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1 楼
一、自旋电子材料与量子器件研究中心简介
自旋电子材料与量子器件研究中心是一个面向未来后摩尔时代信息处理与存储可持续发
展的研究机构，瞄准5纳米以下新型电子量子器件技术发展前沿，围绕自旋电子及其他
低维电子材料研究方向，开展以低维电子系统的介观结构-物理特性-埃米制备技术为核
心的物理基础及量子器件研究工作，并以新型量子信息处理及存储工艺的研究和实施带
动后摩尔时代运算技术的持续发展，实现在该领域的理论、工艺与研究方法的创新。研
究中心将通过整合西安交通大学相关学科资源、强化科研平台建设、引进国际一流人才
，逐步发展成为具有国际水平的、在国内外有重要影响的基础研究基地，最终建成世界
一流的学术研究机构。
1.中心主任
闵泰教授，“千人计划学者”(全职)
汪宏教授，“长江学者”(全职)
2.主要研究方向
1)低维介观量子体系材料、器件的电磁声光元激发和量子输运理论；
2)低维介观量子体系材料、器件的仿真和模拟（ab-initio，micro-magnetic，compact
）；
3)新材料（石墨烯，拓扑绝缘体、MX2，磁性超薄膜等）的埃米生长技术（磁控溅射，
ALD，CVD）和物理表征（<1K低温>60特斯拉高磁场，飞秒激光激发，STM，MFM，FMR）；
4)5纳米以下量子器件工艺研发；
5)量子计算、类脑计算与存储系统设计、优化和应用技术的研究和开发；
6)磁性生化医疗microfluidic测试系统的研究和开发。
二、招聘方向，条件与待遇
招聘助理教授（Tenure track）、副教授（Tenured）、教授（Tenured）各一名。
1.研究方向
1)低维介观量子体系材料、器件的电磁声光学元激发和量子输运理论；
2)新材料（石墨烯，拓扑绝缘体、MX2，磁性超薄膜等）的埃米生长技术（磁控溅射，
ALD， CVD）和物理表征（<1K低温>60特斯拉高磁场,飞秒激光激发， STM， MFM，FMR
）；
3)5纳米以下量子器件工艺的研究。
2.应聘条件
1)年龄在45岁以下；取得博士学位后有两年以上在上述研究方向从事研究的博士后或工
作经历，具有国（境）外连续12个月及以上的学习、工作经历；
2)以第一作者或通讯作者在超一流期刊发表2篇以上高水平学术论文；
3)有独立承担科研项目的能力；有开创新学科和新研究方向的潜力及优秀的中英文交流
、表达能力，能撰写英文学术论文，脚踏实地、勤学上进、富有科学献身精神。
3.薪资待遇
1)提供100-200万元的科研启动费，根据需要提供相应的平台建设经费；
2)提供15-45万元的年薪，另可面议（以不低于原来收入为起点）；
3)年终根据业绩提供最高不超过5万元的年度奖励；
4)在出入境、居留、落户、医疗、保险以及国际交流等方面提供便利条件等；
优秀者将由我校全力协助申请国家千人计划，青年千人计划，长江学者，青年长江学者
，陕西省百人计划。
4.应聘方式
有意应聘者请通过电子邮件提供如下应聘材料：
1)一份意向信（cover letter）,信中注明研究领域和应聘岗位名称，简单描述自己为
什么合格；
2)一份详细电子版简历（英文、中文均可），简历中请包括个人和家庭的有关信息
3)三封推荐信；
4)三篇代表性的学术论文；
5)一份未来研究课题计划的摘要2-3页；
初选合格者将受邀来我校参加评聘答辩，由我校支付往返旅费和食宿费用。
招聘博士后、专职研究人员若干名
1.研究方向
1)低维或二维介观量子体系材料、器件的电磁声光元激发和量子输运理论；
2)低维介观量子体系材料、器件的仿真和模拟；
3)新材料（石墨烯，拓扑绝缘体、MX2，磁性超薄膜等）的埃米生长技术（磁控溅射，
ALD， CVD）；
4)低维介观量子体系材料、器件物理测试系统改进与搭建（<1K低温>60特斯拉高磁场,
飞秒激光激发， STM，MFM，FMR）；
5)低维介观量子体系材料、器件物理表征（<1K低温>60特斯拉高磁场,飞秒激光激发，
STM，MFM，FMR）用磁控溅射，ALD进行铁磁，反铁磁，亚铁磁超薄膜生长与磁隧道节制
作；
