弱问Cu对Si的附着能力# EE - 电子工程
h*i
1 楼
用Malvern粒径仪测了一些数据，想把Correlation Coefficient拷出来处理一下。
但是仪器自带的程序只能保存为图形文件。
不知道有什么办法能把数据拷贝出来。
还望各位大牛指教，在此先行谢过了！
但是仪器自带的程序只能保存为图形文件。
不知道有什么办法能把数据拷贝出来。
还望各位大牛指教，在此先行谢过了！
s*p
2 楼
Au对Si的附着能力不好
一般要用Ti做一层buffer
那Cu呢？
需要buffer layer么？
工艺新警察....请多指教
一般要用Ti做一层buffer
那Cu呢？
需要buffer layer么？
工艺新警察....请多指教
S*d
3 楼
【在 s******p 的大作中提到】
: Au对Si的附着能力不好
: 一般要用Ti做一层buffer
: 那Cu呢？
: 需要buffer layer么？
: 工艺新警察....请多指教
s*p
4 楼
？
【在 S****d 的大作中提到】
【在 S****d 的大作中提到】
c*y
5 楼
Cu需要，不然很容易peel off，而且Cu与Si 的interdiffusion也不可以忽视
【在 s******p 的大作中提到】
: Au对Si的附着能力不好
: 一般要用Ti做一层buffer
: 那Cu呢？
: 需要buffer layer么？
: 工艺新警察....请多指教
【在 s******p 的大作中提到】
: Au对Si的附着能力不好
: 一般要用Ti做一层buffer
: 那Cu呢？
: 需要buffer layer么？
: 工艺新警察....请多指教
p*t
6 楼
cu-interconnect 不是都挖槽的么？ 然后CMP出来
好像直接那样做的很少啊
好像直接那样做的很少啊
c*u
7 楼
当然需要，好像不是Ti就是Cr，很久以前做的，现在记不清了，
【在 s******p 的大作中提到】
: Au对Si的附着能力不好
: 一般要用Ti做一层buffer
: 那Cu呢？
: 需要buffer layer么？
: 工艺新警察....请多指教
【在 s******p 的大作中提到】
: Au对Si的附着能力不好
: 一般要用Ti做一层buffer
: 那Cu呢？
: 需要buffer layer么？
: 工艺新警察....请多指教
s*p
8 楼
恩，谢谢了~
【在 c*u 的大作中提到】
: 当然需要，好像不是Ti就是Cr，很久以前做的，现在记不清了，
【在 c*u 的大作中提到】
: 当然需要，好像不是Ti就是Cr，很久以前做的，现在记不清了，
s*p
9 楼
我不是做connection，呵呵
【在 p*****t 的大作中提到】
: cu-interconnect 不是都挖槽的么？ 然后CMP出来
: 好像直接那样做的很少啊
【在 p*****t 的大作中提到】
: cu-interconnect 不是都挖槽的么？ 然后CMP出来
: 好像直接那样做的很少啊
s*p
10 楼
想起来以前工艺课上还讲了要用什么做个barrier
呵呵
多谢
【在 c**y 的大作中提到】
: Cu需要，不然很容易peel off，而且Cu与Si 的interdiffusion也不可以忽视
呵呵
多谢
【在 c**y 的大作中提到】
: Cu需要，不然很容易peel off，而且Cu与Si 的interdiffusion也不可以忽视
c*y
11 楼
Cu interconnect也有TaN liner啊
【在 p*****t 的大作中提到】
: cu-interconnect 不是都挖槽的么？ 然后CMP出来
: 好像直接那样做的很少啊
【在 p*****t 的大作中提到】
: cu-interconnect 不是都挖槽的么？ 然后CMP出来
: 好像直接那样做的很少啊
c*y
12 楼
Ti与Cu之间也有diffusion,得看楼主做什么用途了
【在 s******p 的大作中提到】
: 想起来以前工艺课上还讲了要用什么做个barrier
: 呵呵
: 多谢
【在 s******p 的大作中提到】
: 想起来以前工艺课上还讲了要用什么做个barrier
: 呵呵
: 多谢
s*p
13 楼
very thin layer of Au or Cu, for nanowire growth catalyst
【在 c**y 的大作中提到】
: Ti与Cu之间也有diffusion,得看楼主做什么用途了
【在 c**y 的大作中提到】
: Ti与Cu之间也有diffusion,得看楼主做什么用途了
a*e
14 楼
啊，又一个熟悉的id，jj我还是不懂。。。
没使过Cu
【在 s******p 的大作中提到】
: Au对Si的附着能力不好
: 一般要用Ti做一层buffer
