Leica M的cmos是法国公司做的# PhotoGear - 摄影器材
G*s
1 楼
x5
2 楼
ST Micro啊，这个很牛的，现在基本垄断MEMS gyro的市场了
【在 G*s 的大作中提到】
: http://leicarumors.com/2012/09/19/the-24mp-max-sensor-inside-th
: 不知效果会怎么样。
【在 G*s 的大作中提到】
: http://leicarumors.com/2012/09/19/the-24mp-max-sensor-inside-th
: 不知效果会怎么样。
d*n
3 楼
这事什么市场
【在 x5 的大作中提到】
: ST Micro啊，这个很牛的，现在基本垄断MEMS gyro的市场了
【在 x5 的大作中提到】
: ST Micro啊，这个很牛的，现在基本垄断MEMS gyro的市场了
s*g
4 楼
这是啥东西啊，卷饼？
【在 x5 的大作中提到】
: ST Micro啊，这个很牛的，现在基本垄断MEMS gyro的市场了
【在 x5 的大作中提到】
: ST Micro啊，这个很牛的，现在基本垄断MEMS gyro的市场了
t*g
5 楼
意法半导体？一般吧，arm工控chip方面好像拼不过nxp还有其他几家。
【在 x5 的大作中提到】
: ST Micro啊，这个很牛的，现在基本垄断MEMS gyro的市场了
【在 x5 的大作中提到】
: ST Micro啊，这个很牛的，现在基本垄断MEMS gyro的市场了
x5
6 楼
http://www.ifixit.com/Teardown/iPhone-4-Gyroscope-Teardown/3156
科普一下吧
【在 s******g 的大作中提到】
: 这是啥东西啊，卷饼？
科普一下吧
【在 s******g 的大作中提到】
: 这是啥东西啊，卷饼？
s*g
7 楼
文科生泪奔飘过
【在 x5 的大作中提到】
: http://www.ifixit.com/Teardown/iPhone-4-Gyroscope-Teardown/3156
: 科普一下吧
【在 x5 的大作中提到】
: http://www.ifixit.com/Teardown/iPhone-4-Gyroscope-Teardown/3156
: 科普一下吧
x5
8 楼
问题是做传感器用不着那么小的feature
看介绍这个芯片是90nm/110nm的工艺出来的，足够了
卖点是微透镜，这还是 MEMS的本行
【在 t****g 的大作中提到】
: 意法半导体？一般吧，arm工控chip方面好像拼不过nxp还有其他几家。
看介绍这个芯片是90nm/110nm的工艺出来的，足够了
卖点是微透镜，这还是 MEMS的本行
【在 t****g 的大作中提到】
: 意法半导体？一般吧，arm工控chip方面好像拼不过nxp还有其他几家。
t*g
9 楼
他这个为透镜能这么做是因为可以把cmos上面的epi layer做薄，本质上说就是每个
pixel的NA能更大。
【在 x5 的大作中提到】
: 问题是做传感器用不着那么小的feature
: 看介绍这个芯片是90nm/110nm的工艺出来的，足够了
: 卖点是微透镜，这还是 MEMS的本行
pixel的NA能更大。
【在 x5 的大作中提到】
: 问题是做传感器用不着那么小的feature
: 看介绍这个芯片是90nm/110nm的工艺出来的，足够了
: 卖点是微透镜，这还是 MEMS的本行
R*a
10 楼
sony pdf里说现在sony所有芯片厂都是60nm工艺。
然后stacked cmos就是为了周边电路上用45nm工艺
【在 x5 的大作中提到】
: 问题是做传感器用不着那么小的feature
: 看介绍这个芯片是90nm/110nm的工艺出来的，足够了
: 卖点是微透镜，这还是 MEMS的本行
然后stacked cmos就是为了周边电路上用45nm工艺
【在 x5 的大作中提到】
: 问题是做传感器用不着那么小的feature
: 看介绍这个芯片是90nm/110nm的工艺出来的，足够了
: 卖点是微透镜，这还是 MEMS的本行
x5
11 楼
我觉得是做成非球的了，也是提高NA
【在 t****g 的大作中提到】
: 他这个为透镜能这么做是因为可以把cmos上面的epi layer做薄，本质上说就是每个
: pixel的NA能更大。
【在 t****g 的大作中提到】
: 他这个为透镜能这么做是因为可以把cmos上面的epi layer做薄，本质上说就是每个
: pixel的NA能更大。
x5
12 楼
Sony 用60 nm也不说明非60 nm不可
【在 R***a 的大作中提到】
: sony pdf里说现在sony所有芯片厂都是60nm工艺。
: 然后stacked cmos就是为了周边电路上用45nm工艺
【在 R***a 的大作中提到】
: sony pdf里说现在sony所有芯片厂都是60nm工艺。
: 然后stacked cmos就是为了周边电路上用45nm工艺
t*g
13 楼
感光芯片从来都是用淘汰工艺设备造。
【在 x5 的大作中提到】
: Sony 用60 nm也不说明非60 nm不可
【在 x5 的大作中提到】
: Sony 用60 nm也不说明非60 nm不可
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