semiconductor dielectric问题# EE - 电子工程
j*e
1 楼
在wiki上看到有几个我申请的学校phone interview有，据信也在2月底的时候发了，可
我却什么东西都没有。是有希望？还是据信正在路上？难道据信还发的有早有晚不成？
恩，是不是得move on了？
EE专业
我却什么东西都没有。是有希望？还是据信正在路上？难道据信还发的有早有晚不成？
恩，是不是得move on了？
EE专业
r*y
2 楼
是不是J1 waiver就彻底结束了？
x*a
3 楼
现在要给公公婆婆申请ITIN,他们来过两次，每次六个月，第一次的天数全在2008，第
二次跨2009和2010，用公式算后一起超过183天，应该符合要求。
现在的疑问是，entry date应该填哪一个，如果只填一个的话就不eligible,给的表格
上输入只让输一个。有经验的大侠帮我解解惑吧，谢谢！
二次跨2009和2010，用公式算后一起超过183天，应该符合要求。
现在的疑问是，entry date应该填哪一个，如果只填一个的话就不eligible,给的表格
上输入只让输一个。有经验的大侠帮我解解惑吧，谢谢！
F*E
4 楼
大使馆网页上说H签证只有三个月，请问对吗(H4)？
x*n
5 楼
关于8点20，我的判断是这样的：被邀发微博杯葛苹果的郑渊洁、留几手等人，收钱未
必，其不过是应邀配合节目主持人念微博这个坏节。晩8点20分许，主持人王小丫开始
批苹果，之后的8点29分许，王小丫开始念三个人杯葛苹果的微博：依次是留几手、叫
兽易小星、郑渊洁。所以才有了＂大概8点20发＂的一致行动。
必，其不过是应邀配合节目主持人念微博这个坏节。晩8点20分许，主持人王小丫开始
批苹果，之后的8点29分许，王小丫开始念三个人杯葛苹果的微博：依次是留几手、叫
兽易小星、郑渊洁。所以才有了＂大概8点20发＂的一致行动。
b*d
6 楼
除了MIS measurement,还有什么实验手段可以测 thin film(1-5nm)的capacitance
最好是外界带入影响小的实验手段，因为我需要build一个数学模型
MIS setup里面metal contact也会贡献capacitance进去，影响我从实验结果derive a
model
不好意思，我老是来问问题，找工作问题，学术问题，实在是很烦大家。实在是自己想
好久也想不出来，我们系我是唯一一个做半导体方向的，老板也不懂，实在没人可以讨论
。只好借助网络资源了
先谢了
最好是外界带入影响小的实验手段，因为我需要build一个数学模型
MIS setup里面metal contact也会贡献capacitance进去，影响我从实验结果derive a
model
不好意思，我老是来问问题，找工作问题，学术问题，实在是很烦大家。实在是自己想
好久也想不出来，我们系我是唯一一个做半导体方向的，老板也不懂，实在没人可以讨论
。只好借助网络资源了
先谢了
a*e
7 楼
你长得太cute了，对方实在不忍心拒你。
【在 j***e 的大作中提到】
: 在wiki上看到有几个我申请的学校phone interview有，据信也在2月底的时候发了，可
: 我却什么东西都没有。是有希望？还是据信正在路上？难道据信还发的有早有晚不成？
: 恩，是不是得move on了？
: EE专业
【在 j***e 的大作中提到】
: 在wiki上看到有几个我申请的学校phone interview有，据信也在2月底的时候发了，可
: 我却什么东西都没有。是有希望？还是据信正在路上？难道据信还发的有早有晚不成？
: 恩，是不是得move on了？
: EE专业
c*y
8 楼
从办理开始多长时间收到的？
k*z
9 楼
同问
i*n
10 楼
使馆你不信 要信网上的陌生人？
【在 F********E 的大作中提到】
: 大使馆网页上说H签证只有三个月，请问对吗(H4)？
【在 F********E 的大作中提到】
: 大使馆网页上说H签证只有三个月，请问对吗(H4)？
b*r
11 楼
不懂瞎说
假设你有不同size或者厚度的介质，你可以估算他们的电容比
另外假设contact capacitance对于每个电容都是固定的
这样你可以通过测试不同的电容把metal contact的效应去掉吧
假设你有不同size或者厚度的介质，你可以估算他们的电容比
另外假设contact capacitance对于每个电容都是固定的
这样你可以通过测试不同的电容把metal contact的效应去掉吧
s*i
12 楼
they are waiting for the response from the first Candidate. You will get the
job if the first Candidate turns the offer down.
