C*g
2 楼
目前的技术提高一档都难了
k*a
3 楼
beat 不多，至少补涨今天中概 average level
【在 w***s 的大作中提到】
: 148.68 +10.29 (7.44%)
【在 w***s 的大作中提到】
: 148.68 +10.29 (7.44%)
d*h
4 楼
技术肯定早就有了，100%的。关键是怎么把价格降下来。
【在 C*********g 的大作中提到】
: 目前的技术提高一档都难了
【在 C*********g 的大作中提到】
: 目前的技术提高一档都难了
a*n
5 楼
150的CALL 明天能有赚吗？
【在 w***s 的大作中提到】
: 148.68 +10.29 (7.44%)
【在 w***s 的大作中提到】
: 148.68 +10.29 (7.44%)
v*n
6 楼
上次板上讨论不是说了么，大不了折腾散热。。
【在 C*********g 的大作中提到】
: 目前的技术提高一档都难了
【在 C*********g 的大作中提到】
: 目前的技术提高一档都难了
d*4
7 楼
可能还是要见外婆，不过大盘很强的话5X都有可能
【在 a*****n 的大作中提到】
: 150的CALL 明天能有赚吗？
C*g
8 楼
D800 log(7360×4912×6400) = 11.364
D3S log(4256×2832×25600) = 11.489
5D3 log(5760×3840×25600) = 11.753
A99 log(6048×4032×25600) = 11.793
1DX log(5184×3456×51200) = 11.963
D3S log(4256×2832×25600) = 11.489
5D3 log(5760×3840×25600) = 11.753
A99 log(6048×4032×25600) = 11.793
1DX log(5184×3456×51200) = 11.963
d*4
9 楼
beat那么一点，也就涨了10块，
明天大盘不好，说不定涨个5块就over了
明天大盘不好，说不定涨个5块就over了
R*a
10 楼
做好分光，直接提升1.6档
【在 C*********g 的大作中提到】
: D800 log(7360×4912×6400) = 11.364
: D3S log(4256×2832×25600) = 11.489
: 5D3 log(5760×3840×25600) = 11.753
: A99 log(6048×4032×25600) = 11.793
: 1DX log(5184×3456×51200) = 11.963
【在 C*********g 的大作中提到】
: D800 log(7360×4912×6400) = 11.364
: D3S log(4256×2832×25600) = 11.489
: 5D3 log(5760×3840×25600) = 11.753
: A99 log(6048×4032×25600) = 11.793
: 1DX log(5184×3456×51200) = 11.963
b*t
11 楼
赚是肯定的，多少的问题，怕的话开盘就卖肯定能赚一点
【在 a*****n 的大作中提到】
: 150的CALL 明天能有赚吗？
【在 a*****n 的大作中提到】
: 150的CALL 明天能有赚吗？
a*e
12 楼
3CCD?
