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三星与SK海力士角逐CXL

三星与SK海力士角逐CXL

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来源:内容由半导体行业观察(ID:icbank)编译自borneobulletin ,谢谢。

韩国芯片竞争对手三星电子和 SK 海力士之间的竞争正在升温,以在持续的高带宽内存芯片霸主战争中抢占 Compute Express Link(CXL)技术的领先地位。尽管市场仍处于起步阶段,但这两家全球 DRAM 领导者都将 CXL 视为潜在的游戏规则改变者。


CXL 是处理器和加速器、内存缓冲区和智能设备等设备之间开放的、业界支持的互连。它被认为是一项关键技术,可实现高速、低延迟通信,同时将内存容量和带宽扩展至远远超出当今的水平。


由新技术主要开发商美国科技巨头英特尔领导的 CXL 联盟成立于 2019 年 3 月。三星、SK、Nvidia 和 AMD 等公司于 2022 年 1 月加入董事会,并做出了贡献通过推出新产品来扩大市场。


三星于 2021 年 5 月开发了业界首款基于 CXL 的 DRAM 技术,引领下一代内存的商业化。开发两年后,三星宣布计划开始大规模生产基于 CXL 的 128 GB CXL DRAM。今年英特尔将推出先进的CXL 2.0接口,预计明年上半年将发布其首款商用中央处理器Sierra Forest芯片。


本月早些时候,这家科技巨头还推出了基于开源的软件解决方案,以扩展其 CXL 生态系统。此外,该公司还暗示其正在研究构建内存处理(PIM)架构。它被称为使用CXL接口的CXL DRAM中的智能存储器。


一些市场观察人士评估称,三星最近在 HBM 芯片开发方面落后于 SK。他们表示,为了避免在 CXL 开发中重蹈覆辙,这家科技巨头似乎正在积极争取在市场上占据主导地位。


三星电子执行副总裁兼美国内存业务主管 Lee Jung-bae 上周在一篇博客文章中表示,基于最近成功开发出业界首款内存模块,该公司将扩大高容量 DRAM 产品阵容,包括 1 TB 模块。32GB DDR5 内存。


他表示:“我们将积极利用 CXL 内存模块 (CMM) 等新颖接口,这将有助于实现内存带宽和容量可以根据运营需求无缝扩展的未来。”下一代半导体。

尽管今年由于存储芯片行业放缓而出现了数万亿韩元的赤字,但 SK 还积极投资于确保下一代技术。


*免责声明:本文由作者原创。文章内容系作者个人观点,半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点,不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系半导体行业观察。


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