三星减产DRAM的原因曝光

韩媒传出，三星电子(Samsung Electronics Co.)降低DRAM成本的速度变慢，可能是公司决定减产的主因。

南韩媒体The Elec 14日报导，消息显示，三星导入更先进制程以降低DRAM成本的速度趋缓，恐怕是该公司不得不跟进美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)减产的原因。倘若引入先进制程、降低成本的速度能快一些，三星或许就不必减产，还可趁着产业景气衰退之际扩大市占。

据报导，三星抢在对手之前采用极紫外光(EUV)微影设备，可能也是重创利润的原因。EUV制程昂贵，目前还无法发挥最大潜能。不过，三星提早采用EUV，未来提升生产力的速率也会比对手快。

对于10纳米范围的DRAM，记忆体商一般不会揭露精确节点，而是称之为1x (第一代)、1y (第二代)、1z (第三代)纳米。其中，1z大约介于13~11纳米。业者也于最近发表第四代的1a纳米。

根据集邦科技统计，去(2022)年第四季美光的1a纳米DRAM市占率为45.9%、SK海力士为20.8%、三星为5.7%。同期间内，1z纳米DRAM市占排名则依序为三星(46.1%)、SK海力士(32.3%)、美光(29.9%)。美光制造的1a DRAM比竞争对手多，主因该公司并未采用EUV、而是使用多重图案化(multiple patterning；MP)技术。美光预定2024年才会在1c纳米使用EUV。

The Elec引述消息人士指出，三星过去都能抢在对手前克服挑战、维系领导地位，如今却频频提及EUV和摩尔定律已死，这些其实都是「借口」。部分内部人甚至说，过去五年三星在研发新技术方面有点懈怠；该公司刚开始制造双栈(double-stack) NAND型快闪记忆体(V7)时也遇到困难。

三星电子4月7日发表2023年第一季初步财报时曾宣布大幅削减记忆体产量，理由是全球需求低迷，客户因库存充足而放慢采购。

SK海力士副董事长Park Jung-ho 3月29日在股东大会上宣布下砍营业支出计画，为十年以来头一遭。他说，该公司过去曾积极投资扩产，但现在准备以更具弹性的方式调整产能策略。他表示，「我们去年的资本支出多达19兆韩圜(相当于146亿美元)，今年准备删减一半以上。」

Park以囚徒困境(prisoner's dilemma，指个人的选择不符团体最佳利益)来形容DRAM产业持续衰退的现象。他说，「即便我们一再重申不跟进，客户参与赛局的方式依旧犹如囚徒困境。每当产业景气下滑，过剩的芯片供给终将导致价格跌势恶化。」

三星要拼命降产能：持续6个月之久

三星电子日前公布的财报显示，受存储芯片需求及价格持续下滑影响，今年一季度三星销售额下滑19%、净利润更是同比暴跌95%，创2009年金融危机以来最低。

为了挽回业绩下滑的颓势，三星作为三巨头中的最后一家也终于服软，宣布对存储芯片进行减产，这也是自1998年金融危机以来，三星时隔25年首次正式进行减产。

此前三星的说法是减产将集中在那些供应有保障的产品上，据DT报道，此次减产将聚焦在DDR4 DRAM芯片上。

具体来说，主要受减产影响的将是韩国华城园区内的DRAM产线，预计持续3至6个月的时间，与2022年2月和3月的产能水平相比，三星的晶圆总投入量将减少5-7%。

资料显示，当前，韩国三星在其华城和平泽园区内共有6条DRAM生产线。其中，DDR4等标准型产品主要在华城生产，而DDR5、LPDDR5等高端产品则是主要在平泽园区产线生产。

当然，三星强调，减产总的来说是短期行为，公司对半导体存储芯片的长期投资不会改变。

市场研究公司TrendForce在之前发布一份报告中表示，三星在2023年第二季的DRAM产量（以 12 吋晶圆计算） 将减少至60.8万片，这也代表着此前技术性减产的幅度已经高达9.25%。

市场人士预计，对比2022年，三星的DRAM产量今年将减少最高25%。

去年，三星在DRAM和NAND芯片市场的份额分别高达45.1%和33.8%，是毫无争议的第一巨头。

*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。

今天是《半导体行业观察》为您分享的第3373内容，欢迎关注。