【在 R***a 的大作中提到】
: 做好分光，直接提升1.6档
【在 R***a 的大作中提到】
: 做好分光，直接提升1.6档
r*c
13 楼
不一定
如果现在价格到明天开盘148，估计是。40
亏的
【在 b**********t 的大作中提到】
: 赚是肯定的，多少的问题，怕的话开盘就卖肯定能赚一点
如果现在价格到明天开盘148，估计是。40
亏的
【在 b**********t 的大作中提到】
: 赚是肯定的，多少的问题，怕的话开盘就卖肯定能赚一点
C*g
14 楼
QE 目前最高的是S100 CMOS的 52%，提高到100%是不可能的事情。
D800 CMOS QE是 44%。
量子噪声不可能消除。别告诉我你用穆森保尔效应，整个晶体块承受单个光子的冲量。
【在 v****n 的大作中提到】
: 上次板上讨论不是说了么，大不了折腾散热。。
D800 CMOS QE是 44%。
量子噪声不可能消除。别告诉我你用穆森保尔效应，整个晶体块承受单个光子的冲量。
【在 v****n 的大作中提到】
: 上次板上讨论不是说了么，大不了折腾散热。。
w*i
15 楼
比较弱，不过开盘应该有买盘拉高
嘿嘿，不用太担心了
【在 r****c 的大作中提到】
: 不一定
: 如果现在价格到明天开盘148，估计是。40
: 亏的
嘿嘿，不用太担心了
【在 r****c 的大作中提到】
: 不一定
: 如果现在价格到明天开盘148，估计是。40
: 亏的
C*y
16 楼
cooled -20度，噪声立马降一个数量级。
d*4
17 楼
明天可能熊熊来cover才能创新高
【在 w*********i 的大作中提到】
: 比较弱，不过开盘应该有买盘拉高
: 嘿嘿，不用太担心了
C*g
18 楼
看来以后最好快门能释放液氮，每按一下就喷一点给CMOS降一下温。
【在 C*********y 的大作中提到】
: cooled -20度，噪声立马降一个数量级。
【在 C*********y 的大作中提到】
: cooled -20度，噪声立马降一个数量级。
j*c
19 楼
电磁降噪就可以，不需要液氮
【在 C*********g 的大作中提到】
: 看来以后最好快门能释放液氮，每按一下就喷一点给CMOS降一下温。
【在 C*********g 的大作中提到】
: 看来以后最好快门能释放液氮，每按一下就喷一点给CMOS降一下温。
b*r
20 楼
啥是穆森保尔效应啊，google都搜不到……
【在 C*********g 的大作中提到】
: QE 目前最高的是S100 CMOS的 52%，提高到100%是不可能的事情。
: D800 CMOS QE是 44%。
: 量子噪声不可能消除。别告诉我你用穆森保尔效应，整个晶体块承受单个光子的冲量。
【在 C*********g 的大作中提到】
: QE 目前最高的是S100 CMOS的 52%，提高到100%是不可能的事情。
: D800 CMOS QE是 44%。
: 量子噪声不可能消除。别告诉我你用穆森保尔效应，整个晶体块承受单个光子的冲量。
C*g
21 楼
核磁共振里面的“穆斯堡尔”效应，也有翻译叫“穆森保尔”的。
【在 b****r 的大作中提到】
: 啥是穆森保尔效应啊，google都搜不到……
【在 b****r 的大作中提到】
: 啥是穆森保尔效应啊，google都搜不到……
l*x
22 楼
QE 指光子到激发电子的转换效率，和噪声更本没啥关系。
CMOS的噪声来源于热噪声和暗电流，不知道量子噪声从何而来。
【在 C*********g 的大作中提到】
: QE 目前最高的是S100 CMOS的 52%，提高到100%是不可能的事情。
: D800 CMOS QE是 44%。
: 量子噪声不可能消除。别告诉我你用穆森保尔效应，整个晶体块承受单个光子的冲量。
CMOS的噪声来源于热噪声和暗电流，不知道量子噪声从何而来。
【在 C*********g 的大作中提到】
: QE 目前最高的是S100 CMOS的 52%，提高到100%是不可能的事情。
: D800 CMOS QE是 44%。
: 量子噪声不可能消除。别告诉我你用穆森保尔效应，整个晶体块承受单个光子的冲量。
l*x
23 楼
你够能忽悠的。核磁共振(knight shift, 1/T1T relaxation)和穆斯堡尔效应一点关系
