b*a
2 楼
pp不了?
h*y
3 楼
作者有没有解释一下?
G*U
4 楼
由Intel、美光合资组建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布,已经开
始使用
25nm工艺晶体管试产MLC NAND闪存芯片,并相信足以领先其他竞争对手长达一年之久。
IMFT公司在闪存工艺上一向非常激进,每12-15个月便升级一次:成立之初是72nm,
2008年是
50nm,去年则率先达到了34nm,在业内领先六个月左右,也让Intel提前抢先发布了
34nm第二
代X25-M固态硬盘,美光也即将推出RealSSD C300系列。IMFT生产的闪存芯片有49%供
给Intel
客户、51%供给美光客户。
IMFT 25nm NAND闪存的量产将从今年第二季度开始,下半年开始批量出货,正好赶上
Intel预
计年底发布的第三代X25-M固态硬盘,容量有160GB、320GB、600GB等。
率先投产的25nm NAND闪存芯片使用了沉浸式光刻技术(对Intel来说是史上第一次),内
核面积
167平方毫米,容量8GB(64Gb),每单元容量2比特(2-bit-per-cell)。
IMFT 25nm NAND闪存支持开放式NAND闪存接口O
始使用
25nm工艺晶体管试产MLC NAND闪存芯片,并相信足以领先其他竞争对手长达一年之久。
IMFT公司在闪存工艺上一向非常激进,每12-15个月便升级一次:成立之初是72nm,
2008年是
50nm,去年则率先达到了34nm,在业内领先六个月左右,也让Intel提前抢先发布了
34nm第二
代X25-M固态硬盘,美光也即将推出RealSSD C300系列。IMFT生产的闪存芯片有49%供
给Intel
客户、51%供给美光客户。
IMFT 25nm NAND闪存的量产将从今年第二季度开始,下半年开始批量出货,正好赶上
Intel预
计年底发布的第三代X25-M固态硬盘,容量有160GB、320GB、600GB等。
率先投产的25nm NAND闪存芯片使用了沉浸式光刻技术(对Intel来说是史上第一次),内
核面积
167平方毫米,容量8GB(64Gb),每单元容量2比特(2-bit-per-cell)。
IMFT 25nm NAND闪存支持开放式NAND闪存接口O
m*e
5 楼
翻页黑屏太烦了,看得稍微快点眼睛都要闪瞎了。我又懒得折腾多看……哎
s*l
6 楼
新春如意,健康平安。
有包子么?
有包子么?
g*d
7 楼
淫楼没有小jj不是太正常了么。
n*y
8 楼
不降价p用都没有
b*l
10 楼
新年快乐,万事如意!
a*2
11 楼
这家伙有哪一本是完本的么?
M*n
15 楼
唉,关键是价格,
s*c
18 楼
价格下不来一切都是瞎折腾
【在 G**U 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png)
: 由Intel、美光合资组建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布,已经开
: 始使用
: 25nm工艺晶体管试产MLC NAND闪存芯片,并相信足以领先其他竞争对手长达一年之久。
: IMFT公司在闪存工艺上一向非常激进,每12-15个月便升级一次:成立之初是72nm,
: 2008年是
: 50nm,去年则率先达到了34nm,在业内领先六个月左右,也让Intel提前抢先发布了
: 34nm第二
: 代X25-M固态硬盘,美光也即将推出RealSSD C300系列。IMFT生产的闪存芯片有49%供
: 给Intel
: 客户、51%供给美光客户。
【在 G**U 的大作中提到】
![](/moin_static193/solenoid/img/up.png)
: 由Intel、美光合资组建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布,已经开
: 始使用
: 25nm工艺晶体管试产MLC NAND闪存芯片,并相信足以领先其他竞争对手长达一年之久。
: IMFT公司在闪存工艺上一向非常激进,每12-15个月便升级一次:成立之初是72nm,
: 2008年是
: 50nm,去年则率先达到了34nm,在业内领先六个月左右,也让Intel提前抢先发布了
: 34nm第二
: 代X25-M固态硬盘,美光也即将推出RealSSD C300系列。IMFT生产的闪存芯片有49%供
: 给Intel
: 客户、51%供给美光客户。
h*h
20 楼
又习惯性TJ了?
m*s
21 楼
价格降下来要等实现真正的3维存储了,如果还是按单位面积存储容量比,怎么也比不
过硬盘。
过硬盘。
w*6
25 楼
靠,几年内Seagate,WD啥的要垮台了。俺不少同学都在那里打工呢。
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