c*r
3 楼
你们的silicon wafer的oxidation layer是用什么工艺做的呢？wet thermal，dry
thermal oxidation还是那种dry thermal末了还加gas annealing的？
我的device是500um doped silicon+300nm SiO2,试过dry thermal的绝缘层，还是有
gate leakage呀，也不知道是需要更优的绝缘工艺还是因为我用了CHF4刻蚀背面的时候
出了点问题（evaporator之后lift-off之前有Au覆盖保护+一层薄薄的HMDS保护正面的）
给出有效建议的5个包子，谢谢
thermal oxidation还是那种dry thermal末了还加gas annealing的？
我的device是500um doped silicon+300nm SiO2,试过dry thermal的绝缘层，还是有
gate leakage呀，也不知道是需要更优的绝缘工艺还是因为我用了CHF4刻蚀背面的时候
出了点问题（evaporator之后lift-off之前有Au覆盖保护+一层薄薄的HMDS保护正面的）
给出有效建议的5个包子，谢谢
b*i
4 楼
蛮漂亮的啊！
a*i
5 楼
骗子吧
【在 T*******t 的大作中提到】
: http://newyork.craigslist.org/lgi/pho/1721926252.html
: 谁上?
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: 谁上?
g*q
6 楼
joke?
学术?
学术?
G*e
7 楼
亭亭玉立
T*t
8 楼
更便宜的
LEICA DIGITAL S2 BLACK - $2900
http://newyork.craigslist.org/mnh/pho/1721848442.html
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H*g
9 楼
学素吧
【在 g*q 的大作中提到】
: joke?
: 学术?
【在 g*q 的大作中提到】
: joke?
: 学术?
u*o
10 楼
Thanks. Planted half a year ago. First bloomed.
d*f
11 楼
太牛b了，本版简直就是无所不能阿
的）
【在 c******r 的大作中提到】
: 你们的silicon wafer的oxidation layer是用什么工艺做的呢？wet thermal，dry
: thermal oxidation还是那种dry thermal末了还加gas annealing的？
: 我的device是500um doped silicon+300nm SiO2,试过dry thermal的绝缘层，还是有
: gate leakage呀，也不知道是需要更优的绝缘工艺还是因为我用了CHF4刻蚀背面的时候
: 出了点问题（evaporator之后lift-off之前有Au覆盖保护+一层薄薄的HMDS保护正面的）
: 给出有效建议的5个包子，谢谢
的）
【在 c******r 的大作中提到】
: 你们的silicon wafer的oxidation layer是用什么工艺做的呢？wet thermal，dry
: thermal oxidation还是那种dry thermal末了还加gas annealing的？
: 我的device是500um doped silicon+300nm SiO2,试过dry thermal的绝缘层，还是有
: gate leakage呀，也不知道是需要更优的绝缘工艺还是因为我用了CHF4刻蚀背面的时候
: 出了点问题（evaporator之后lift-off之前有Au覆盖保护+一层薄薄的HMDS保护正面的）
: 给出有效建议的5个包子，谢谢
T*i
12 楼
这不是玉兰吗
c*r
13 楼
不是joke
纯学术版基本没什么人，这的人多，而且基本上买买提的差不多都来这个版吧
我认真问的，不是开玩笑玩的 周围人中做这个的人太少了，我们老板也差不多可以
忽略，所以，只能网上发包子求教咯
【在 g*q 的大作中提到】
: joke?
: 学术?
纯学术版基本没什么人，这的人多，而且基本上买买提的差不多都来这个版吧
我认真问的，不是开玩笑玩的 周围人中做这个的人太少了，我们老板也差不多可以
忽略，所以，只能网上发包子求教咯
【在 g*q 的大作中提到】
: joke?
: 学术?
s*e
14 楼
好美，很像国画工笔
v*n
15 楼
if you use dry thermal process, 100nm is more than enough.
did you check the quality of the oxide layer, if your furnace is
contaminated, you will see leakage.
did you check the quality of the oxide layer, if your furnace is
contaminated, you will see leakage.
u*o
16 楼
Thanks.
My tree peonies are about to bloom. Can't wait to see it.
【在 s******e 的大作中提到】
: 好美，很像国画工笔
My tree peonies are about to bloom. Can't wait to see it.
