HBM，迎来新进展！

SK海力士的新HBM3E芯片可能是Nvidia的一个不错的选择。

图片来源：SK海力士

三星将在即将召开的国际固态电路会议 (ISSCC) 上展示众多新产品，包括超高速 DDR5 内存芯片、280 层 QLC NAND 闪存以及全球最快的GDDR7。 

不过，虽然三星肯定会吸引很多关注，但这并不是唯一的游戏，因为在三星在高端展会上谈论完其 3D-NAND 闪存后，其韩国竞争对手 SK海力士也将立即发布其新的 HBM3E DRAM。

HBM3E（第三代扩展高带宽内存）是一项突破性的内存技术，在性能和能效方面实现了显着飞跃，旨在满足高性能计算、人工智能和图形应用不断增长的需求。

HBM3E是第五代HBM，垂直互连多个DRAM芯片，显着提高数据处理速度、容量和散热。

据SK海力士称，其新型存储芯片每秒可处理高达1.15TB的数据，相当于每秒处理超过230部每部5GB的全高清电影。由于采用了尖端的高级回流成型底部填充技术（或 MR-MUF），它的散热性能也提高了 10%。

SK Hynix 将其 HBM3E 视为 AI 技术创新背后的驱动力，但它也可以为Nvidia有史以来最强大的 GPU - B100 Blackwell AI GPU 提供动力。美光表示，要到 2025 年才会发布下一代高带宽内存单元 HBM4。这导致人们猜测Nvidia 可能会寻找 B100 Blackwell 的替代供应商。

尽管三星凭借其新的“Shinebolt”HBM3E 内存被认为是最有可能的竞争者，但 SK海力士已做好准备，推出其新产品。

目前还没有官方消息，但可能用不了多久我们就能知道英伟达选择了哪家韩国公司。

HBM 内存即将发生重大变化。

图片来源：AMD

HBM3E内存在 1024 位接口上具有高达 9.6 GT/s（9.6 GB 传输，或每秒数十亿次传输，内存带宽的典型测量）数据传输速率，刚刚进入量产阶段。但人工智能（AI）和高性能计算（HPC）行业的需求正在快速增长，因此 具有2048位接口的HBM4内存 距离问世只有大约两年的时间。据报道，SK 海力士的一位副总裁最近表示，该公司有望在 2026 年大规模生产 HBM4 。

SK海力士副总裁Chun-hwan Kim在SEMICON韩国2024上表示：“随着AI计算时代的到来，生成式AI正在迅速发展。生成式AI市场预计将以每年35%的速度增长%。” 

生成式人工智能市场的快速增长需要更高性能的处理器，这反过来又需要更高的内存带宽。因此，需要 HBM4 来从根本上提高 DRAM 吞吐量。SK 海力士希望在 2026 年开始生产下一代 HBM，这意味着 2025 年底。这在一定程度上证实了美光计划在 2026 年初推出 HBM4。 

凭借 9.6 GT/s 的数据传输速率，单个 HBM3E 内存堆栈可提供 1.2 TB/s 的理论峰值带宽，对于由六个堆栈组成的内存子系统来说，带宽可高达 7.2 TB/s。然而，该带宽是理论上的。例如，Nvidia 的 H200“仅”提供高达 4.8 TB/s 的 H200，可能是出于可靠性和功耗方面的考虑。

据美光称，HBM4 将使用 2048 位接口将每个堆栈的理论峰值内存带宽提高到 1.5 TB/s 以上。为了实现这一目标，HBM4 需要具有约 6 GT/s 的数据传输速率，这将有助于控制下一代 DRAM 的功耗。同时，2048 位内存接口需要在内插器上进行非常复杂的布线，或者仅将 HBM4 堆栈放置在芯片顶部。在这两种情况下，HBM4 都会比 HBM3 和 HBM3E 更昂贵。

三星似乎也认同 SK 海力士对 HBM4 的看法，三星表示有望在 2026 年生产 HBM4。有趣的是，三星还在为特定客户开发定制 HBM 内存解决方案。

三星内存执行副总裁 Jaejune Kim 在与分析师和投资者举行的最新财报电话会议上（来自SeekingAlpha ）表示：“HBM4正在开发中，预计 2025 年提供样品，2026 年实现量产。” “在生成式 AI 的推动下，对定制 HBM 的需求不断增长，因此我们不仅开发标准产品，而且还通过添加逻辑芯片为每个客户开发性能优化的定制 HBM。详细规格正在与关键产品讨论顾客。”

今天是《半导体行业观察》为您分享的第3664期内容，欢迎关注。

★EUV光刻机重磅报告，美国发布

★碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代

★芯片巨头，都想“干掉”工程师！

★苹果，玩转先进封装

★GPU的历史性时刻！

★大陆集团，开发7nm芯片

★张忠谋最新采访：中国会找到反击方法

★EUV光刻的新“救星”