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关于功率放大器的PCB布线问题

关于功率放大器的PCB布线问题# EE - 电子工程

n*w2009-08-02 07:08

1 楼

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i*W2009-08-02 07:08

2 楼

我得了PCOS(多囊卵巢),计划下半年尝试怀孕.今天见了OB,说5月停了birth control
pill,然后一个月后开始试用促排卵的药,看看能不能怀上,如果4个月都不能怀上,就要
看专科,专科收费很贵.
版上有JJ,也有PCOS成功怀上bb的吗?
能否介绍一点经验,你的ob是怎么给你治疗的?
我在上半年需要注意些什么,饮食,补充维生素之类的????
我现在还在用OB开的birth control pill,因为不吃就没有正常月经.但是医生说我5月
开始停药.
还有我的ob说如果我不选择在她那吃促排卵的药,也可以直接去专科那里治疗.
请问专科是怎么治疗的?
两个方案各有什么优劣之处??

s*g2009-08-02 07:08

3 楼

【以下文字转载自 Family 讨论区】
发信人: shuying (水痕), 信区: Family
标题: 一个迷人的男人
发信站: BBS 未名空间站 (Fri Feb 22 23:38:00 2008)
nora（我的房东）的爸爸从佛罗里达来看他们兄弟姐妹姐妹，一家人热热闹闹的欢度这
个holiday season。我从满屋子的全家福里无数次见过这个男人，第一次见他从门外走
进来，还是禁不住地被他吸引。
我不知道他年轻的时候会有多帅，但他周身上下散发着一种非常可亲的热情，一进门就
像多年的老朋友一样和我击掌，然后坐在厨房的高凳子上看我洗碗，操着并不很熟练的
英语和我聊天，说他知道好多关于中国的事，和nora表演剪刀石头布，因为他们觉得那
是从中国流传过来的。我看着他们快活的一对父女，笑得很开心。
转过脸来，我对nora说，你爸爸很年轻，他远远的转回身来，很绅士的深鞠一躬，说‘
谢谢’。后来就见得多了，一家子聚餐，他拢着几个兄弟姐妹，给我介绍说，这是我的
小宝宝。
他其实是一个七十多岁的老人了，坐在沙发上等孩子们的时候，会打个小盹儿。但他永
远都显得那样活力充沛，马不停蹄的

B*g2009-08-02 07:08

4 楼

【以下文字转载自 JobHunting 讨论区】
发信人: smallburrito (smallburrito), 信区: JobHunting
标题: G啊L啊F啊Q啊都是给中国人开的？
发信站: BBS 未名空间站 (Thu Aug 22 14:16:14 2013, 美东)
G啊L啊F啊Q啊都是给中国人开的？
怎么版上满眼都这些啊？

w*j2009-08-02 07:08

5 楼

想问各位一个关于功率放大器的PCB布线问题，如附图，一个QFN的三级功放，每一级都
有分别的偏置。推荐的电路布线如（a).
现在为了节省空间，把所有的gate（栅极）和drain（漏极）都连起来，可不可以按照
（b)这样加旁路电容？如果可以，可不可以按照（c)那样布线？
因为把所有的gate和drain都连了，应该一组旁路电容就可以了把？

s*o2009-08-02 07:08

6 楼

好高骛远啊

g*u2009-08-02 07:08

7 楼

要看你的地多大了。
如果有一层高速地问题不大，反之最好多加点去耦电容。

w*j2009-08-02 07:08

8 楼

想问一下，如果是用在射频上的放大器芯片，像(B)这样的连接，
关于这个功放里面几个stage的管子，有可能因为直流供电脚没有分别的旁路电容，而产生耦合吗？？

p*t2009-08-02 07:08

9 楼

首先，如果GATE DRAIN的偏置电压都一样的话，理论上是可以连接起来的，但事实上会
有很多很多的问题。
我觉得最重要的就是stability, GATE上一旦引入很小的信号，就可能引起PA不稳定。
你可以考虑在GATE上并联一个大电阻然后接BIASING，另外放de coupling caps。
对于DRAIN，连在一起，可能会不出问题。但是专业点说，一定要分开放电容，而且一
般都需要2个到3个，看你的频率吧。还有一个问题，你的RFC是片上的么？如果不是，
那还需要电感或者用传输线。
如果是我，我会做EM仿真，看下芯片PAD及传输线之间的耦合，然后把DRAIN PAD引出
的传输线尽量用不同层。

【在 w****j 的大作中提到】

: 想问各位一个关于功率放大器的PCB布线问题，如附图，一个QFN的三级功放，每一级都
: 有分别的偏置。推荐的电路布线如（a).
: 现在为了节省空间，把所有的gate（栅极）和drain（漏极）都连起来，可不可以按照
: （b)这样加旁路电容？如果可以，可不可以按照（c)那样布线？
: 因为把所有的gate和drain都连了，应该一组旁路电容就可以了把？

w*j2009-08-02 07:08

10 楼

请问，要在芯片的gate上面（就是7,8,9脚）并大电阻，是指像(C)那样把管脚都连了以
后，在引出的偏置线（图中黄色）加并联接地电阻（比如在图中绿色的位置），然后在
并去耦电容吗？还是要分别并大电阻，再连载一起，再加去耦？
芯片应该是有RF choke了，因为evaluation board也是没有加电感的，去耦电容直接在
drain管脚附近。
但是如何做EM仿真看芯片PAD和传输线的耦合了？是看这个land pattern和射频输入输
出50 Ohm线的耦合（管脚4和15），还是和DC偏置线的耦合？
本来功放推荐的evaluation board是要求管脚分别接100pF和1uF的电容，然后分别调
gate的偏置电压，达到最好的饱和输出（Psat最大）的。但是这样要调试也太麻烦了，
所以想就把所有的gate连起来，所有的drain也连起来，牺牲一下，简化布线的.

p*t2009-08-02 07:08

11 楼

不是加并联接地电阻还是加个电阻供电压对RF信号是交流开路只是对FET的做法
对于栅分开偏置估计是每级的偏置，SIZE,匹配都不一样，这样分开供电，TUNING，
才可以得到最好结果。一起供估计也可以，但是效果肯定不好，而且你要担心，后级
信号反馈到前级的输入，会出现很多问题。
EM看频率，简单的ADS MOMENTUM, SONNET都可以跑。几十个G的最好用HFSS吧。看芯片
的样子，估计最多几个G吧。所以MOMENTUM够了。

w*j2009-08-02 07:08

12 楼

谢谢解答，
根据vendor的反馈，好像前两级基本上是linear region,当时最后一级会工作在
saturation。对于pHEMT，为什么gate会source或者sink 2~3mA的电流了？这个和一般
的MESFET有什么区别？

p*t2009-08-02 07:08

13 楼

你可以去看下PHEMT的工艺栅和一般的FET很不一样
印象中好像栅上会有一些寄生的junction 就像二极管一样
所以在不同栅偏压下会有电流电流可以有正负就像你讲的从G到S 或者D到G的