【在 j***e 的大作中提到】
: 在wiki上看到有几个我申请的学校phone interview有，据信也在2月底的时候发了，可
: 我却什么东西都没有。是有希望？还是据信正在路上？难道据信还发的有早有晚不成？
: 恩，是不是得move on了？
: EE专业
job if the first Candidate turns the offer down.
【在 j***e 的大作中提到】
: 在wiki上看到有几个我申请的学校phone interview有，据信也在2月底的时候发了，可
: 我却什么东西都没有。是有希望？还是据信正在路上？难道据信还发的有早有晚不成？
: 恩，是不是得move on了？
: EE专业
r*y
13 楼
6月底给大使馆寄出去的，7月那批送出，dos 8月5号寄出recommendation，9月14号收
到notice。一共2个半月的样子
【在 c*******y 的大作中提到】
: 从办理开始多长时间收到的？
到notice。一共2个半月的样子
【在 c*******y 的大作中提到】
: 从办理开始多长时间收到的？
a*i
14 楼
是high-k么？
a
【在 b********d 的大作中提到】
: 除了MIS measurement,还有什么实验手段可以测 thin film(1-5nm)的capacitance
: 最好是外界带入影响小的实验手段，因为我需要build一个数学模型
: MIS setup里面metal contact也会贡献capacitance进去，影响我从实验结果derive a
: model
: 不好意思，我老是来问问题，找工作问题，学术问题，实在是很烦大家。实在是自己想
: 好久也想不出来，我们系我是唯一一个做半导体方向的，老板也不懂，实在没人可以讨论
: 。只好借助网络资源了
: 先谢了
a
【在 b********d 的大作中提到】
: 除了MIS measurement,还有什么实验手段可以测 thin film(1-5nm)的capacitance
: 最好是外界带入影响小的实验手段，因为我需要build一个数学模型
: MIS setup里面metal contact也会贡献capacitance进去，影响我从实验结果derive a
: model
: 不好意思，我老是来问问题，找工作问题，学术问题，实在是很烦大家。实在是自己想
: 好久也想不出来，我们系我是唯一一个做半导体方向的，老板也不懂，实在没人可以讨论
: 。只好借助网络资源了
: 先谢了
w*n
15 楼
did you send your files to DOS and China consulate at the same time? thx
b*d
16 楼
是的
我现在是这样design的，不过问问有没有别的方法
没有就老方法做
不是老板的东西，自己瞎琢磨的东西。
强调下这个，因为如果是老师的idea我就不会上网讨论的，回头被别人做了就是泄密了
【在 b*******r 的大作中提到】
: 不懂瞎说
: 假设你有不同size或者厚度的介质，你可以估算他们的电容比
: 另外假设contact capacitance对于每个电容都是固定的
: 这样你可以通过测试不同的电容把metal contact的效应去掉吧
我现在是这样design的，不过问问有没有别的方法
没有就老方法做
不是老板的东西，自己瞎琢磨的东西。
强调下这个，因为如果是老师的idea我就不会上网讨论的，回头被别人做了就是泄密了
【在 b*******r 的大作中提到】
: 不懂瞎说
: 假设你有不同size或者厚度的介质，你可以估算他们的电容比
: 另外假设contact capacitance对于每个电容都是固定的
: 这样你可以通过测试不同的电容把metal contact的效应去掉吧
x*g
17 楼
真快啊
恭喜恭喜
恭喜恭喜
b*d
18 楼
不是
普通的k，薄膜，big-C
【在 a*******i 的大作中提到】
: 是high-k么？
:
: a
普通的k，薄膜，big-C
【在 a*******i 的大作中提到】
: 是high-k么？
:
: a
r*y
19 楼
nod，不过大使馆的no objection letter晚了一个月，赫赫
【在 w****n 的大作中提到】
: did you send your files to DOS and China consulate at the same time? thx
【在 w****n 的大作中提到】
: did you send your files to DOS and China consulate at the same time? thx
a*i
20 楼
anyway你的leakage都不会小了吧，contact resistance 建模吧
还是不知道你想干嘛
【在 b********d 的大作中提到】
: 不是
: 普通的k，薄膜，big-C
还是不知道你想干嘛
【在 b********d 的大作中提到】
: 不是
