i*e
2 楼
I am in Boston.
三个月前买的，来不及用这些资料就去考试了。全新，现在四本书加上两张真题CD-ROM
一起$40出售，请回站内信箱。
Kaplan TOEFL iBT with CD-ROM 2008-2009 Edition
原价：$35
Barron's TOEFL iBT Internet-Based Test with CD-ROM
原价：$35
ETS THE Official Guide TO THE NEW TOEFL iBT.
自己打印的版本。
新东方TOEFiBT高分作文完美重排版（含李笑来的185题库）
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j*9
3 楼
An IC device draws higher current when temperature gets:
- higher?
- lower?
我觉得是higher。
可答案写lower。为啥？
- higher?
- lower?
我觉得是higher。
可答案写lower。为啥？
t*z
4 楼
被Lynnwood(WA)法院欺负了，目前身心俱疲，上诉文书期限又近。。。
被Lynnwood (WA State) 法院欺负了，目前身心俱疲，上诉文书期限又近。。。
咋办哪？就这末眼睁睁的看着那唯一的不公不正法官 与 滥权的检察官吃案？
又倒霉，碰到无良且无能律师，拿了钱，却一点事没办！
冤枉啊！
我已凭一己之力，包括自学的法律，把官司一路打到了华州最高法院(Appeal)，其路之
黑之难， 难以尽言。。。
可目前身心俱疲，夜不熟寐，白天就很难集中精力去写，去胜述。。。
万般无奈，来网上看看， 有无义士侠女可依，因为事关华人基本权益。。。
很需要精神以及实际的，与法律/文字上的协助，帮我重整精力，打好上诉一役。小生
这边有理了。
more details and discussion in "Seattle" board:
http://www.mitbbs.com/article_t/Seattle/31299859.html
被Lynnwood (WA State) 法院欺负了，目前身心俱疲，上诉文书期限又近。。。
咋办哪？就这末眼睁睁的看着那唯一的不公不正法官 与 滥权的检察官吃案？
又倒霉，碰到无良且无能律师，拿了钱，却一点事没办！
冤枉啊！
我已凭一己之力，包括自学的法律，把官司一路打到了华州最高法院(Appeal)，其路之
黑之难， 难以尽言。。。
可目前身心俱疲，夜不熟寐，白天就很难集中精力去写，去胜述。。。
万般无奈，来网上看看， 有无义士侠女可依，因为事关华人基本权益。。。
很需要精神以及实际的，与法律/文字上的协助，帮我重整精力，打好上诉一役。小生
这边有理了。
more details and discussion in "Seattle" board:
http://www.mitbbs.com/article_t/Seattle/31299859.html
r*x
5 楼
不明白为什么大饼脸会这么红..
【在 d**w 的大作中提到】
: 比较适合her age.
n*g
6 楼
不错哦
ROM
【在 i*******e 的大作中提到】
: I am in Boston.
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ROM
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: I am in Boston.
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c*l
7 楼
bipolar是high temp with higher current
FET 应该是high temp with lower current 吧
【在 j****9 的大作中提到】
: An IC device draws higher current when temperature gets:
: - higher?
: - lower?
: 我觉得是higher。
: 可答案写lower。为啥？
FET 应该是high temp with lower current 吧
【在 j****9 的大作中提到】
: An IC device draws higher current when temperature gets:
: - higher?
: - lower?
: 我觉得是higher。
: 可答案写lower。为啥？
d*w
8 楼
co 不明白。not a typical teen idol.
【在 r*x 的大作中提到】
:
: 不明白为什么大饼脸会这么红..
【在 r*x 的大作中提到】
:
: 不明白为什么大饼脸会这么红..
i*e
9 楼
哪位同修需要的？自己顶一下了。
e*n
10 楼
觉得
两个都应该是lower current
【在 c*******l 的大作中提到】
: bipolar是high temp with higher current
: FET 应该是high temp with lower current 吧
两个都应该是lower current
【在 c*******l 的大作中提到】
: bipolar是high temp with higher current
: FET 应该是high temp with lower current 吧
s*n
11 楼
俺喜欢大饼脸
有阳刚气，就跟看女孩穿军装的感觉一样
【在 r*x 的大作中提到】
:
: 不明白为什么大饼脸会这么红..
有阳刚气，就跟看女孩穿军装的感觉一样
【在 r*x 的大作中提到】
:
: 不明白为什么大饼脸会这么红..
i*e
12 楼
ROM
【在 i*******e 的大作中提到】
: I am in Boston.
: 三个月前买的，来不及用这些资料就去考试了。全新，现在四本书加上两张真题CD-ROM
: 一起$40出售，请回站内信箱。
: Kaplan TOEFL iBT with CD-ROM 2008-2009 Edition
: 原价：$35
: Barron's TOEFL iBT Internet-Based Test with CD-ROM
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: ETS THE Official Guide TO THE NEW TOEFL iBT.
