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如果屋脊上的这个民科说的是对的D800应该就是全幅DSLR的终极武器了.
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如果屋脊上的这个民科说的是对的D800应该就是全幅DSLR的终极武器了.# PhotoGear - 摄影器材
b*n
1
看着有点道理,这么看来像素再高已经没有意义了,镜头已经跟不上了。
http://forum.xitek.com/thread-967194-2-1-1.html
"从物理学上讲,光具有波粒二象性。从空间微观尺度上看,光具有波动性,会发生干
涉、饶射,比如小光圈下成像不好就是因为如此。从时间微观角度上看,光不是连续的
,是以光子为单位一个一个发出的,强光的时候由于光流大,看不出来,但弱光下就能
看出来光不是连续的。这一点正是符合科学的。
展开说一下,CMOS对于光的感应是以电荷或电流来表示的,电流也不是连续的,电流是
用电子携带的,而电子就是电荷的最小单位。光打在CMOS上产生电荷,理想状态下是1
个光子可以产生一个电子,100个光子完全被利用后就可以产生出100个电子来,此时量
子效率QE=100%。这一点可以百度/谷歌一下“QE CMOS”或“QE CCD”,以前CCD的QE比
较低,只有百分之几,就像白炽灯的发光效率只有百分之几一样,发展余量很大。但最
近这些年CMOS发展的很快,到现在已经达到很先进的阶段了,QE已经大于50%,使得新
的相机高感特性得以有巨大的提升,无论哪一款新型单反,ISO都能轻易做到6400而且
质量还可以接受,这是以前胶片时代不可想象的。但是,50%以上的QE意味着以后没有
太大的发展空间了,最多也就能再提升50%(或提高一档,并保持类似效果)。因此,
绝不要期待再有新的相机,高ISO特性一下子可以提高几档,多少年以后再出D8000、
D80000也不会对高ISO有什么质的改变了,因为已经快接近物理极限了。我们已经习惯
了2年多内存和硬盘就能加倍的摩尔定律,但对单反的高ISO特性就不要再有类似期待了。
当然,高ISO特性不仅只取决于QE,还与CMOS的噪声有关,但这个也没有什么好办法了
,除非像拍摄天文那样对CCD/CMOS进行半导体制冷,否则热噪声(约翰逊噪声)是无法
克服的。细心的人会发现冬天拍夜景的高ISO特性要比夏天好不少,就是这个道理。
另一方面,我一直是高像素的支持者,一直认为600W不算高、1200W不算高、2400W也不
算高,但是,D800的3600W像素的确很高了,也快要到头了,我能在全幅数码上接受的
最高像素是4800W。原因也很简单:不到5微米的像素距离(4800W不到3微米),现有镜
头群已经难于喂饱D800了,并且必须光圈大于等于f/8(4800W必须>=f/5.6),对镜头
的分辨、色差、边缘表现、像场弯曲等的要求也极为严格。另外,对机身/镜头的的对
焦精度、焦平面的非垂直度、对镜头的防抖系统、对拍摄的三脚架的要求等,都是前所
未有的,甚至多数相机的自动对焦系统的误差都不能容忍,需要实时取景+放大显示+放
大镜观察。最后,像素绝不是单反的唯一重要指标,不要只重视像素忽略了其它侧面。
"
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C*c
2
硬盘技术没有革新前..我觉得36M已经是我忍受极限了
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b*r
3
表示谨慎怀疑,我看猫头鹰那个枣核大的眼睛在黑暗中的视觉应该比什么D800强不少
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x*k
4
1G的卡才十来张raw,32G起啊,奶奶的

【在 C****c 的大作中提到】
: 硬盘技术没有革新前..我觉得36M已经是我忍受极限了
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a*a
5
180刀的128G的SDXC
昨天微博看到有人bso这个。。。

【在 x***k 的大作中提到】
: 1G的卡才十来张raw,32G起啊,奶奶的
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a*s
6
很好奇那句话算民科呢?
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a*e
7
那句话都是民科,lol

【在 a*****s 的大作中提到】
: 很好奇那句话算民科呢?
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s*g
8
Increase the lens diameter could increase the lens cutoff frequency.
Ask OD tyning.

1

【在 b*********n 的大作中提到】
: 看着有点道理,这么看来像素再高已经没有意义了,镜头已经跟不上了。
: http://forum.xitek.com/thread-967194-2-1-1.html
: "从物理学上讲,光具有波粒二象性。从空间微观尺度上看,光具有波动性,会发生干
: 涉、饶射,比如小光圈下成像不好就是因为如此。从时间微观角度上看,光不是连续的
: ,是以光子为单位一个一个发出的,强光的时候由于光流大,看不出来,但弱光下就能
: 看出来光不是连续的。这一点正是符合科学的。
: 展开说一下,CMOS对于光的感应是以电荷或电流来表示的,电流也不是连续的,电流是
: 用电子携带的,而电子就是电荷的最小单位。光打在CMOS上产生电荷,理想状态下是1
: 个光子可以产生一个电子,100个光子完全被利用后就可以产生出100个电子来,此时量
: 子效率QE=100%。这一点可以百度/谷歌一下“QE CMOS”或“QE CCD”,以前CCD的QE比

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n*t
9
所以傻大黑粗其实是发展趋势?