: 普通的k，薄膜，big-C
g*S
21 楼
Please google the following 2 keywords, maybe they will help
1. fast IV capacitance method
2. Time dependent Reflection
a
讨论
【在 b********d 的大作中提到】
: 除了MIS measurement,还有什么实验手段可以测 thin film(1-5nm)的capacitance
: 最好是外界带入影响小的实验手段，因为我需要build一个数学模型
: MIS setup里面metal contact也会贡献capacitance进去，影响我从实验结果derive a
: model
: 不好意思，我老是来问问题，找工作问题，学术问题，实在是很烦大家。实在是自己想
: 好久也想不出来，我们系我是唯一一个做半导体方向的，老板也不懂，实在没人可以讨论
: 。只好借助网络资源了
: 先谢了
1. fast IV capacitance method
2. Time dependent Reflection
a
讨论
【在 b********d 的大作中提到】
: 除了MIS measurement,还有什么实验手段可以测 thin film(1-5nm)的capacitance
: 最好是外界带入影响小的实验手段，因为我需要build一个数学模型
: MIS setup里面metal contact也会贡献capacitance进去，影响我从实验结果derive a
: model
: 不好意思，我老是来问问题，找工作问题，学术问题，实在是很烦大家。实在是自己想
: 好久也想不出来，我们系我是唯一一个做半导体方向的，老板也不懂，实在没人可以讨论
: 。只好借助网络资源了
: 先谢了
w*o
22 楼
你为啥不能把film弄厚点，测完了做个scaling
a
讨论
【在 b********d 的大作中提到】
: 除了MIS measurement,还有什么实验手段可以测 thin film(1-5nm)的capacitance
: 最好是外界带入影响小的实验手段，因为我需要build一个数学模型
: MIS setup里面metal contact也会贡献capacitance进去，影响我从实验结果derive a
: model
: 不好意思，我老是来问问题，找工作问题，学术问题，实在是很烦大家。实在是自己想
: 好久也想不出来，我们系我是唯一一个做半导体方向的，老板也不懂，实在没人可以讨论
: 。只好借助网络资源了
: 先谢了
a
讨论
【在 b********d 的大作中提到】
: 除了MIS measurement,还有什么实验手段可以测 thin film(1-5nm)的capacitance
: 最好是外界带入影响小的实验手段，因为我需要build一个数学模型
: MIS setup里面metal contact也会贡献capacitance进去，影响我从实验结果derive a
: model
: 不好意思，我老是来问问题，找工作问题，学术问题，实在是很烦大家。实在是自己想
: 好久也想不出来，我们系我是唯一一个做半导体方向的，老板也不懂，实在没人可以讨论
: 。只好借助网络资源了
: 先谢了
b*d
23 楼
Leakage未必大，看材料
你看看这篇文献：PNAS,2005,102,4678
其实我想的东西也很简单，就是类似解决这篇文献里的电路模型问题，从化学角度挖，
因为dielectric跟polarizability，dipole moment有关系。弄清楚了就可以直接算来
predict了。我就是在这里随便挖挖玩
以后做学术的机会可能也不一定有了，写paper无聊了就结合这几个月恶补的半导体知
识想想以前看过的没明白的东东，一边巩固半导体一边强化本行知识～
【在 a*******i 的大作中提到】
: anyway你的leakage都不会小了吧，contact resistance 建模吧
: 还是不知道你想干嘛
你看看这篇文献：PNAS,2005,102,4678
其实我想的东西也很简单，就是类似解决这篇文献里的电路模型问题，从化学角度挖，
因为dielectric跟polarizability，dipole moment有关系。弄清楚了就可以直接算来
predict了。我就是在这里随便挖挖玩
以后做学术的机会可能也不一定有了，写paper无聊了就结合这几个月恶补的半导体知
识想想以前看过的没明白的东东，一边巩固半导体一边强化本行知识～
【在 a*******i 的大作中提到】
: anyway你的leakage都不会小了吧，contact resistance 建模吧
: 还是不知道你想干嘛
b*d
24 楼
thanks for the tips
【在 g********S 的大作中提到】
: Please google the following 2 keywords, maybe they will help
