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问一个micro fabrication 的问题！bow！！

问一个micro fabrication 的问题！bow！！# EE - 电子工程

x*32008-05-21 07:05

1 楼

现在有一个比较大的Fortran程序，好几百个个common块被在不同组合后，被好几百个
子程序使用，现在需要改写这个程序，每次这些common块都比较麻烦，改变一个往往的
一个一个子程序找着挨个儿改。想用module封装一下，可是觉得这样做了之后觉得每个
module里就列出几十个全局变量，似乎也没有好很多。而且工作量似乎很大，因为每个
common块在不同子程序中的变量名可能不一样，比如
在子程序A： common /blk1/ v1,v2,v3
在子程序B： common /blk1/ u1,u2,u3
这样一来，觉得动作还是比较大的，不知道有没有好的办法，大家给指点一下。谢谢了
。

f*k2008-05-21 07:05

2 楼

我的micro fabrication 的流程：
clean glass
e-beam deposit Ti 15nm on glass
e-beam deposit Au 150nm on top of Ti
spin coating photoresist on Au
develop 4 micro structures
wet etching Au and Ti
这样做出来的micro structure 一加电压Au就peel off了，为什么呢？
我看了文献，看很多人用sputtering 镀膜而不是 e-beam，然后 lift off 而不是wet
etching。他们那样做出来的micro structure 好像很robust。
不知道是不是我的流程有问题呢？

O*e2008-05-21 07:05

3 楼

module blk1
integer,parameter::n=. . .
real,dimension(1:n),public::w1,w2,w3
end module blk1
subroutine a(. . .)
use blk1,only:v1=>w1,v2=>w2,v3=>w3
. . .
return
end subroutine a
subroutine b(. . .)
use blk1,only:u1=>w1,u2=>w2,u3=>w3
. . .
return
end subroutine b

【在 x********3 的大作中提到】

: 现在有一个比较大的Fortran程序，好几百个个common块被在不同组合后，被好几百个
: 子程序使用，现在需要改写这个程序，每次这些common块都比较麻烦，改变一个往往的
: 一个一个子程序找着挨个儿改。想用module封装一下，可是觉得这样做了之后觉得每个
: module里就列出几十个全局变量，似乎也没有好很多。而且工作量似乎很大，因为每个
: common块在不同子程序中的变量名可能不一样，比如
: 在子程序A： common /blk1/ v1,v2,v3
: 在子程序B： common /blk1/ u1,u2,u3
: 这样一来，觉得动作还是比较大的，不知道有没有好的办法，大家给指点一下。谢谢了
: 。

f*k2008-05-21 07:05

4 楼

One thing I want to add is that after Au peeled off, Ti is still there.

wet

【在 f*****k 的大作中提到】

: 我的micro fabrication 的流程：
: clean glass
: e-beam deposit Ti 15nm on glass
: e-beam deposit Au 150nm on top of Ti
: spin coating photoresist on Au
: develop 4 micro structures
: wet etching Au and Ti
: 这样做出来的micro structure 一加电压Au就peel off了，为什么呢？
: 我看了文献，看很多人用sputtering 镀膜而不是 e-beam，然后 lift off 而不是wet
: etching。他们那样做出来的micro structure 好像很robust。

l*e2008-05-21 07:05

5 楼

try deposit Pt between Ti and Au?

f*k2008-05-21 07:05

6 楼

Why Pt?
Any other solutions? Thanks!

【在 l*******e 的大作中提到】

: try deposit Pt between Ti and Au?

l*e2008-05-21 07:05

7 楼

Try RTA.

l*e2008-05-21 07:05

8 楼

380C for 30s in RTA to improve adhesion.

f*k2008-05-21 07:05

9 楼

what do you mean RTA? Thanks!!

【在 l*******e 的大作中提到】

: 380C for 30s in RTA to improve adhesion.

l*e2008-05-21 07:05

10 楼

rapid thermal annealing

f*k2008-05-21 07:05

11 楼

Thanks!
Are you doing the similiar project now?
The experiment part in our lab is very weak, and I struggled a lot！

【在 l*******e 的大作中提到】

: rapid thermal annealing

l*e2008-05-21 07:05

12 楼

That's very basic fab process.
If you don't have RTA in your lab, you may try a hot plate, or even a solder
.

f*k2008-05-21 07:05

13 楼

Got you!

solder

【在 l*******e 的大作中提到】

: That's very basic fab process.
: If you don't have RTA in your lab, you may try a hot plate, or even a solder
: .

f*k2008-05-21 07:05

14 楼

Do you have any papers on this part so that I can follow?
Thank you.

solder

【在 l*******e 的大作中提到】

: That's very basic fab process.
: If you don't have RTA in your lab, you may try a hot plate, or even a solder
: .

l*e2008-05-21 07:05

15 楼

As I said, that's very basic fab process, so people usually just mention it
with a few words in their paper. You can easily google it.

f*k2008-05-21 07:05

16 楼

Sorry one more damn question.
should I anneal it before etching or after etching?

it

【在 l*******e 的大作中提到】

: As I said, that's very basic fab process, so people usually just mention it
: with a few words in their paper. You can easily google it.

l*e2008-05-21 07:05

17 楼

Usually after, just try.

f*k2008-05-21 07:05

18 楼

ok!

【在 l*******e 的大作中提到】

: Usually after, just try.

r*t2008-05-21 07:05

19 楼

lift off will be better choice in this case, even just standard e-beam
deposition

wet

【在 f*****k 的大作中提到】

f*k2008-05-21 07:05

20 楼

could you please explain a little bit about why liftoff is better? This
question has bothered me a long time.
Thanks!!!

【在 r******t 的大作中提到】

: lift off will be better choice in this case, even just standard e-beam
: deposition
:
: wet

b*n2008-05-21 07:05

21 楼

try Cr as the buffer layer might be helpful.

R*a2008-05-21 07:05

22 楼

What I know is the following procedure can get quite good gold film.
(One difference from your structure is silicon substrate is used instead of
glass. You may try silicon substrate.)
e-beam deposit 50~60A (5~6nm) Cr, then e-beam deposit gold (up to several
hundred (300 most of the time) nm, thicker film has not been tried to due to
cost concerns, not technical concerns.)
You may check other references to see whether or not Ti has adhesion problem
with Au.
If you have adhesion problem, lift-off

【在 f*****k 的大作中提到】

f*k2008-05-21 07:05

23 楼

annealing does work! Thanks!!

【在 l*******e 的大作中提到】

: Usually after, just try.