【在 s*****g 的大作中提到】
: Increase the lens diameter could increase the lens cutoff frequency.
: Ask OD tyning.
:
: 1

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b*n
10
靠,哪里有这个价,昨天刚pre-order了个SanDisk Extreme 64GB SDXC UHS-I Class,
$130.

【在 a***a 的大作中提到】
: 180刀的128G的SDXC
: 昨天微博看到有人bso这个。。。

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a*s
11
赞,将来WSN上街背的都是中幅,全钛机(镜)身。

【在 n**t 的大作中提到】
: 所以傻大黑粗其实是发展趋势?
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v*0
12
特别是PS的时候 文件读存
咋处理啊 ^_^

【在 C****c 的大作中提到】
: 硬盘技术没有革新前..我觉得36M已经是我忍受极限了
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s*l
13
这篇文章有两个错误,
1.CCD和CMOS都是基于硅材料和硅工艺的,CCD和CMOS的QE不能提高并不代表sensor的感
光度不能提高了,还有比硅感光度高得多的材料没有用做民用,部分原因是成本太高,将
来技术发展了,更高性能成象材料的成本完全可能大幅下降.
2.即使CCD和CMOS的QE没有提高空间了,CCD和CMOS的感光度仍有可能提高,因为目前CCD
和CMOS器件本身的噪声还是不小,sensor的detectivity近似正比于QE反比于噪声,CCD和
CMOS的感光度仍有提高空间.
所以高感的提高空间还是大大的.
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b*t
14
就算"更高性能成象材料的成本完全可能大幅下降"
换材料也会是最后被考虑的一件事

CCD

【在 s******l 的大作中提到】
: 这篇文章有两个错误,
: 1.CCD和CMOS都是基于硅材料和硅工艺的,CCD和CMOS的QE不能提高并不代表sensor的感
: 光度不能提高了,还有比硅感光度高得多的材料没有用做民用,部分原因是成本太高,将
: 来技术发展了,更高性能成象材料的成本完全可能大幅下降.
: 2.即使CCD和CMOS的QE没有提高空间了,CCD和CMOS的感光度仍有可能提高,因为目前CCD
: 和CMOS器件本身的噪声还是不小,sensor的detectivity近似正比于QE反比于噪声,CCD和
: CMOS的感光度仍有提高空间.
: 所以高感的提高空间还是大大的.

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s*l
15
这个不错.

【在 b*******t 的大作中提到】
: 就算"更高性能成象材料的成本完全可能大幅下降"
: 换材料也会是最后被考虑的一件事
:
: CCD

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t*g
16
成本高不是材料的问题,主要是工艺。GaAs之类的那些东西和现在大规模的fab工艺不
兼容,成本海了去了。
这也是集成光学喊了那么多年没戏的原因。
不能和CMOS工艺兼容的话,成本上考量基本没戏。除非是做单个的photodiode或者
laser diode, LED之类的简单玩艺。

CCD

【在 s******l 的大作中提到】
: 这篇文章有两个错误,
: 1.CCD和CMOS都是基于硅材料和硅工艺的,CCD和CMOS的QE不能提高并不代表sensor的感
: 光度不能提高了,还有比硅感光度高得多的材料没有用做民用,部分原因是成本太高,将
: 来技术发展了,更高性能成象材料的成本完全可能大幅下降.
: 2.即使CCD和CMOS的QE没有提高空间了,CCD和CMOS的感光度仍有可能提高,因为目前CCD
: 和CMOS器件本身的噪声还是不小,sensor的detectivity近似正比于QE反比于噪声,CCD和
: CMOS的感光度仍有提高空间.
: 所以高感的提高空间还是大大的.

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s*l
17
我说的材料只的是做好的芯片,包括你说的工艺.
你说的不错,化合物半导体工艺和硅不兼容,现在成本很高,但是军用已经很多了.

【在 t****g 的大作中提到】
: 成本高不是材料的问题,主要是工艺。GaAs之类的那些东西和现在大规模的fab工艺不
: 兼容,成本海了去了。
: 这也是集成光学喊了那么多年没戏的原因。
: 不能和CMOS工艺兼容的话,成本上考量基本没戏。除非是做单个的photodiode或者
: laser diode, LED之类的简单玩艺。
:
: CCD

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b*t
18
35最后大概还是会被拿来做on chip laser吧
剩下的部分可以兼容

【在 t****g 的大作中提到】
: 成本高不是材料的问题,主要是工艺。GaAs之类的那些东西和现在大规模的fab工艺不
: 兼容,成本海了去了。
: 这也是集成光学喊了那么多年没戏的原因。
: 不能和CMOS工艺兼容的话,成本上考量基本没戏。除非是做单个的photodiode或者
: laser diode, LED之类的简单玩艺。
:
: CCD

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t*g
19
on chip laser现在还是单独作然后bond上去吧。

【在 b*******t 的大作中提到】
: 35最后大概还是会被拿来做on chip laser吧
: 剩下的部分可以兼容

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s*l
20
这个目前成本也太高,而且yield还低.

