芯片纳米命名法，是错误的！

“他们将在菲尼克斯建造第二座晶圆厂来制造芯片，3 纳米芯片——3 纳米芯片——3 纳米芯片。你知道我在说什么。”2022 年 12 月，美国总统乔·拜登在亚利桑那州台积电举行的装机仪式上打趣道，引得人群大笑。“诺诺，诺诺，我不知道。”

是的，半导体这个东西很复杂，但总统的嘲讽触及了谈论芯片时面临的挑战之一：营销人员在如何命名几代技术方面确实搞砸了。这很重要，因为美国和其他国家的全球贸易政策制定者使用这种错误的语言来制定出口管制和其他制裁。

打造最小尺寸集成电路的芯片制造竞赛一直以纳米为单位——越小越好——但公司却对此采取了自由行动。

最近，几位高管告诉我在写作中避免使用“纳米”这个词。“现在的芯片中没有任何 5 纳米的东西，”其中一位几年前说道。如今更是如此，因为更复杂的微架构取代了旧的术语。

国际上对中国获取先进芯片制造和设备的制裁涉及纳米先进技术。当华为技术有限公司突破美国制裁时，我们都在谈论它的7纳米芯片。这些指标在某种程度上都具有误导性。

但仍有改善的希望。全球最重要的芯片制造商台积电正在为其下一代技术 A16 进行品牌宣传。当然，它仍然基于测量——A 代表埃，即十分之一纳米——但至少它不那么字面意思，我们可以像对待品牌术语一样对待它们。

台积电的 A 级技术只能小心翼翼地与英特尔公司的 A 级芯片标签进行比较，后者开始较早。2021 年，当英特尔意识到自己将其芯片称为“Intel 10”，而台积电将类似技术称为“N7”时，它将“英特尔 10”标签换成了“英特尔 7”，并很快转向“英特尔 4”——所有这些都是为了更好地跟踪该行业。

我们是如何陷入这种困境的？

20 世纪 90 年代初，随着芯片开发速度开始放缓，一个被称为国家半导体技术路线图的专家委员会聚集在一起，制定了该行业如何发展的计划。这是该组织成员、TechInsights 芯片经济学家丹·哈奇森 (Dan Hutcheson) 的说法。

作为衡量进展的一种方式，他们创建了“节点”的概念来指代半导体制造工艺，其数字是晶体管中栅极的长度——芯片的基本功能单元。晶体管越小，表面上可以放的越多，计算能力就越快。在很大程度上，衡量数量缩减的进展充分代表了新芯片的改进。

但近 20 年后，当我们达到 28 纳米时，事情开始变得混乱。

在该领域拥有 40 年经验的芯片专家、SemiWiki.com 的创始人 Daniel Nenni 表示，一种名为 FinFET 的新型 3D 晶体管投入批量生产，但这些数字失去了技术价值。晶体管栅极长度不再包含性能增益，并且芯片内部任何东西的测量已被简化为“现在的营销术语”。

也许这对总统的谈话要点很有好处，但实际上并不是政策决策的基础。在不那么热衷科技的观察者中，纳米级的品牌仍然被视为质量的指标。几十年来的既定做法很难动摇。

当英特尔公司更换标签时，英特尔首席执行官帕特·基辛格 (Pat Gelsinger) 滔滔不绝地谈论如何刷新词汇：“如今，各种命名和编号方案并不能说明如何实现最佳平衡的完整故事。功率、效率和性能，”他说。

尽管如此，这个消息还没有传达到大部分行业。台积电高管将“3纳米”一词与其称为N3的技术互换使用——N3是当今大规模生产的最先进的芯片制造技术。

这些公司有更重大的问题需要解决，但也许如果另一家顶级逻辑芯片制造商三星电子公司也摆脱旧的方式，我们至少可以继续以更抽象的方式标记下一代芯片。

如果您希望自己的声誉建立在对精确性和精确性的痴迷之上，那么您的语言不也应该符合这些标准吗？

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