: 1. fast IV capacitance method
: 2. Time dependent Reflection
:
: a
: 讨论
【在 g********S 的大作中提到】
: Please google the following 2 keywords, maybe they will help
: 1. fast IV capacitance method
: 2. Time dependent Reflection
:
: a
: 讨论
b*d
25 楼
如果能保证gate leakage and breakdown没有问题，薄了肯定好啊，C大，device容易
turn on啊，low power FET application
所以理论指导寻找leakage和capacitance的平衡点很重要
当然，我的想法还很幼稚的，我随便想想的，还没有想通
【在 w********o 的大作中提到】
: 你为啥不能把film弄厚点，测完了做个scaling
:
: a
: 讨论
turn on啊，low power FET application
所以理论指导寻找leakage和capacitance的平衡点很重要
当然，我的想法还很幼稚的，我随便想想的，还没有想通
【在 w********o 的大作中提到】
: 你为啥不能把film弄厚点，测完了做个scaling
:
: a
: 讨论
w*o
26 楼
我的意思是你要低leakage测capacitance，就弄厚点，测了以后，用厚度scale一下，
薄的capacitance就出来了
你要从device方面看，那就直接去做个fet，测rf然后做fitting就是了，怎么也能把那
film的capacitance弄出来啊
【在 b********d 的大作中提到】
: 如果能保证gate leakage and breakdown没有问题，薄了肯定好啊，C大，device容易
: turn on啊，low power FET application
: 所以理论指导寻找leakage和capacitance的平衡点很重要
: 当然，我的想法还很幼稚的，我随便想想的，还没有想通
薄的capacitance就出来了
你要从device方面看，那就直接去做个fet，测rf然后做fitting就是了，怎么也能把那
film的capacitance弄出来啊
【在 b********d 的大作中提到】
: 如果能保证gate leakage and breakdown没有问题，薄了肯定好啊，C大，device容易
: turn on啊，low power FET application
: 所以理论指导寻找leakage和capacitance的平衡点很重要
: 当然，我的想法还很幼稚的，我随便想想的，还没有想通
w*o
27 楼
弄厚点用ellipsometry也行啊，反正你只要知道dielectric constant就行了
a
讨论
【在 b********d 的大作中提到】
: 除了MIS measurement,还有什么实验手段可以测 thin film(1-5nm)的capacitance
: 最好是外界带入影响小的实验手段，因为我需要build一个数学模型
: MIS setup里面metal contact也会贡献capacitance进去，影响我从实验结果derive a
: model
: 不好意思，我老是来问问题，找工作问题，学术问题，实在是很烦大家。实在是自己想
: 好久也想不出来，我们系我是唯一一个做半导体方向的，老板也不懂，实在没人可以讨论
: 。只好借助网络资源了
: 先谢了
a
讨论
【在 b********d 的大作中提到】
: 除了MIS measurement,还有什么实验手段可以测 thin film(1-5nm)的capacitance
: 最好是外界带入影响小的实验手段，因为我需要build一个数学模型
: MIS setup里面metal contact也会贡献capacitance进去，影响我从实验结果derive a
: model
: 不好意思，我老是来问问题，找工作问题，学术问题，实在是很烦大家。实在是自己想
: 好久也想不出来，我们系我是唯一一个做半导体方向的，老板也不懂，实在没人可以讨论
: 。只好借助网络资源了
: 先谢了
w*o
28 楼
这个东西计算可能还是没戏
同一个SiN在不同条件下面deposit的，dielectric constant都可以不一样
【在 b********d 的大作中提到】
: Leakage未必大，看材料
: 你看看这篇文献：PNAS,2005,102,4678
: 其实我想的东西也很简单，就是类似解决这篇文献里的电路模型问题，从化学角度挖，
: 因为dielectric跟polarizability，dipole moment有关系。弄清楚了就可以直接算来
: predict了。我就是在这里随便挖挖玩
: 以后做学术的机会可能也不一定有了，写paper无聊了就结合这几个月恶补的半导体知