: 自己打印的版本。
: 新东方TOEFiBT高分作文完美重排版（含李笑来的185题库）
a*t
13 楼
假设Gate或者base voltage是固定的，source或者emitter是ground。
如果是silicon BJT，temperature cofficient 是 positive,温度上升，beta上升，Ib
减小,rb (base resistance) 上的压降减小，BE junction voltage增加，所以Ic增加。
如果是GaAs 或者SiGe HBT, 因为温度系数是negative，所以Ic会减小。
如果是MoS,明显温度上升，电流减小。因为mobility 和 Vth 都随着温度升高而降低，
但是mobility是最主要的因素，所以Id电流减小。
【在 j****9 的大作中提到】
: An IC device draws higher current when temperature gets:
: - higher?
: - lower?
: 我觉得是higher。
: 可答案写lower。为啥？
如果是silicon BJT，temperature cofficient 是 positive,温度上升，beta上升，Ib
减小,rb (base resistance) 上的压降减小，BE junction voltage增加，所以Ic增加。
如果是GaAs 或者SiGe HBT, 因为温度系数是negative，所以Ic会减小。
如果是MoS,明显温度上升，电流减小。因为mobility 和 Vth 都随着温度升高而降低，
但是mobility是最主要的因素，所以Id电流减小。
【在 j****9 的大作中提到】
: An IC device draws higher current when temperature gets:
: - higher?
: - lower?
: 我觉得是higher。
: 可答案写lower。为啥？
j*y
14 楼
挺一般的阿
t*8
15 楼
这些难道不是都可以从网上免费下载吗？
l*x
16 楼
对，前者是少子，后者是多子；
但短沟道MOS考虑到leakage,总的IC电流也可能会增大
【在 c*******l 的大作中提到】
: bipolar是high temp with higher current
: FET 应该是high temp with lower current 吧
但短沟道MOS考虑到leakage,总的IC电流也可能会增大
【在 c*******l 的大作中提到】
: bipolar是high temp with higher current
: FET 应该是high temp with lower current 吧
d*w
17 楼
你也来啦。灌灌
【在 j********y 的大作中提到】
: 挺一般的阿
【在 j********y 的大作中提到】
: 挺一般的阿
j*9
18 楼
有相关公式后资料么？
温度和电流关系的。翻了些资料，没有找到。
请推荐。谢谢。
温度和电流关系的。翻了些资料，没有找到。
请推荐。谢谢。
l*x
19 楼
我想你要是搜一下short channel leakage之类的，肯定可以找到MOSFET current vs.
temperature的表达式
比如 http://www.sciencedirect.com/science?_ob=ArticleURL&_udi=B6TY5-4CN9JNX-4&_user=56861&_rdoc=1&_fmt=&_orig=search&_sort=d&view=c&_acct=C000059542&_version=1&_urlVersion=0&_userid=56861&md5=6a33c9ef1e29030b67293ef98dbe6c37
以及他的reference里头都讲得很清楚了
BJT的比如 http://ece.colorado.edu/~bart/book/book/chapter5/ch5_4.htm
【在 j****9 的大作中提到】
: 有相关公式后资料么？
: 温度和电流关系的。翻了些资料，没有找到。
: 请推荐。谢谢。
temperature的表达式
比如 http://www.sciencedirect.com/science?_ob=ArticleURL&_udi=B6TY5-4CN9JNX-4&_user=56861&_rdoc=1&_fmt=&_orig=search&_sort=d&view=c&_acct=C000059542&_version=1&_urlVersion=0&_userid=56861&md5=6a33c9ef1e29030b67293ef98dbe6c37
以及他的reference里头都讲得很清楚了
BJT的比如 http://ece.colorado.edu/~bart/book/book/chapter5/ch5_4.htm
【在 j****9 的大作中提到】
: 有相关公式后资料么？
: 温度和电流关系的。翻了些资料，没有找到。
: 请推荐。谢谢。
j*9
20 楼
thanks.
s*7
21 楼
mosfet negative temp factor.
temp higher, crystal vibration higher, electrons free mean path shorter,
mobility decrease.
bipolar positive temp factor
temp higher, crystal vibration higher, electrons free mean path shorter,
mobility decrease.
bipolar positive temp factor
a*t
22 楼
temp factor positive 只是对于silicon BJT而言。 对于GaAs 或者SiGe的BJT来说是
negative.
在高功率电路设计中，这两种device的blasting reisitor 的加法是不同的。一个在
base，一个在emitter。
【在 s******7 的大作中提到】
: mosfet negative temp factor.
: temp higher, crystal vibration higher, electrons free mean path shorter,
: mobility decrease.
: bipolar positive temp factor
negative.
在高功率电路设计中，这两种device的blasting reisitor 的加法是不同的。一个在
base，一个在emitter。
【在 s******7 的大作中提到】
: mosfet negative temp factor.
: temp higher, crystal vibration higher, electrons free mean path shorter,
: mobility decrease.
: bipolar positive temp factor
s*l
23 楼
楼上几位讨论的是MOSFET与温度的关系，这和片子是两回事。答案是不确定。
d*y
24 楼
要看前提是不是固定频率。
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