【在 s******e 的大作中提到】
: 好美，很像国画工笔
Z*e
17 楼
300nm SiO2 应该够厚了 你看看是不是SiO2层没做好
的）
【在 c******r 的大作中提到】
: 你们的silicon wafer的oxidation layer是用什么工艺做的呢？wet thermal，dry
: thermal oxidation还是那种dry thermal末了还加gas annealing的？
: 我的device是500um doped silicon+300nm SiO2,试过dry thermal的绝缘层，还是有
: gate leakage呀，也不知道是需要更优的绝缘工艺还是因为我用了CHF4刻蚀背面的时候
: 出了点问题（evaporator之后lift-off之前有Au覆盖保护+一层薄薄的HMDS保护正面的）
: 给出有效建议的5个包子，谢谢
的）
【在 c******r 的大作中提到】
: 你们的silicon wafer的oxidation layer是用什么工艺做的呢？wet thermal，dry
: thermal oxidation还是那种dry thermal末了还加gas annealing的？
: 我的device是500um doped silicon+300nm SiO2,试过dry thermal的绝缘层，还是有
: gate leakage呀，也不知道是需要更优的绝缘工艺还是因为我用了CHF4刻蚀背面的时候
: 出了点问题（evaporator之后lift-off之前有Au覆盖保护+一层薄薄的HMDS保护正面的）
: 给出有效建议的5个包子，谢谢
c*r
18 楼
我不是自己做的
是从university wafer买的成品 package里面有测试说明,所以应该没有问题的
所以，可能是用RIE etch的时候出的问题吧or lift-off的时候用sonication出的问题？
我回头做个对比组，确定一下，谢谢你和楼上的
每人吃5包子~
【在 Z****e 的大作中提到】
: 300nm SiO2 应该够厚了 你看看是不是SiO2层没做好
:
: 的）
是从university wafer买的成品 package里面有测试说明,所以应该没有问题的
所以，可能是用RIE etch的时候出的问题吧or lift-off的时候用sonication出的问题？
我回头做个对比组，确定一下，谢谢你和楼上的
每人吃5包子~
【在 Z****e 的大作中提到】
: 300nm SiO2 应该够厚了 你看看是不是SiO2层没做好
:
: 的）
s*e
19 楼
你的炉子该清理了。
的）
【在 c******r 的大作中提到】
: 你们的silicon wafer的oxidation layer是用什么工艺做的呢？wet thermal，dry
: thermal oxidation还是那种dry thermal末了还加gas annealing的？
: 我的device是500um doped silicon+300nm SiO2,试过dry thermal的绝缘层，还是有
: gate leakage呀，也不知道是需要更优的绝缘工艺还是因为我用了CHF4刻蚀背面的时候
: 出了点问题（evaporator之后lift-off之前有Au覆盖保护+一层薄薄的HMDS保护正面的）
: 给出有效建议的5个包子，谢谢
的）
【在 c******r 的大作中提到】
: 你们的silicon wafer的oxidation layer是用什么工艺做的呢？wet thermal，dry
: thermal oxidation还是那种dry thermal末了还加gas annealing的？
: 我的device是500um doped silicon+300nm SiO2,试过dry thermal的绝缘层，还是有
: gate leakage呀，也不知道是需要更优的绝缘工艺还是因为我用了CHF4刻蚀背面的时候
: 出了点问题（evaporator之后lift-off之前有Au覆盖保护+一层薄薄的HMDS保护正面的）
: 给出有效建议的5个包子，谢谢
g*q
20 楼
你要做到多少电压?这个很关键
的）
【在 c******r 的大作中提到】
: 你们的silicon wafer的oxidation layer是用什么工艺做的呢？wet thermal，dry
: thermal oxidation还是那种dry thermal末了还加gas annealing的？
: 我的device是500um doped silicon+300nm SiO2,试过dry thermal的绝缘层，还是有
: gate leakage呀，也不知道是需要更优的绝缘工艺还是因为我用了CHF4刻蚀背面的时候
: 出了点问题（evaporator之后lift-off之前有Au覆盖保护+一层薄薄的HMDS保护正面的）