: 识想想以前看过的没明白的东东，一边巩固半导体一边强化本行知识～
同一个SiN在不同条件下面deposit的，dielectric constant都可以不一样
【在 b********d 的大作中提到】
: Leakage未必大，看材料
: 你看看这篇文献：PNAS,2005,102,4678
: 其实我想的东西也很简单，就是类似解决这篇文献里的电路模型问题，从化学角度挖，
: 因为dielectric跟polarizability，dipole moment有关系。弄清楚了就可以直接算来
: predict了。我就是在这里随便挖挖玩
: 以后做学术的机会可能也不一定有了，写paper无聊了就结合这几个月恶补的半导体知
: 识想想以前看过的没明白的东东，一边巩固半导体一边强化本行知识～
w*o
29 楼
这个东西计算可能还是没戏
同一个SiN在不同条件下面deposit的，dielectric constant都可以不一样
【在 b********d 的大作中提到】
: Leakage未必大，看材料
: 你看看这篇文献：PNAS,2005,102,4678
: 其实我想的东西也很简单，就是类似解决这篇文献里的电路模型问题，从化学角度挖，
: 因为dielectric跟polarizability，dipole moment有关系。弄清楚了就可以直接算来
: predict了。我就是在这里随便挖挖玩
: 以后做学术的机会可能也不一定有了，写paper无聊了就结合这几个月恶补的半导体知
: 识想想以前看过的没明白的东东，一边巩固半导体一边强化本行知识～
同一个SiN在不同条件下面deposit的，dielectric constant都可以不一样
【在 b********d 的大作中提到】
: Leakage未必大，看材料
: 你看看这篇文献：PNAS,2005,102,4678
: 其实我想的东西也很简单，就是类似解决这篇文献里的电路模型问题，从化学角度挖，
: 因为dielectric跟polarizability，dipole moment有关系。弄清楚了就可以直接算来
: predict了。我就是在这里随便挖挖玩
: 以后做学术的机会可能也不一定有了，写paper无聊了就结合这几个月恶补的半导体知
: 识想想以前看过的没明白的东东，一边巩固半导体一边强化本行知识～
b*d
30 楼
理科的思维就是希望弄懂为什么＂不同条件小deposit,dielectric constant不一样＂？
本质的原因肯定还是结构和分子作用力导致的
【在 w********o 的大作中提到】
: 这个东西计算可能还是没戏
: 同一个SiN在不同条件下面deposit的，dielectric constant都可以不一样
本质的原因肯定还是结构和分子作用力导致的
【在 w********o 的大作中提到】
: 这个东西计算可能还是没戏
: 同一个SiN在不同条件下面deposit的，dielectric constant都可以不一样
b*d
31 楼
不是
我的思路是根据film的形成方式推断这种作用力对dielectric的影响（比如那篇paper
里两层界面间的dielectric怎样的，没人解决这个问题），如果我有一个从dipole
moment层面推理出来的合理的capacitance假设，剩下的就是通过实验验证我的假设
所以我就想有没有更多的带入外界作用小的测C的实验手法
如果你把形成dielectric的机理高清楚了，为什么不能理论计算呢？
比如那篇文章里，如果我弄懂了两层之间的dielectric公式，我就完全可以算更多的分
子，不需要一个一个地试，回头你想要多大的C我就可以给你相应的molecule
candidate，不是很好麽？
【在 w********o 的大作中提到】
: 弄厚点用ellipsometry也行啊，反正你只要知道dielectric constant就行了
:
: a
: 讨论
我的思路是根据film的形成方式推断这种作用力对dielectric的影响（比如那篇paper
里两层界面间的dielectric怎样的，没人解决这个问题），如果我有一个从dipole
moment层面推理出来的合理的capacitance假设，剩下的就是通过实验验证我的假设
所以我就想有没有更多的带入外界作用小的测C的实验手法
如果你把形成dielectric的机理高清楚了，为什么不能理论计算呢？
比如那篇文章里，如果我弄懂了两层之间的dielectric公式，我就完全可以算更多的分
子，不需要一个一个地试，回头你想要多大的C我就可以给你相应的molecule
candidate，不是很好麽？
【在 w********o 的大作中提到】
: 弄厚点用ellipsometry也行啊，反正你只要知道dielectric constant就行了
:
: a
: 讨论
l*0
32 楼
有道理。这就是理论和应用的差异。
其实现在我们更倾向于说permittivity，而不是dielectric constant，因为介电率并