都没有。一个是电磁波段,一个是gama射线共振吸收,能量差N个量级。
【在 C*********g 的大作中提到】
: 核磁共振里面的“穆斯堡尔”效应，也有翻译叫“穆森保尔”的。
都没有。一个是电磁波段,一个是gama射线共振吸收,能量差N个量级。
【在 C*********g 的大作中提到】
: 核磁共振里面的“穆斯堡尔”效应，也有翻译叫“穆森保尔”的。
a*a
24 楼
他可能指的是 shot noise：如果平均每个像素收集到N个光子，则像素间光子数的涨落
为 sqrt(N)。
之所以幅面越大，高感越好，就是因为幅面大则全画面总光子数N大，总体信噪比 ＝ N
/sqrt(N) 就大。
在低ISO，和高ISO的亮部，诸如热噪声和暗电流都远小于shot noise，shot noise 是
决定画面噪声质量的唯一因素。只有在极高感和动态范围的最底部，读出噪声等才成为
主要的噪声源。
减小shot noise的唯一途径是提高QE。
shot noise 主导的情况下，单位面积信噪比和像素数无关。
粗略地比较shot noise 和read noise。根据网上的数据（多个不同出处）5D2在ISO100
下溢出时每个像素输出约64000个电子。溢出下两档，是16000个电子，shot noise ~
400。read noise大约是5个电子左右，在这个情况下可以根本忽略。ISO3200时溢出下
两档输出约500个电子，shot noise ~20，仍然比read noise 大很多。
【在 l*x 的大作中提到】
: QE 指光子到激发电子的转换效率，和噪声更本没啥关系。
: CMOS的噪声来源于热噪声和暗电流，不知道量子噪声从何而来。
为 sqrt(N)。
之所以幅面越大，高感越好，就是因为幅面大则全画面总光子数N大，总体信噪比 ＝ N
/sqrt(N) 就大。
在低ISO，和高ISO的亮部，诸如热噪声和暗电流都远小于shot noise，shot noise 是
决定画面噪声质量的唯一因素。只有在极高感和动态范围的最底部，读出噪声等才成为
主要的噪声源。
减小shot noise的唯一途径是提高QE。
shot noise 主导的情况下，单位面积信噪比和像素数无关。
粗略地比较shot noise 和read noise。根据网上的数据（多个不同出处）5D2在ISO100
下溢出时每个像素输出约64000个电子。溢出下两档，是16000个电子，shot noise ~
400。read noise大约是5个电子左右，在这个情况下可以根本忽略。ISO3200时溢出下
两档输出约500个电子，shot noise ~20，仍然比read noise 大很多。
【在 l*x 的大作中提到】
: QE 指光子到激发电子的转换效率，和噪声更本没啥关系。
: CMOS的噪声来源于热噪声和暗电流，不知道量子噪声从何而来。
B*G
25 楼
说的很专业，不过减小shot noise除了提高QE，另外很重要的是降低光路attenuation
，把分光镜拿掉。你的read noise五个电子是怎么估计出来的啊
N
ISO100
【在 a*********a 的大作中提到】
: 他可能指的是 shot noise：如果平均每个像素收集到N个光子，则像素间光子数的涨落
: 为 sqrt(N)。
: 之所以幅面越大，高感越好，就是因为幅面大则全画面总光子数N大，总体信噪比 ＝ N
: /sqrt(N) 就大。
: 在低ISO，和高ISO的亮部，诸如热噪声和暗电流都远小于shot noise，shot noise 是
: 决定画面噪声质量的唯一因素。只有在极高感和动态范围的最底部，读出噪声等才成为
: 主要的噪声源。
: 减小shot noise的唯一途径是提高QE。
: shot noise 主导的情况下，单位面积信噪比和像素数无关。
: 粗略地比较shot noise 和read noise。根据网上的数据（多个不同出处）5D2在ISO100
，把分光镜拿掉。你的read noise五个电子是怎么估计出来的啊
N
ISO100
【在 a*********a 的大作中提到】
: 他可能指的是 shot noise：如果平均每个像素收集到N个光子，则像素间光子数的涨落
: 为 sqrt(N)。
: 之所以幅面越大，高感越好，就是因为幅面大则全画面总光子数N大，总体信噪比 ＝ N