: 给出有效建议的5个包子，谢谢
的）
【在 c******r 的大作中提到】
: 你们的silicon wafer的oxidation layer是用什么工艺做的呢？wet thermal，dry
: thermal oxidation还是那种dry thermal末了还加gas annealing的？
: 我的device是500um doped silicon+300nm SiO2,试过dry thermal的绝缘层，还是有
: gate leakage呀，也不知道是需要更优的绝缘工艺还是因为我用了CHF4刻蚀背面的时候
: 出了点问题（evaporator之后lift-off之前有Au覆盖保护+一层薄薄的HMDS保护正面的）
: 给出有效建议的5个包子，谢谢
c*r
21 楼
大概需要到30-50V的gate
你们的back-side SiO2都是怎么弄掉的呢？用HF还是含氟的气体etch还是坚决不沾任何
F,用diamond knife挂掉一点然后silver paint沾到aluminum foil上？
求各位大侠分享你们fabricate FET microelectrodes devices的protocol(不愿意泄露
research秘密的给我私信，10包子回报，谢谢谢谢~）
我现在想到的一个可能性是因为我用CHF4或者用了sonication to lift-off(因为有些
gold粘得厉害，不超声波一下根本洗不掉），考虑下一个对比组完全不处理背面的氧化
层，用金刚刀瓜一小块，然后silver paint粘到aluminum foil,gate electrode插在
aluminum foil上。
如果这个可能性也排除了我就totally不知道怎么回事了，因为我对自己的整个
fabrication的操作流程还是很有信心没有任何出错的地方的
【在 g*q 的大作中提到】
: 你要做到多少电压?这个很关键
:
: 的）
你们的back-side SiO2都是怎么弄掉的呢？用HF还是含氟的气体etch还是坚决不沾任何
F,用diamond knife挂掉一点然后silver paint沾到aluminum foil上？
求各位大侠分享你们fabricate FET microelectrodes devices的protocol(不愿意泄露
research秘密的给我私信，10包子回报，谢谢谢谢~）
我现在想到的一个可能性是因为我用CHF4或者用了sonication to lift-off(因为有些
gold粘得厉害，不超声波一下根本洗不掉），考虑下一个对比组完全不处理背面的氧化
层，用金刚刀瓜一小块，然后silver paint粘到aluminum foil,gate electrode插在
aluminum foil上。
如果这个可能性也排除了我就totally不知道怎么回事了，因为我对自己的整个
fabrication的操作流程还是很有信心没有任何出错的地方的
【在 g*q 的大作中提到】
: 你要做到多少电压?这个很关键
:
: 的）
Z*e
22 楼
不谢 etch和liftoff是有可能破坏 特别是etch
题？
【在 c******r 的大作中提到】
: 大概需要到30-50V的gate
: 你们的back-side SiO2都是怎么弄掉的呢？用HF还是含氟的气体etch还是坚决不沾任何
: F,用diamond knife挂掉一点然后silver paint沾到aluminum foil上？
: 求各位大侠分享你们fabricate FET microelectrodes devices的protocol(不愿意泄露
: research秘密的给我私信，10包子回报，谢谢谢谢~）
: 我现在想到的一个可能性是因为我用CHF4或者用了sonication to lift-off(因为有些
: gold粘得厉害，不超声波一下根本洗不掉），考虑下一个对比组完全不处理背面的氧化
: 层，用金刚刀瓜一小块，然后silver paint粘到aluminum foil,gate electrode插在
: aluminum foil上。
: 如果这个可能性也排除了我就totally不知道怎么回事了，因为我对自己的整个
题？
【在 c******r 的大作中提到】
: 大概需要到30-50V的gate
: 你们的back-side SiO2都是怎么弄掉的呢？用HF还是含氟的气体etch还是坚决不沾任何
: F,用diamond knife挂掉一点然后silver paint沾到aluminum foil上？
: 求各位大侠分享你们fabricate FET microelectrodes devices的protocol(不愿意泄露
: research秘密的给我私信，10包子回报，谢谢谢谢~）
: 我现在想到的一个可能性是因为我用CHF4或者用了sonication to lift-off(因为有些