不是一个constant，它随温、湿度，电压，气压等条件变化。dielectric constant只
是一个历史习惯称呼。
以SiN为例，不同条件下得到的只是Si(x)N(y), x，y随制备条件的变化而变化，所得到
的产物的permittivity当然也不同。其实对材料而言，是没有perefect，纯净的。还以
Si3N4为例，如果用PECVD生成，即使你设计了完美前驱物比例，在气象前驱物混合之初
和depostion快结束的不同阶段肯定生成物的defects的种类和数目都不同，其产物的
permittivity就会不同 -- 实际上最终所得产物是由各个permittivity不同的产物层叠
加而成。
想实际测量1-5nm的thin film的capacitance还是有办法的，如果你再有defects的种类
和数量的数据，你就可以建立模型了。如果想模拟纯净材料的permittivity，可以从分
子结构，电负性进行计算，这都有现成的模型。permittivity的模拟计算比dielectric
loss有例可循多了。
interfacial zone的permittivity也有一些试验模型，一般是根据不同的作用力来用不
同的模型。
我觉得brightmood的思路很好，“如果我弄懂了两层之间的dielectric公式，我就完全
可以算更多的分
子，不需要一个一个地试，回头你想要多大的C我就可以给你相应的molecule
candidate，不是很好麽？”，确实很有用。就是需要大量的数据来支持建立这个通用
模型。
【在 w********o 的大作中提到】
: 这个东西计算可能还是没戏
: 同一个SiN在不同条件下面deposit的，dielectric constant都可以不一样
其实现在我们更倾向于说permittivity，而不是dielectric constant，因为介电率并
不是一个constant，它随温、湿度，电压，气压等条件变化。dielectric constant只
是一个历史习惯称呼。
以SiN为例，不同条件下得到的只是Si(x)N(y), x，y随制备条件的变化而变化，所得到
的产物的permittivity当然也不同。其实对材料而言，是没有perefect，纯净的。还以
Si3N4为例，如果用PECVD生成，即使你设计了完美前驱物比例，在气象前驱物混合之初
和depostion快结束的不同阶段肯定生成物的defects的种类和数目都不同，其产物的
permittivity就会不同 -- 实际上最终所得产物是由各个permittivity不同的产物层叠
加而成。
想实际测量1-5nm的thin film的capacitance还是有办法的，如果你再有defects的种类
和数量的数据，你就可以建立模型了。如果想模拟纯净材料的permittivity，可以从分
子结构，电负性进行计算，这都有现成的模型。permittivity的模拟计算比dielectric
loss有例可循多了。
interfacial zone的permittivity也有一些试验模型，一般是根据不同的作用力来用不
同的模型。
我觉得brightmood的思路很好，“如果我弄懂了两层之间的dielectric公式，我就完全
可以算更多的分
子，不需要一个一个地试，回头你想要多大的C我就可以给你相应的molecule
candidate，不是很好麽？”，确实很有用。就是需要大量的数据来支持建立这个通用
模型。
【在 w********o 的大作中提到】
: 这个东西计算可能还是没戏
: 同一个SiN在不同条件下面deposit的，dielectric constant都可以不一样
b*d
33 楼
听起来你是permittivity这一块的专家呀~~~
对于我的特定的化学作用形成的mixed dielectrics,现在其实已经有一些solution
phase的mixed dielectric research work了，不过film的interface层的这个问题还没
怎么研究
我想弄清楚固相mixed dielectric的interface问题
很多问题真的是你不想就还好，想起来都是一堆问号，一团乱麻
我现在在博士收尾阶段，每天都是在写各种document,paper，做各种总结工作，所以真
的是天天都有问号，好多问号啊
虽然很多问题其实我也不需要解决和弄懂，比如这个dielectrics的问题，我肯定不会
在defense的时候被问到的，因为我的phd课题是半导体的光电性质，不是压电性质.所
以我可以不用想很多的，不过我看半导体书的时候结合我之前做过的一个小东西想到这
个问题了，然后就想一想，上网讨论一讨论，反正上网看八卦也是看，讨论问题学点以
后可能也有用处的知识也是看，那就想到啥了就来讨论一下吧 哈哈
【在 l********0 的大作中提到】
: 有道理。这就是理论和应用的差异。
: 其实现在我们更倾向于说permittivity，而不是dielectric constant，因为介电率并