【在 t****g 的大作中提到】
: on chip laser现在还是单独作然后bond上去吧。
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b*t
21
也有长的

【在 t****g 的大作中提到】
: on chip laser现在还是单独作然后bond上去吧。
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t*g
22
军用的主要是mid IR波段的sensor,红外导弹导引头成像用。
可见光波段photo energy足够高,绝大部分还是active cool的CMOS/CCD。

【在 s******l 的大作中提到】
: 我说的材料只的是做好的芯片,包括你说的工艺.
: 你说的不错,化合物半导体工艺和硅不兼容,现在成本很高,但是军用已经很多了.

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t*g
23
silicon的wafer上面长GaAlAs的laser?
详细说说看。

【在 b*******t 的大作中提到】
: 也有长的
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t*g
24
主要是这个bonding和coupling很难呀。而且还有thermal expansion的问题。

【在 s******l 的大作中提到】
: 这个目前成本也太高,而且yield还低.
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b*t
26
不能大面积

【在 t****g 的大作中提到】
: 主要是这个bonding和coupling很难呀。而且还有thermal expansion的问题。
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s*l
27
军用可见和近IR的都有用GaAs,InGaAs的,III-V大部分是直接带隙材料,探测率比间接带
隙的硅高的不只一个数量级.

【在 t****g 的大作中提到】
: 军用的主要是mid IR波段的sensor,红外导弹导引头成像用。
: 可见光波段photo energy足够高,绝大部分还是active cool的CMOS/CCD。

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B*G
28
说得好,瓶颈在于噪声,现在的cmos离着photon counting还差好多数量级呢,前一阵
谁说的来着,以后DSLR的cmos后面也会直接上半导体制冷,路长着呢。咱要求也不高,
中等档次的机器,6400能跟现在5D2 400那个水平就行,这样室内一般光线基本就随便
拍了,照度更差的地方本来咱平常也不拍。

CCD

【在 s******l 的大作中提到】
: 这篇文章有两个错误,
: 1.CCD和CMOS都是基于硅材料和硅工艺的,CCD和CMOS的QE不能提高并不代表sensor的感
: 光度不能提高了,还有比硅感光度高得多的材料没有用做民用,部分原因是成本太高,将
: 来技术发展了,更高性能成象材料的成本完全可能大幅下降.
: 2.即使CCD和CMOS的QE没有提高空间了,CCD和CMOS的感光度仍有可能提高,因为目前CCD
: 和CMOS器件本身的噪声还是不小,sensor的detectivity近似正比于QE反比于噪声,CCD和
: CMOS的感光度仍有提高空间.
: 所以高感的提高空间还是大大的.

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a*e
29
靠,那眼睛不定是f2.8的,而且焦平面弯的,没球差
感光细胞量子效率高点,噪声可能还低点,再看看红外什么的
Si这个鬼东西其实不适合感光

【在 b****r 的大作中提到】
: 表示谨慎怀疑,我看猫头鹰那个枣核大的眼睛在黑暗中的视觉应该比什么D800强不少
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t*g
30
不懂了。光电材料我就是个民科水平。

【在 s******l 的大作中提到】
: 军用可见和近IR的都有用GaAs,InGaAs的,III-V大部分是直接带隙材料,探测率比间接带
: 隙的硅高的不只一个数量级.

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a*e
31
噪声没戏

CCD

【在 s******l 的大作中提到】
: 这篇文章有两个错误,
: 1.CCD和CMOS都是基于硅材料和硅工艺的,CCD和CMOS的QE不能提高并不代表sensor的感
: 光度不能提高了,还有比硅感光度高得多的材料没有用做民用,部分原因是成本太高,将
: 来技术发展了,更高性能成象材料的成本完全可能大幅下降.
: 2.即使CCD和CMOS的QE没有提高空间了,CCD和CMOS的感光度仍有可能提高,因为目前CCD
: 和CMOS器件本身的噪声还是不小,sensor的detectivity近似正比于QE反比于噪声,CCD和
: CMOS的感光度仍有提高空间.
: 所以高感的提高空间还是大大的.

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b*t
32
降一下温还是可以的

【在 a***e 的大作中提到】
: 噪声没戏
:
: CCD

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a*e
33
军用的很多分辨率还不如D800
而且经常就是兰宝石上长晶体
话说那些个做在蓝宝石上的军用486可一点都不便宜

【在 s******l 的大作中提到】
: 我说的材料只的是做好的芯片,包括你说的工艺.
: 你说的不错,化合物半导体工艺和硅不兼容,现在成本很高,但是军用已经很多了.

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s*e
34
让你拍raw!
呵呵

【在 x***k 的大作中提到】
: 1G的卡才十来张raw,32G起啊,奶奶的
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s*l
35
现在技术还不成熟,成熟的那一天不会遥远.:)

【在 a***e 的大作中提到】
: 军用的很多分辨率还不如D800
: 而且经常就是兰宝石上长晶体
: 话说那些个做在蓝宝石上的军用486可一点都不便宜

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s*l
36
我也是个半吊子.