: gold粘得厉害，不超声波一下根本洗不掉），考虑下一个对比组完全不处理背面的氧化
: 层，用金刚刀瓜一小块，然后silver paint粘到aluminum foil,gate electrode插在
: aluminum foil上。
: 如果这个可能性也排除了我就totally不知道怎么回事了，因为我对自己的整个
c*r
23 楼
我刚做了一批新的device,用P3HT做标准化测试，只加了0to-8v的gate voltage,居然也
有露电。。。。。凌乱鸟
btw,买买提热心人士真不少，我早该上网上来多问问，我们老板在这方面特别弱，基本是给
不了什么建议，一个人摸索好辛苦啊。谢谢各位同学了~~ 有包子全发给你们都行~
【在 g*q 的大作中提到】
: 你要做到多少电压?这个很关键
:
: 的）
有露电。。。。。凌乱鸟
btw,买买提热心人士真不少，我早该上网上来多问问，我们老板在这方面特别弱，基本是给
不了什么建议，一个人摸索好辛苦啊。谢谢各位同学了~~ 有包子全发给你们都行~
【在 g*q 的大作中提到】
: 你要做到多少电压?这个很关键
:
: 的）
m*r
24 楼
牛
c*7
25 楼
吃！！
c*r
26 楼
那你etch之前怎么保护正面的呢？
我是做好pattern之后去镀金，镀完金后spin一层薄薄的HMDS(没舍得再加PR),然后用
RIE的etch（22sccm CHF4+2sccm O2),etch玩了之后用acetone liftoff
我觉得有金和HMDS,应该保护得还可以了啊
【在 Z****e 的大作中提到】
: 不谢 etch和liftoff是有可能破坏 特别是etch
:
: 题？
我是做好pattern之后去镀金，镀完金后spin一层薄薄的HMDS(没舍得再加PR),然后用
RIE的etch（22sccm CHF4+2sccm O2),etch玩了之后用acetone liftoff
我觉得有金和HMDS,应该保护得还可以了啊
【在 Z****e 的大作中提到】
: 不谢 etch和liftoff是有可能破坏 特别是etch
:
: 题？
c*e
27 楼
给版里也捐五个吧？你说有没有道理。
【在 c******r 的大作中提到】
: 不是joke
: 纯学术版基本没什么人，这的人多，而且基本上买买提的差不多都来这个版吧
: 我认真问的，不是开玩笑玩的 周围人中做这个的人太少了，我们老板也差不多可以
: 忽略，所以，只能网上发包子求教咯
【在 c******r 的大作中提到】
: 不是joke
: 纯学术版基本没什么人，这的人多，而且基本上买买提的差不多都来这个版吧
: 我认真问的，不是开玩笑玩的 周围人中做这个的人太少了，我们老板也差不多可以
: 忽略，所以，只能网上发包子求教咯
Z*e
28 楼
我们也是买的直接氧化好的Si wafer 没有etch过 所以不是太清楚
【在 c******r 的大作中提到】
: 那你etch之前怎么保护正面的呢？
: 我是做好pattern之后去镀金，镀完金后spin一层薄薄的HMDS(没舍得再加PR),然后用
: RIE的etch（22sccm CHF4+2sccm O2),etch玩了之后用acetone liftoff
: 我觉得有金和HMDS,应该保护得还可以了啊
【在 c******r 的大作中提到】
: 那你etch之前怎么保护正面的呢？
: 我是做好pattern之后去镀金，镀完金后spin一层薄薄的HMDS(没舍得再加PR),然后用
: RIE的etch（22sccm CHF4+2sccm O2),etch玩了之后用acetone liftoff
: 我觉得有金和HMDS,应该保护得还可以了啊
g*q
29 楼
8V都不行?漏多少? S-D有电压么?
要不自己做吧,洗干净点,用dry,温度低点(慢点).
本是给
【在 c******r 的大作中提到】
: 我刚做了一批新的device,用P3HT做标准化测试，只加了0to-8v的gate voltage,居然也
: 有露电。。。。。凌乱鸟
: btw,买买提热心人士真不少，我早该上网上来多问问，我们老板在这方面特别弱，基本是给
: 不了什么建议，一个人摸索好辛苦啊。谢谢各位同学了~~ 有包子全发给你们都行~
要不自己做吧,洗干净点,用dry,温度低点(慢点).
本是给
【在 c******r 的大作中提到】
: 我刚做了一批新的device,用P3HT做标准化测试，只加了0to-8v的gate voltage,居然也
: 有露电。。。。。凌乱鸟
: btw,买买提热心人士真不少，我早该上网上来多问问，我们老板在这方面特别弱，基本是给
: 不了什么建议，一个人摸索好辛苦啊。谢谢各位同学了~~ 有包子全发给你们都行~
c*r
30 楼
谢谢你耐心解答，也给你5个包子
谢谢~
【在 g*q 的大作中提到】
: 8V都不行?漏多少? S-D有电压么?
: 要不自己做吧,洗干净点,用dry,温度低点(慢点).