: 不是一个constant，它随温、湿度，电压，气压等条件变化。dielectric constant只
: 是一个历史习惯称呼。
: 以SiN为例，不同条件下得到的只是Si(x)N(y), x，y随制备条件的变化而变化，所得到
: 的产物的permittivity当然也不同。其实对材料而言，是没有perefect，纯净的。还以
: Si3N4为例，如果用PECVD生成，即使你设计了完美前驱物比例，在气象前驱物混合之初
: 和depostion快结束的不同阶段肯定生成物的defects的种类和数目都不同，其产物的
: permittivity就会不同 -- 实际上最终所得产物是由各个permittivity不同的产物层叠
: 加而成。
对于我的特定的化学作用形成的mixed dielectrics,现在其实已经有一些solution
phase的mixed dielectric research work了，不过film的interface层的这个问题还没
怎么研究
我想弄清楚固相mixed dielectric的interface问题
很多问题真的是你不想就还好，想起来都是一堆问号，一团乱麻
我现在在博士收尾阶段，每天都是在写各种document,paper，做各种总结工作，所以真
的是天天都有问号，好多问号啊
虽然很多问题其实我也不需要解决和弄懂，比如这个dielectrics的问题，我肯定不会
在defense的时候被问到的，因为我的phd课题是半导体的光电性质，不是压电性质.所
以我可以不用想很多的，不过我看半导体书的时候结合我之前做过的一个小东西想到这
个问题了，然后就想一想，上网讨论一讨论，反正上网看八卦也是看，讨论问题学点以
后可能也有用处的知识也是看，那就想到啥了就来讨论一下吧 哈哈
【在 l********0 的大作中提到】
: 有道理。这就是理论和应用的差异。
: 其实现在我们更倾向于说permittivity，而不是dielectric constant，因为介电率并
: 不是一个constant，它随温、湿度，电压，气压等条件变化。dielectric constant只
: 是一个历史习惯称呼。
: 以SiN为例，不同条件下得到的只是Si(x)N(y), x，y随制备条件的变化而变化，所得到
: 的产物的permittivity当然也不同。其实对材料而言，是没有perefect，纯净的。还以
: Si3N4为例，如果用PECVD生成，即使你设计了完美前驱物比例，在气象前驱物混合之初
: 和depostion快结束的不同阶段肯定生成物的defects的种类和数目都不同，其产物的
: permittivity就会不同 -- 实际上最终所得产物是由各个permittivity不同的产物层叠
: 加而成。
b*d
34 楼
你们不要觉得我烦啊：）
我知道女人讨论学术或者跟人argue问题很容易让人反感的，不过女师太不是女人，是
第三人类，所以也可以稍稍学术一下：）
【在 b********d 的大作中提到】
: 听起来你是permittivity这一块的专家呀~~~
: 对于我的特定的化学作用形成的mixed dielectrics,现在其实已经有一些solution
: phase的mixed dielectric research work了，不过film的interface层的这个问题还没
: 怎么研究
: 我想弄清楚固相mixed dielectric的interface问题
: 很多问题真的是你不想就还好，想起来都是一堆问号，一团乱麻
: 我现在在博士收尾阶段，每天都是在写各种document,paper，做各种总结工作，所以真
: 的是天天都有问号，好多问号啊
: 虽然很多问题其实我也不需要解决和弄懂，比如这个dielectrics的问题，我肯定不会
: 在defense的时候被问到的，因为我的phd课题是半导体的光电性质，不是压电性质.所
我知道女人讨论学术或者跟人argue问题很容易让人反感的，不过女师太不是女人，是
第三人类，所以也可以稍稍学术一下：）
【在 b********d 的大作中提到】
: 听起来你是permittivity这一块的专家呀~~~
: 对于我的特定的化学作用形成的mixed dielectrics,现在其实已经有一些solution
: phase的mixed dielectric research work了，不过film的interface层的这个问题还没
: 怎么研究
: 我想弄清楚固相mixed dielectric的interface问题
: 很多问题真的是你不想就还好，想起来都是一堆问号，一团乱麻
: 我现在在博士收尾阶段，每天都是在写各种document,paper，做各种总结工作，所以真
: 的是天天都有问号，好多问号啊
: 虽然很多问题其实我也不需要解决和弄懂，比如这个dielectrics的问题，我肯定不会
: 在defense的时候被问到的，因为我的phd课题是半导体的光电性质，不是压电性质.所
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