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NAND供货吃紧 价格难回头; Mu, AMAT一年内问题不大
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NAND供货吃紧 价格难回头; Mu, AMAT一年内问题不大# Stock
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1)储存型闪存(NAND Flash)供货吃紧状况可望于明年首季纾解,近期三星等大厂积极
转进3D NAND Flash制造,但3D NAND Flash生产设备无法再转回生产DRAM,加上主要
DRAM厂仍采节制性增产, 预估明年DRAM市场仍将供不应求,并摆脱过往景气起伏牵绊
,成为重要的半导体组件。
内存业者强调,DRAM价格从去年下半年起开始上扬,截至今年第4季已连六季涨价,下
季韩系二大厂仍续涨5%,将写下创下史上最长涨价纪录。
反观NAND Flash明年首季面临价格回调压力,但过往2D NAND Flash市况不佳,相关机
台可以转回生产DRAM,导致DRAM产出大增的问题,现在则不再复见,对整体DRAM市况是
好事一桩。
业界分析,包括三星等大厂都积极挥军3D NAND Flash新技术,但3D NAND Flash的设备
,无法如过去快速转换生产DRAM,在制程转换难度升高,以及DRAM应用端扩大,加上中
国大陆目前仍无法取得技术授权下, 未来几年DRAM厂都会维持稳定获利局面。
至于韩系大厂扩厂,是否会导致DRAM价格修正? 业者分析,目前三星和SK海力士宣布
投入增产的资本支出,多用于先完成土建等厂房建设,未来视情况再增加机台,以目前
DRAM的寡占局面,主要大厂仍谨守节制性增产的原则,维持DRAM业务稳定获利,作为在
3D NAND Flash争战的凭借,因此,DRAM价格下修的可能性很低。
经济日报
2)中国反垄断机构关注DRAM连涨七个季度,何处是尽头?
自去年二季度起,DRAM(主要包括PC内存、移动式内存、服务器内存)产业营收都在一
路飙升,每个季度都在刷新销售额纪录。研究机构IC Insights预测,DRAM2017年全年
市场规模增速将达到74%,而上一次这样的盛景出现,还是在23年前。
近日,据台湾DRAM相关厂商透露,三星、海力士陆续通知明年首季调涨DRAM售价3%-5%
,这意味着明年全球DRAM价格将继续保持上扬态势,而连续七季的上扬也将是历来涨势
最久的一次。
与此同时,据集微网了解,过去几个月不断有终端厂商向发改委反映,据传发改委近期
已经开始关注产业的相关动态,不排除未来对DRAM进行调查以确定是否存在垄断行为的
可能。
围绕着此轮DRAM产业的上涨行情,无论是“供需论”还是“垄断说”,在DRAM一路疯涨
的背后,展现的是耐人寻味的众生相,有需求者的无奈,领军者的得意,入局者的尴尬
以及监管者的警觉。
长期以来,DRAM行业一直由三强把持。韩国的三星电子(以下简称三星)、SK海力士(
以下简称海力士)以及美国的美光科技(以下简称美光)拥有该领域的绝对话语权,三
者的座次也相对固定。2017年三季度数据显示,这三家企业的营收市占率分别为45.8%
、28.7%和21.0%,共豪取九成份额。
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