美光将向英伟达供应HBM

美光重申计划于 2024 年初开始大批量发货 HBM3E 内存，同时还透露 NVIDIA 是其新型 RAM 的主要客户之一。同时，该公司强调其新产品受到了整个行业的极大兴趣，这暗示 NVIDIA 可能不是唯一最终使用美光 HBM3E 的客户。

美光公司总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra 在公司财报电话会议上表示：“我们的 HBM3E 产品系列的推出引起了客户的浓厚兴趣和热情。”

领先于竞争对手三星和 SK 海力士推出 HBM3E（该公司也称为HBM3 Gen2）对于美光来说是一件大事，美光在 HBM 市场上处于劣势，市场份额为 10%。该公司显然对 HBM3E 寄予厚望，因为这可能使其能够领先于竞争对手（赢得市场份额）提供优质产品（以提高收入和利润）。

通常情况下，内存制造商往往不会透露其客户的姓名，但这一次美光强调其 HBM3E 是其客户路线图的一部分，并特别提到 NVIDIA 是其盟友。与此同时，NVIDIA 迄今为止宣布的唯一支持 HBM3E 的产品是Grace Hopper GH200计算平台，该平台配备 H100 计算 GPU 和 Grace CPU。

Mehrotra 表示：“在整个开发过程中，我们一直与客户密切合作，并正在成为他们的人工智能路线图上紧密结合的合作伙伴。” “美光 HBM3E 目前已获得 NVIDIA 计算产品的资格，这将推动 HBM3E 驱动的人工智能解决方案。”

美光的 24 GB HBM3E 模块基于八个堆叠 24Gbit 内存芯片，采用该公司的 1β (1-beta) 制造工艺制造。这些模块的数据速率高达 9.2 GT/秒，使每个堆栈的峰值带宽达到 1.2 TB/s，比现有最快的 HBM3 模块提高了 44%。与此同时，该公司不会停止其基于 8-Hi 24 Gbit 的 HBM3E 组件。该公司宣布，继开始量产 8-Hi 24GB 堆栈后，计划于 2024 年推出超大容量 36 GB 12-Hi HBM3E 堆栈。

美光首席执行官补充道：“我们预计将于 2024 年初开始 HBM3E 的生产，并在 2024 财年实现可观的收入。”

美光128 GB DDR5 内存模块送样

美光科技在本周的财报电话会议上表示，该公司正在对 128 GB DDR5 内存模块进行送样，这些模块基于该公司最新的单芯片、非堆叠32 Gb DDR5 内存设备，该公司于今年夏天早些时候宣布推出该设备，最终将为服务器打开 1 TB 内存模块的大门。

美光总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra 表示：“我们通过基于单片芯片的 128 GB 模块扩展了我们的高容量 D5 DRAM 模块产品组合，并且我们已开始向客户提供样品，以帮助支持他们的 AI 应用需求。” “我们预计该产品将在 2024 年第二季度实现收入。”

美光的 32 Gb DDR5 芯片采用该公司的 1β (1-beta) 制造工艺制造，这是仅依赖深紫外 (DUV) 光刻多重图案化且不使用极紫外 (EUV) 光刻工具的最后一个生产节点。不过，这就是我们目前对美光 32 Gb DDR5 IC 的了解：该公司没有透露其最大速度档，但我们可以预期，与在相同电压下运行的两个 16 Gb DDR5 IC 相比，功耗会有所下降。数据传输率。

美光的新型 32 Gb 内存芯片为创建仅包含 8 个独立内存芯片的个人电脑标准 32 GB 模块以及基于 32 个此类 IC 的面向服务器的 128 GB 模块铺平了道路。此外，这些芯片使得生产 1 TB 容量的内存模块成为可能，而这在今天看来是无法实现的。这些 1 TB 模块目前看来有些过大，但它们有利于人工智能、大数据和服务器数据库等领域。此类模块可以使服务器每个插槽支持高达 12 TB 的 DDR5 内存（在 12 通道内存子系统的情况下）。

总体而言，就DDR5内存而言，值得注意的是，该公司预计2024年初DDR5的位产量将超过DDR4，稍稍领先于行业。

“美光在向 D5 的行业转型中也拥有强大的地位， ”Mehrotra 说。“我们预计美光 D5 销量将在 2024 年初超越 D4，领先于行业。”

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