【在 t****g 的大作中提到】
: 不懂了。光电材料我就是个民科水平。
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b*t
37
35 fan?

【在 s******l 的大作中提到】
: 现在技术还不成熟,成熟的那一天不会遥远.:)
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z*c
38
弱光能看出光流
这位是认真理解了水管放水装桶的曝光原理。

【在 a*****s 的大作中提到】
: 很好奇那句话算民科呢?
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a*e
39
你看看半导体制冷的那个效率
准备身上背多大电池?还不提冷凝的问题
家用的东西,基本一辈子室温的命,不要有幻想
倒是硅这个间接带不行,应该搞些直接带包心
去年有个startup号称包nano dot,效率很高
就是不知道怎么把电信号搞出来的
要不生猛一点上雪崩管,厚厚

【在 b*******t 的大作中提到】
: 降一下温还是可以的
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a*e
40
老大,俺看着炉子里出来的东西,
觉得还可以工作20年
厚厚

【在 s******l 的大作中提到】
: 现在技术还不成熟,成熟的那一天不会遥远.:)
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t*g
41
半导体制冷还不如我老当年说的,grip里面装个disposable的小液氮瓶子,弄个micro
valve,和快门同步的,一看快门就喷一点在CCD背面。

【在 a***e 的大作中提到】
: 你看看半导体制冷的那个效率
: 准备身上背多大电池?还不提冷凝的问题
: 家用的东西,基本一辈子室温的命,不要有幻想
: 倒是硅这个间接带不行,应该搞些直接带包心
: 去年有个startup号称包nano dot,效率很高
: 就是不知道怎么把电信号搞出来的
: 要不生猛一点上雪崩管,厚厚

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a*e
42
其实曝光后每个pixel电子数还真不多

【在 z*c 的大作中提到】
: 弱光能看出光流
: 这位是认真理解了水管放水装桶的曝光原理。

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a*e
43
你这个怎么保证喷的均匀
上HP打印头有戏:)

micro

【在 t****g 的大作中提到】
: 半导体制冷还不如我老当年说的,grip里面装个disposable的小液氮瓶子,弄个micro
: valve,和快门同步的,一看快门就喷一点在CCD背面。

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t*g
45
类似的呀。打印机厂反正有这技术。
然后就可以从卖墨盒该行到卖液氮瓶子挣钱了:)

【在 a***e 的大作中提到】
: 你这个怎么保证喷的均匀
: 上HP打印头有戏:)
:
: micro

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b*t
46
http://ghonis2.ho8.com/rebelmod450d16c.html

【在 a***e 的大作中提到】
: 你看看半导体制冷的那个效率
: 准备身上背多大电池?还不提冷凝的问题
: 家用的东西,基本一辈子室温的命,不要有幻想
: 倒是硅这个间接带不行,应该搞些直接带包心
: 去年有个startup号称包nano dot,效率很高
: 就是不知道怎么把电信号搞出来的
: 要不生猛一点上雪崩管,厚厚

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a*e
48
其实还是氟利昂的合适,搞个电动的小compressor估计还是没问题的
外加个手摇,没事就摇摇制冷,
算算那么大片硅绝热条件从室温冷到-30需要多大功率

【在 t****g 的大作中提到】
: 类似的呀。打印机厂反正有这技术。
: 然后就可以从卖墨盒该行到卖液氮瓶子挣钱了:)

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b*t
49
。。我表示用过带制冷的camera。。

micro

【在 t****g 的大作中提到】
: 半导体制冷还不如我老当年说的,grip里面装个disposable的小液氮瓶子,弄个micro
: valve,和快门同步的,一看快门就喷一点在CCD背面。

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t*g
50
用TEC的?
这个不稀奇。

【在 b*******t 的大作中提到】
: 。。我表示用过带制冷的camera。。
:
: micro

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b*t
51
就是觉得没什么稀奇
现在可以随便买到的东西,过两年普及一下,没有什么不正常

【在 t****g 的大作中提到】
: 用TEC的?
: 这个不稀奇。

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t*g
53
已经普及了。现在去MC都能买到带TEC的CPU cooler.

【在 b*******t 的大作中提到】
: 就是觉得没什么稀奇
: 现在可以随便买到的东西,过两年普及一下,没有什么不正常

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b*t
54
我说相机自带~

【在 t****g 的大作中提到】
: 已经普及了。现在去MC都能买到带TEC的CPU cooler.
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a*e
55
能便携不
别是相机1kg,镜头1kg,灯500g
然后制冷+电池5kg

【在 b*******t 的大作中提到】
: 就是觉得没什么稀奇
: 现在可以随便买到的东西,过两年普及一下,没有什么不正常

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b*t
56
目测一下这个多重

【在 a***e 的大作中提到】
: 能便携不
: 别是相机1kg,镜头1kg,灯500g
: 然后制冷+电池5kg

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a*e
57
关键是供电的和散热器
半导体制冷器都知道不重
搞个50W的东西,一般的
laptop 9cell电池也就能用1小时