: 那Cu呢？
: 需要buffer layer么？
: 工艺新警察....请多指教
没使过Cu
【在 s******p 的大作中提到】
: Au对Si的附着能力不好
: 一般要用Ti做一层buffer
: 那Cu呢？
: 需要buffer layer么？
: 工艺新警察....请多指教
c*y
15 楼
the catalyst for nanowire growth should be isolated nanoparticle instead of
contious films. If you prepare the Au or Cu film less than 10nm, I think
the stress is not large enough to peel off from the Si substrate. Why not
search related reference?
【在 s******p 的大作中提到】
: very thin layer of Au or Cu, for nanowire growth catalyst
contious films. If you prepare the Au or Cu film less than 10nm, I think
the stress is not large enough to peel off from the Si substrate. Why not
search related reference?
【在 s******p 的大作中提到】
: very thin layer of Au or Cu, for nanowire growth catalyst
y*7
16 楼
现在业界一般用TaN/Ta作铜与电解质之间的barrier，以前用TiN/Ti。如果你只是做
buffer layer,那只用TaN或者TiN就可以了吧。当然这样做的话铜就不能plating上去了
【在 s******p 的大作中提到】
: Au对Si的附着能力不好
: 一般要用Ti做一层buffer
: 那Cu呢？
: 需要buffer layer么？
: 工艺新警察....请多指教
buffer layer,那只用TaN或者TiN就可以了吧。当然这样做的话铜就不能plating上去了
【在 s******p 的大作中提到】
: Au对Si的附着能力不好
: 一般要用Ti做一层buffer
: 那Cu呢？
: 需要buffer layer么？
: 工艺新警察....请多指教
w*o
17 楼
Cu应该不需要，就是起个诱导作用，随便撒点上去就行了，厚了没用，长nm deposit
1nm足够了，厚了你nanowire的材料钻不到Cu下面，长不到Si上去
【在 s******p 的大作中提到】
: very thin layer of Au or Cu, for nanowire growth catalyst
1nm足够了，厚了你nanowire的材料钻不到Cu下面，长不到Si上去
【在 s******p 的大作中提到】
: very thin layer of Au or Cu, for nanowire growth catalyst
c*y
18 楼
it seems that the nanowire growth follow the "tip-growth" mechanism in this
case?
【在 w********o 的大作中提到】
: Cu应该不需要，就是起个诱导作用，随便撒点上去就行了，厚了没用，长nm deposit
: 1nm足够了，厚了你nanowire的材料钻不到Cu下面，长不到Si上去
case?
【在 w********o 的大作中提到】
: Cu应该不需要，就是起个诱导作用，随便撒点上去就行了，厚了没用，长nm deposit
: 1nm足够了，厚了你nanowire的材料钻不到Cu下面，长不到Si上去
w*o
19 楼
用Au这些当诱导的nanowire都是头顶着Au往上长得吧，还是这里有不同？
this
【在 c**y 的大作中提到】
: it seems that the nanowire growth follow the "tip-growth" mechanism in this
: case?
this
【在 c**y 的大作中提到】
: it seems that the nanowire growth follow the "tip-growth" mechanism in this
: case?
M*c
20 楼
Cu同样需要buffer. Cu一样会和Si反应.
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