: /sqrt(N) 就大。
: 在低ISO，和高ISO的亮部，诸如热噪声和暗电流都远小于shot noise，shot noise 是
: 决定画面噪声质量的唯一因素。只有在极高感和动态范围的最底部，读出噪声等才成为
: 主要的噪声源。
: 减小shot noise的唯一途径是提高QE。
: shot noise 主导的情况下，单位面积信噪比和像素数无关。
: 粗略地比较shot noise 和read noise。根据网上的数据（多个不同出处）5D2在ISO100
a*a
26 楼
read noise 和 全井都不是我的，看的clarkvision 或 sensorgen 的数据，具体记不
太清，但数量级肯定是对的。
attenuation
【在 B*G 的大作中提到】
: 说的很专业，不过减小shot noise除了提高QE，另外很重要的是降低光路attenuation
: ，把分光镜拿掉。你的read noise五个电子是怎么估计出来的啊
:
: N
: ISO100
太清，但数量级肯定是对的。
attenuation
【在 B*G 的大作中提到】
: 说的很专业，不过减小shot noise除了提高QE，另外很重要的是降低光路attenuation
: ，把分光镜拿掉。你的read noise五个电子是怎么估计出来的啊
:
: N
: ISO100
a*e
27 楼
单位面积不变，象素多了，单像素就少了
每个像素的溢出限和象素大小是有关的
不知道你这个像素数无关是怎么来的
N
ISO100
【在 a*********a 的大作中提到】
: 他可能指的是 shot noise：如果平均每个像素收集到N个光子，则像素间光子数的涨落
: 为 sqrt(N)。
: 之所以幅面越大，高感越好，就是因为幅面大则全画面总光子数N大，总体信噪比 ＝ N
: /sqrt(N) 就大。
: 在低ISO，和高ISO的亮部，诸如热噪声和暗电流都远小于shot noise，shot noise 是
: 决定画面噪声质量的唯一因素。只有在极高感和动态范围的最底部，读出噪声等才成为
: 主要的噪声源。
: 减小shot noise的唯一途径是提高QE。
: shot noise 主导的情况下，单位面积信噪比和像素数无关。
: 粗略地比较shot noise 和read noise。根据网上的数据（多个不同出处）5D2在ISO100
每个像素的溢出限和象素大小是有关的
不知道你这个像素数无关是怎么来的
N
ISO100
【在 a*********a 的大作中提到】
: 他可能指的是 shot noise：如果平均每个像素收集到N个光子，则像素间光子数的涨落
: 为 sqrt(N)。
: 之所以幅面越大，高感越好，就是因为幅面大则全画面总光子数N大，总体信噪比 ＝ N
: /sqrt(N) 就大。
: 在低ISO，和高ISO的亮部，诸如热噪声和暗电流都远小于shot noise，shot noise 是
: 决定画面噪声质量的唯一因素。只有在极高感和动态范围的最底部，读出噪声等才成为
: 主要的噪声源。
: 减小shot noise的唯一途径是提高QE。
: shot noise 主导的情况下，单位面积信噪比和像素数无关。
: 粗略地比较shot noise 和read noise。根据网上的数据（多个不同出处）5D2在ISO100
P*L
28 楼
S100 威武！
【在 C*********g 的大作中提到】
: QE 目前最高的是S100 CMOS的 52%，提高到100%是不可能的事情。
: D800 CMOS QE是 44%。
: 量子噪声不可能消除。别告诉我你用穆森保尔效应，整个晶体块承受单个光子的冲量。
【在 C*********g 的大作中提到】
: QE 目前最高的是S100 CMOS的 52%，提高到100%是不可能的事情。
: D800 CMOS QE是 44%。
: 量子噪声不可能消除。别告诉我你用穆森保尔效应，整个晶体块承受单个光子的冲量。
x5
29 楼
呼唤老蓝
【在 C*********g 的大作中提到】
: 核磁共振里面的“穆斯堡尔”效应，也有翻译叫“穆森保尔”的。
【在 C*********g 的大作中提到】
: 核磁共振里面的“穆斯堡尔”效应，也有翻译叫“穆森保尔”的。
a*e
30 楼
read noise应该和iso有关系的