【在 b*******t 的大作中提到】
: 目测一下这个多重
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b*t
58
哭死 你为啥就不信呢 为啥就不信呢 为啥呢 为啥

【在 a***e 的大作中提到】
: 关键是供电的和散热器
: 半导体制冷器都知道不重
: 搞个50W的东西,一般的
: laptop 9cell电池也就能用1小时

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a*e
59
俺看的机器上的罐子包着一个500W的制冷器,散热器有5公斤
用市电,没法带着跑啊
你把你那个照片两根线后面的一坨拉出来看看

【在 b*******t 的大作中提到】
: 哭死 你为啥就不信呢 为啥就不信呢 为啥呢 为啥
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b*t
60
那个是网上瞎找的阿
xenics有可以降到-40C的,相机总重1.8kg
我用过的那个更低里面还有个大风扇,也没多重
这些是连续使用所以插交流电阿

【在 a***e 的大作中提到】
: 俺看的机器上的罐子包着一个500W的制冷器,散热器有5公斤
: 用市电,没法带着跑啊
: 你把你那个照片两根线后面的一坨拉出来看看

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a*e
61
靠,你早说交流电不完了
上街了后面就得来个卡车电池拉着了

【在 b*******t 的大作中提到】
: 那个是网上瞎找的阿
: xenics有可以降到-40C的,相机总重1.8kg
: 我用过的那个更低里面还有个大风扇,也没多重
: 这些是连续使用所以插交流电阿

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b*t
62
我说连续使用得交流电
照相机上时间短,跟闪光灯一样不会一直开着
另外硅片shi一样的导热性,降温一小点用不了那么多power

【在 a***e 的大作中提到】
: 靠,你早说交流电不完了
: 上街了后面就得来个卡车电池拉着了

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a*e
63
硅的导热性其实是相当的好

【在 b*******t 的大作中提到】
: 我说连续使用得交流电
: 照相机上时间短,跟闪光灯一样不会一直开着
: 另外硅片shi一样的导热性,降温一小点用不了那么多power

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a*s
64
半导体制冷要消耗电能产生更多的热量来达到热的乾坤大挪移。那样的相机总体上来讲
狠废电不说还烫手。哈哈

micro

【在 t****g 的大作中提到】
: 半导体制冷还不如我老当年说的,grip里面装个disposable的小液氮瓶子,弄个micro
: valve,和快门同步的,一看快门就喷一点在CCD背面。

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b*t
65
SOI

【在 a***e 的大作中提到】
: 硅的导热性其实是相当的好
avatar
L*s
66
硬件再好,拍照的人是个WSN,能拍出来啥呢?
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l*g
67
原文章可能在量子效率大于50%这里过于保守,好像是大于90%接近100%。
你的观点是原理性错误,读phd的话在pre lim这儿就一定会fail. 量子效率100%是极限
,和光速一样,在这个宇宙里暂时不能超越,只能接近。超过100%,那个不是感光,而
是创造,只有绘画才能达到的水平。
在高感情况下,最大的噪音不是感光芯片产生的,而是光子自身固有的,被称为量子噪
声的,是量子统计规律。例如平均可以收到100个光子,这个不确定性数量的平方就是
10个,而平均收到1000个,这个不确定性数量的平方就是100个.感光只具有统计的意义
,提高信噪比的途径就是收集尽可能多的光线,因为信号的能量随光子数目的平方增加
,而噪音能量随光子数目的平方根增加。而当前感光器产生的误差/噪音在所谓高感时
远小于光子本身的统计误差,再进一步提高技术,也不可能有大的进步。平时人们所看
到的所谓高感进步,大部分来源于降噪处理,是以放弃图像信息为代价的。
现阶段,提高高感的所剩途径,在我看来,就是提高滤色片的透明度,尽可能地减小衰
减,如果取消滤色片,消除颜色信息,ISO的性能还可以有接近2档的提高。另外一个途
径是提高微透镜的性能,减少布线的遮光,这条路快到尽头了。

CCD

【在 s******l 的大作中提到】
: 这篇文章有两个错误,
: 1.CCD和CMOS都是基于硅材料和硅工艺的,CCD和CMOS的QE不能提高并不代表sensor的感
: 光度不能提高了,还有比硅感光度高得多的材料没有用做民用,部分原因是成本太高,将
: 来技术发展了,更高性能成象材料的成本完全可能大幅下降.
: 2.即使CCD和CMOS的QE没有提高空间了,CCD和CMOS的感光度仍有可能提高,因为目前CCD
: 和CMOS器件本身的噪声还是不小,sensor的detectivity近似正比于QE反比于噪声,CCD和
: CMOS的感光度仍有提高空间.
: 所以高感的提高空间还是大大的.

