量方面的密切合作来扩展新产品线和市场。例如，通过与云服务、设备、芯片组和软件的客户和合作伙伴密切合作——从定义产品规格的层面——三星将扩大针对下一代系统和应用程序优化的内存解决方案的联合开发。这种方法将有助于最大限度地减少数据传输延迟并最大化带宽，同时显着提高电源效率。同时，我们将加强与材料、设备供应商等全球合作伙伴的合作，创造新一代颠覆性技术。

我相信，三星的成就是由于不畏失败的勇气、对成功的渴望以及挑战极限的动力而得以实现的。未来社会将更加复杂，随着IT产业的发展，将出现更加丰富的新产品和新服务。对此，三星将继续与客户共同成长，通过持续创新和尖端技术创造更美好的未来。

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