【在 a*********a 的大作中提到】
: read noise 和 全井都不是我的，看的clarkvision 或 sensorgen 的数据，具体记不
: 太清，但数量级肯定是对的。
:
: attenuation
【在 a*********a 的大作中提到】
: read noise 和 全井都不是我的，看的clarkvision 或 sensorgen 的数据，具体记不
: 太清，但数量级肯定是对的。
:
: attenuation
a*a
31 楼
我原帖算术有错，16000个电子，shot noise 是130。你提出的几点：
1。read noise 和ISO的关系：如果你看sensorgen，clarkvision的数据，read noise
随ISO增高而减小。http://sensorgen.info/CanonEOS_5D_MkII.html
2。shot noise dominate 时单位面积信噪比和像素数无关。基本推导很简单。设两个
像素的信号值为 n1，n2，shot noise: s1＝sqrt(n1)，s2=sqrt(n2)。
后期缩图近似于将两个像素平均：n=(n1+n2)/2，噪声为 s = sqrt(s1^2+s2^2)/2 =
sqrt(n1+n2) /2 = sqrt(n)/2。信噪比为 n/sqrt(n）。
大像素，相当与一个像素覆盖原先两个像素的面积，所以n = n1+n2个光子全部被这一
个大像素接收，shot noise = sqrt(n)。信噪比：n/sqrt(n)。和后期缩图效果完全一
样。
前期pixel binning 的优势在于合并后的模拟信号更强，虽然shot noise 一样，但是
可以只受一次read noise 影响。后期缩图，每个pixel的信号都受到一次read noise影
响。
3。小像素的全井容量（溢出）比大像素低。但是只要QE相同，像素合并（缩图）之后
，也就是单位面积计，信噪比还是一样的。而QE和像素面积的关系并不明确。
所以，在shot noise dominate的情况下，“单位面积”噪声表现和像素大小无关。而
极大部分情况下，都是shot noise dominate。
【在 a***e 的大作中提到】
: 单位面积不变，象素多了，单像素就少了
: 每个像素的溢出限和象素大小是有关的
: 不知道你这个像素数无关是怎么来的
:
: N
: ISO100
1。read noise 和ISO的关系：如果你看sensorgen，clarkvision的数据，read noise
随ISO增高而减小。http://sensorgen.info/CanonEOS_5D_MkII.html
2。shot noise dominate 时单位面积信噪比和像素数无关。基本推导很简单。设两个
像素的信号值为 n1，n2，shot noise: s1＝sqrt(n1)，s2=sqrt(n2)。
后期缩图近似于将两个像素平均：n=(n1+n2)/2，噪声为 s = sqrt(s1^2+s2^2)/2 =
sqrt(n1+n2) /2 = sqrt(n)/2。信噪比为 n/sqrt(n）。
大像素，相当与一个像素覆盖原先两个像素的面积，所以n = n1+n2个光子全部被这一
个大像素接收，shot noise = sqrt(n)。信噪比：n/sqrt(n)。和后期缩图效果完全一
样。
前期pixel binning 的优势在于合并后的模拟信号更强，虽然shot noise 一样，但是
可以只受一次read noise 影响。后期缩图，每个pixel的信号都受到一次read noise影
响。
3。小像素的全井容量（溢出）比大像素低。但是只要QE相同，像素合并（缩图）之后
，也就是单位面积计，信噪比还是一样的。而QE和像素面积的关系并不明确。
所以，在shot noise dominate的情况下，“单位面积”噪声表现和像素大小无关。而
极大部分情况下，都是shot noise dominate。
【在 a***e 的大作中提到】
: 单位面积不变，象素多了，单像素就少了
: 每个像素的溢出限和象素大小是有关的
: 不知道你这个像素数无关是怎么来的
:
: N
: ISO100
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