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h*g
68
你这都是啥话呢?
shot noise都没计算对,也没理解对
敢情现在感光器都是shot noise limited

的感
,将
CCD和

【在 l****g 的大作中提到】
: 原文章可能在量子效率大于50%这里过于保守,好像是大于90%接近100%。
: 你的观点是原理性错误,读phd的话在pre lim这儿就一定会fail. 量子效率100%是极限
: ,和光速一样,在这个宇宙里暂时不能超越,只能接近。超过100%,那个不是感光,而
: 是创造,只有绘画才能达到的水平。
: 在高感情况下,最大的噪音不是感光芯片产生的,而是光子自身固有的,被称为量子噪
: 声的,是量子统计规律。例如平均可以收到100个光子,这个不确定性数量的平方就是
: 10个,而平均收到1000个,这个不确定性数量的平方就是100个.感光只具有统计的意义
: ,提高信噪比的途径就是收集尽可能多的光线,因为信号的能量随光子数目的平方增加
: ,而噪音能量随光子数目的平方根增加。而当前感光器产生的误差/噪音在所谓高感时
: 远小于光子本身的统计误差,再进一步提高技术,也不可能有大的进步。平时人们所看

avatar
b*t
69
@ @

【在 l****g 的大作中提到】
: 原文章可能在量子效率大于50%这里过于保守,好像是大于90%接近100%。
: 你的观点是原理性错误,读phd的话在pre lim这儿就一定会fail. 量子效率100%是极限
: ,和光速一样,在这个宇宙里暂时不能超越,只能接近。超过100%,那个不是感光,而
: 是创造,只有绘画才能达到的水平。
: 在高感情况下,最大的噪音不是感光芯片产生的,而是光子自身固有的,被称为量子噪
: 声的,是量子统计规律。例如平均可以收到100个光子,这个不确定性数量的平方就是
: 10个,而平均收到1000个,这个不确定性数量的平方就是100个.感光只具有统计的意义
: ,提高信噪比的途径就是收集尽可能多的光线,因为信号的能量随光子数目的平方增加
: ,而噪音能量随光子数目的平方根增加。而当前感光器产生的误差/噪音在所谓高感时
: 远小于光子本身的统计误差,再进一步提高技术,也不可能有大的进步。平时人们所看

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s*l
70
谁说量子效率要超过100%了?我说的两点都是降低噪声的,GaAs,AlGaAs材料的内噪声比
硅的低太多了.你看懂我说的了吗?我的观点就是即使量子效率到了极限也是可以通过降
低噪声来提高探测率的.

【在 l****g 的大作中提到】
: 原文章可能在量子效率大于50%这里过于保守,好像是大于90%接近100%。
: 你的观点是原理性错误,读phd的话在pre lim这儿就一定会fail. 量子效率100%是极限
: ,和光速一样,在这个宇宙里暂时不能超越,只能接近。超过100%,那个不是感光,而
: 是创造,只有绘画才能达到的水平。
: 在高感情况下,最大的噪音不是感光芯片产生的,而是光子自身固有的,被称为量子噪
: 声的,是量子统计规律。例如平均可以收到100个光子,这个不确定性数量的平方就是
: 10个,而平均收到1000个,这个不确定性数量的平方就是100个.感光只具有统计的意义
: ,提高信噪比的途径就是收集尽可能多的光线,因为信号的能量随光子数目的平方增加
: ,而噪音能量随光子数目的平方根增加。而当前感光器产生的误差/噪音在所谓高感时
: 远小于光子本身的统计误差,再进一步提高技术,也不可能有大的进步。平时人们所看

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b*t
71
话说apd的QE怎么算?

【在 s******l 的大作中提到】
: 谁说量子效率要超过100%了?我说的两点都是降低噪声的,GaAs,AlGaAs材料的内噪声比
: 硅的低太多了.你看懂我说的了吗?我的观点就是即使量子效率到了极限也是可以通过降
: 低噪声来提高探测率的.

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s*l
72
APD不一样,因为加了大电压,在强电场下产生雪崩,这时候说QE就意义不大了,一般说
gain,可以上千倍,这个gain是通过外加能量(这里是电能)供给的.

【在 b*******t 的大作中提到】
: 话说apd的QE怎么算?
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b*t
73
这个是不是可以数光子?

【在 s******l 的大作中提到】
: APD不一样,因为加了大电压,在强电场下产生雪崩,这时候说QE就意义不大了,一般说
: gain,可以上千倍,这个gain是通过外加能量(这里是电能)供给的.

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a*s
74
谁来给算一下QE->100%,readout noise~0,dark noise~1e-4,gain~1相当于ISO多少可用
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h*g
75
我理解类似三极管

【在 b*******t 的大作中提到】
: 话说apd的QE怎么算?
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h*g
76
单位是啥啊,readout 很难零,dark noise 要低上液氮

【在 a*****s 的大作中提到】
: 谁来给算一下QE->100%,readout noise~0,dark noise~1e-4,gain~1相当于ISO多少可用
: ?

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l*g
77
高感时,是shot noise limited. 理解有错误,那欢迎指出,我可不想保持错误的理解。

【在 h******g 的大作中提到】
: 你这都是啥话呢?
: shot noise都没计算对,也没理解对
: 敢情现在感光器都是shot noise limited
:
: 的感
: ,将
: CCD和

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t*g
78
shot noise limited得弱到看宇宙边缘,需要photon counting差不多。

解。

【在 l****g 的大作中提到】
: 高感时,是shot noise limited. 理解有错误,那欢迎指出,我可不想保持错误的理解。
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x5
79
降温的芯片得真空封装,个头,成本都不小,整个系统得热容也小不了
拍个片你等一分钟降温你干不?