:
: 本是给
谢谢~
【在 g*q 的大作中提到】
: 8V都不行?漏多少? S-D有电压么?
: 要不自己做吧,洗干净点,用dry,温度低点(慢点).
:
: 本是给
c*r
31 楼
谢谢帅哥耐心解答
我先rule out etch的可能性，回头有问题再来问你们
谢谢 呵呵
【在 Z****e 的大作中提到】
: 我们也是买的直接氧化好的Si wafer 没有etch过 所以不是太清楚
我先rule out etch的可能性，回头有问题再来问你们
谢谢 呵呵
【在 Z****e 的大作中提到】
: 我们也是买的直接氧化好的Si wafer 没有etch过 所以不是太清楚
c*r
32 楼
呵呵 我包子都别人给的，发完就没了
给2个，以示对占用版面讨论不相关问题的损失费~
【在 c********e 的大作中提到】
: 给版里也捐五个吧？你说有没有道理。
给2个，以示对占用版面讨论不相关问题的损失费~
【在 c********e 的大作中提到】
: 给版里也捐五个吧？你说有没有道理。
g*i
33 楼
建议不要用dry etch,用wet etch试一下
I*9
34 楼
蝦米是 胖裝置 ？
h*s
35 楼
你还是把买来的wafer在做任何处理前直接测一下是否漏电吧， 比如在SiO2表面蒸金，
然后在边角上用刮掉一点SiO2露出下面的Si， 测一下金和Si之间是否导电。
我们组以前也在University Wafer买， 后来发现他们的SiO2层有漏电问题， 甚至
500nm
的氧化层还是漏电， 就再也不买他们的wafer了。
题？
【在 c******r 的大作中提到】
: 呵呵 我包子都别人给的，发完就没了
: 给2个，以示对占用版面讨论不相关问题的损失费~
然后在边角上用刮掉一点SiO2露出下面的Si， 测一下金和Si之间是否导电。
我们组以前也在University Wafer买， 后来发现他们的SiO2层有漏电问题， 甚至
500nm
的氧化层还是漏电， 就再也不买他们的wafer了。
题？
【在 c******r 的大作中提到】
: 呵呵 我包子都别人给的，发完就没了
: 给2个，以示对占用版面讨论不相关问题的损失费~
Z*e
36 楼
晕死 我们这批也是他们那买的 不过氧化是另外做的好像
【在 h*********s 的大作中提到】
: 你还是把买来的wafer在做任何处理前直接测一下是否漏电吧， 比如在SiO2表面蒸金，
: 然后在边角上用刮掉一点SiO2露出下面的Si， 测一下金和Si之间是否导电。
: 我们组以前也在University Wafer买， 后来发现他们的SiO2层有漏电问题， 甚至
: 500nm
: 的氧化层还是漏电， 就再也不买他们的wafer了。
:
: 题？
【在 h*********s 的大作中提到】
: 你还是把买来的wafer在做任何处理前直接测一下是否漏电吧， 比如在SiO2表面蒸金，
: 然后在边角上用刮掉一点SiO2露出下面的Si， 测一下金和Si之间是否导电。
: 我们组以前也在University Wafer买， 后来发现他们的SiO2层有漏电问题， 甚至
: 500nm
: 的氧化层还是漏电， 就再也不买他们的wafer了。
:
: 题？
a*e
37 楼
MOSFET?
这个没有器件结构和整个流程根本没法搞清楚哪一步出问题
gate一般就是dry thermal
的）
【在 c******r 的大作中提到】
: 你们的silicon wafer的oxidation layer是用什么工艺做的呢？wet thermal，dry
: thermal oxidation还是那种dry thermal末了还加gas annealing的？
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: gate leakage呀，也不知道是需要更优的绝缘工艺还是因为我用了CHF4刻蚀背面的时候
: 出了点问题（evaporator之后lift-off之前有Au覆盖保护+一层薄薄的HMDS保护正面的）
: 给出有效建议的5个包子，谢谢
这个没有器件结构和整个流程根本没法搞清楚哪一步出问题
gate一般就是dry thermal
的）
【在 c******r 的大作中提到】
: 你们的silicon wafer的oxidation layer是用什么工艺做的呢？wet thermal，dry
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: 我的device是500um doped silicon+300nm SiO2,试过dry thermal的绝缘层，还是有
: gate leakage呀，也不知道是需要更优的绝缘工艺还是因为我用了CHF4刻蚀背面的时候
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