【在 b*******t 的大作中提到】
: 我说连续使用得交流电
: 照相机上时间短,跟闪光灯一样不会一直开着
: 另外硅片shi一样的导热性,降温一小点用不了那么多power

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t*g
80
一分钟难呀。
我们楼下那个,降到-80C得20分钟才能稳定。

【在 x5 的大作中提到】
: 降温的芯片得真空封装,个头,成本都不小,整个系统得热容也小不了
: 拍个片你等一分钟降温你干不?

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v*a
81
哎……獭老师fail了五角兽的面试题

【在 x5 的大作中提到】
: 降温的芯片得真空封装,个头,成本都不小,整个系统得热容也小不了
: 拍个片你等一分钟降温你干不?

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x5
82
就是看封装的真空度
我这的Andor Newton, 1分钟到-40绝对没问题,到-80也就两三分钟吧,加水冷还可以
降到-100

【在 t****g 的大作中提到】
: 一分钟难呀。
: 我们楼下那个,降到-80C得20分钟才能稳定。

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t*g
83
还有那玩艺弄几个大风扇,把台子浮起来还是颤悠悠的。后来只好上水了。

【在 x5 的大作中提到】
: 就是看封装的真空度
: 我这的Andor Newton, 1分钟到-40绝对没问题,到-80也就两三分钟吧,加水冷还可以
: 降到-100

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x5
84
水倒是挺安静的,不过就是怕漏,呵呵

【在 t****g 的大作中提到】
: 还有那玩艺弄几个大风扇,把台子浮起来还是颤悠悠的。后来只好上水了。
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s*l
85
可以.

【在 b*******t 的大作中提到】
: 这个是不是可以数光子?
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h*g
86
我们楼下那个,降到-110C要1个小时

【在 t****g 的大作中提到】
: 一分钟难呀。
: 我们楼下那个,降到-80C得20分钟才能稳定。

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v*a
87
洪老师你是做这个的?

【在 h******g 的大作中提到】
: 我们楼下那个,降到-110C要1个小时
avatar
h*g
88
简单情况
noise=sqrt(readout^2+dark^2+shot^2)
如果高感是shot noise limited,低感更应该是了
高感就是gain大点呗

解。

【在 l****g 的大作中提到】
: 高感时,是shot noise limited. 理解有错误,那欢迎指出,我可不想保持错误的理解。
avatar
h*g
89
不是正儿八经做这个的,属于被楼上众人bs的

【在 v***a 的大作中提到】
: 洪老师你是做这个的?
avatar
s*l
90
牛啊.

【在 h******g 的大作中提到】
: 不是正儿八经做这个的,属于被楼上众人bs的
avatar
h*g
91
wk,写错了,还好有个被字
不然跳进黄河洗不清

【在 s******l 的大作中提到】
: 牛啊.
avatar
s*l
92
:)

【在 h******g 的大作中提到】
: wk,写错了,还好有个被字
: 不然跳进黄河洗不清

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x5
93
那不如直接灌液氮了。。。

【在 h******g 的大作中提到】
: 我们楼下那个,降到-110C要1个小时
avatar
h*g
94
难道不是直接灌液氮?

【在 x5 的大作中提到】
: 那不如直接灌液氮了。。。
avatar
x5
95
液氮的不是一般维持在-120C么?

【在 h******g 的大作中提到】
: 难道不是直接灌液氮?
avatar
x5
96
而且也不是直接灌,一般都是cold finger泡在液氮里

【在 h******g 的大作中提到】
: 难道不是直接灌液氮?
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l*g
97
可以读读这个,
http://theory.uchicago.edu/~ejm/pix/20d/tests/noise/noise-p2.ht
理解fig12. 只要正常曝光,SNR间距一样indicate that SNR is shot noise limited.

【在 h******g 的大作中提到】
: 简单情况
: noise=sqrt(readout^2+dark^2+shot^2)
: 如果高感是shot noise limited,低感更应该是了
: 高感就是gain大点呗
:
: 解。

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h*g
98
觉得-120要等太久,QE又相对低点
所以我一般设成-110

【在 x5 的大作中提到】
: 液氮的不是一般维持在-120C么?
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h*g
99
不是很理解,不过下面有一句话
Only read and photon noise have been taken into account in generating the
above plot; PRNU and other noise sources are not incorporated.

limited.

【在 l****g 的大作中提到】
: 可以读读这个,
: http://theory.uchicago.edu/~ejm/pix/20d/tests/noise/noise-p2.ht
: 理解fig12. 只要正常曝光,SNR间距一样indicate that SNR is shot noise limited.

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b*t
100
一个原子一个原子地cool

【在 h******g 的大作中提到】
: 单位是啥啊,readout 很难零,dark noise 要低上液氮
avatar
h*g
101
您要0.01K?

【在 b*******t 的大作中提到】
: 一个原子一个原子地cool
avatar
b*t
102
看你要降到多少了

【在 x5 的大作中提到】
: 降温的芯片得真空封装,个头,成本都不小,整个系统得热容也小不了
: 拍个片你等一分钟降温你干不?

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b*t
103
但是感觉xenics没有真空封装阿好像

【在 x5 的大作中提到】
: 就是看封装的真空度
: 我这的Andor Newton, 1分钟到-40绝对没问题,到-80也就两三分钟吧,加水冷还可以
: 降到-100

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x*c
104
翻了最后两页,完全不懂。。。
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b*t
105
多好

【在 h******g 的大作中提到】
: 您要0.01K?
avatar
b*t
106
好像隐约记得电路里有个differentiator的trick可以改善shot noise的影响

limited.

【在 l****g 的大作中提到】
: 可以读读这个,
: http://theory.uchicago.edu/~ejm/pix/20d/tests/noise/noise-p2.ht
: 理解fig12. 只要正常曝光,SNR间距一样indicate that SNR is shot noise limited.

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d*0
107
此楼堪称万佛一大奇楼,滴6页了居然还没歪
avatar
x5
108
不真空封装前面的玻璃就要结霜,看个头啊

【在 b*******t 的大作中提到】
: 但是感觉xenics没有真空封装阿好像
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b*n
109
photogear v5!
so hard to reply by kindle 3.

【在 d*****0 的大作中提到】
: 此楼堪称万佛一大奇楼,滴6页了居然还没歪
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a*e
110
who use SOI for sensor?
the backside series?

【在 b*******t 的大作中提到】
: SOI
avatar
a*e
111
所以上这个就是连续跑

【在 t****g 的大作中提到】
: 一分钟难呀。
: 我们楼下那个,降到-80C得20分钟才能稳定。

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a*e
112
够按的话,到达的光子数就有涨落,理想电路都没用

【在 b*******t 的大作中提到】
: 好像隐约记得电路里有个differentiator的trick可以改善shot noise的影响
:
: limited.

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h*g
113
五角兽此言在理

【在 x5 的大作中提到】
: 不真空封装前面的玻璃就要结霜,看个头啊
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a*a
114
dude, I don't think you understand that figure. it has nothing to do with
correctness of exposure. any exposure will have highlighs and shadows, unless it is an exposure of just a grey card. each of those curve spans the whole dynamic range of the image.
the horizontal is the brightness, the vertical is S/N. what it says is that
even at high ISO, highlights are still shot noise limited. but shadows are
read noise limited. while at low ISO, almost the entire dynamic range of the
image is shot noise limited.
To give some perspectives, there are fullwell and read noise data available
online measured by variuos authors. like ClarkVision, sensorgen. the data
are surpisingly consistent given they are produced by different person,
using different methods and with different sample cameras.
for 1Ds3, the fullwell is >60000 electrons, the read noise is about 5
electrons. that is at base ISO of 1000, overflow is 60000 electrons, shot
noise is about 250. This corresponds to the right end of the ISO100 curve.
If you find an area that is 5 stops below overflow, sorta the linear mid of
the dynamic range, you are still looking at a shot noise of 40. way above
the read noise of 5. This corresponds to the middle of the ISO100 curve.
each doubling of ISO takes the overflow down by 2. so at ISO 3200, overflow
is now 1800 electrons, with shot noise 40, still fair bit higher than the
read noise. this is again the right end of the ISO 3200 curve.
But when you look down again to areas at overflow - 5 stops, your signal is
down to 60 electrons, but you shot noise is down to 8 electrons, read noise
of 5 electrons now is significant. hence we are read noise limited. This is
the middle of the ISO3200 curve. Notice how the curves deviate from equally
space on the left half of the Figure? that is your shadow area.
going to ISO6400 in shadow area, we are going to be completely read noise
dominated.
so again, the right interpretation is that each curve dipicts the S/N as a
function of the location in the dynamic range of the image.
fortunately, read noise typically drops with gain! this can be seen from his
Figure 14, notice that when ISO doubles (gain doubles), read noise ADU does
not double. that means at high ISO, the read noise electron count is lower
than at base ISO.
This is why even at high ISO, highlight area looks very nice once we down
size the image from a high mega pixel camera. Because even those areas are
shot noise limited and shot noise reduces nicely with down sizing.
if we are shot noise limited at high ISO, we are only more so at low ISO,
which would mean read noise does not matter at all, which in turn makes it
stupid for the manufacturers to make any effort to reduce read noise. This
is against all common sense.
if you want to be shot noise limited at high ISO, you d have to make sure
every picture you take contains only hight lights, no shadows.

limited.

【在 l****g 的大作中提到】
: 可以读读这个,
: http://theory.uchicago.edu/~ejm/pix/20d/tests/noise/noise-p2.ht
: 理解fig12. 只要正常曝光,SNR间距一样indicate that SNR is shot noise limited.

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d*g
115
谁来解释一下MTF对ISO的影响。
DE或DQE比较容易理解一点。
CCD中的暗电流确实只有低温是比较好的办法,新材料或许有帮助吧。
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t*x
116
真他妈的民科。
我等工程师没饭吃了。
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