6)生化医疗Microfluidic测试系统的设计、研究和制作；
7)量子计算，类脑计算，量子ECC器件物理，系统设计与表征；
8)Nanoimprint和Directed-Self-Assembly器件制作工艺；
9)先进半导体逻辑与储存（DRAM,Flash,STT-MRAM,PcRAM,RRAM,）器件制作集成和工艺。
2.应聘条件
年龄在35岁以下；最近两年内在物理，材料、化学、化学工程学科取得博士学位；博士
论文研究方向同上列一个或多个方向相关；以第一作者或通讯作者在所研究学科一流期
刊发表2篇以上高水平学术论文；基本具备独立从事科学研究的能力；优秀的中英文交
流、表达能力，能撰写英文学术论文；脚踏实地、勤学上进、富有科学献身精神。
3.薪资待遇
提供8-10万元的年薪，其他待遇参照学校有关规定执行。
4.应聘方式
有意应聘者请通过电子邮件提供如下应聘材料；
本人中英文简历，PDF版本；
三篇已发表的论文；
三名推荐人的联系方式（电子邮件和电话），PDF版本。
初选合格者将受邀来我校参加评聘答辩，由我校支付往返旅费和食宿费用。
三、联系方式
单 位：西安交通大学高层次人才办公室
地 址：中国陕西省西安市咸宁西路28号
邮 编：710049
联系人：刘莹
电 话：133-1918-1800
E-mail: [email protected]
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截止日期：即日起至2016年8月31日
自旋电子材料与量子器件研究中心是一个面向未来后摩尔时代信息处理与存储可持续发
展的研究机构，瞄准5纳米以下新型电子量子器件技术发展前沿，围绕自旋电子及其他
低维电子材料研究方向，开展以低维电子系统的介观结构-物理特性-埃米制备技术为核
心的物理基础及量子器件研究工作，并以新型量子信息处理及存储工艺的研究和实施带
动后摩尔时代运算技术的持续发展，实现在该领域的理论、工艺与研究方法的创新。研
究中心将通过整合西安交通大学相关学科资源、强化科研平台建设、引进国际一流人才
，逐步发展成为具有国际水平的、在国内外有重要影响的基础研究基地，最终建成世界
一流的学术研究机构。
1.中心主任
闵泰教授，“千人计划学者”(全职)
汪宏教授，“长江学者”(全职)
2.主要研究方向
1)低维介观量子体系材料、器件的电磁声光元激发和量子输运理论；
2)低维介观量子体系材料、器件的仿真和模拟（ab-initio，micro-magnetic，compact
）；
3)新材料（石墨烯，拓扑绝缘体、MX2，磁性超薄膜等）的埃米生长技术（磁控溅射，
ALD，CVD）和物理表征（<1K低温>60特斯拉高磁场，飞秒激光激发，STM，MFM，FMR）；
4)5纳米以下量子器件工艺研发；
5)量子计算、类脑计算与存储系统设计、优化和应用技术的研究和开发；
6)磁性生化医疗microfluidic测试系统的研究和开发。
二、招聘方向，条件与待遇
招聘助理教授（Tenure track）、副教授（Tenured）、教授（Tenured）各一名。
1.研究方向
1)低维介观量子体系材料、器件的电磁声光学元激发和量子输运理论；
2)新材料（石墨烯，拓扑绝缘体、MX2，磁性超薄膜等）的埃米生长技术（磁控溅射，
ALD， CVD）和物理表征（<1K低温>60特斯拉高磁场,飞秒激光激发， STM， MFM，FMR
）；
3)5纳米以下量子器件工艺的研究。
2.应聘条件
1)年龄在45岁以下；取得博士学位后有两年以上在上述研究方向从事研究的博士后或工
作经历，具有国（境）外连续12个月及以上的学习、工作经历；
2)以第一作者或通讯作者在超一流期刊发表2篇以上高水平学术论文；
3)有独立承担科研项目的能力；有开创新学科和新研究方向的潜力及优秀的中英文交流
、表达能力，能撰写英文学术论文，脚踏实地、勤学上进、富有科学献身精神。
3.薪资待遇
1)提供100-200万元的科研启动费，根据需要提供相应的平台建设经费；
2)提供15-45万元的年薪，另可面议（以不低于原来收入为起点）；
3)年终根据业绩提供最高不超过5万元的年度奖励；
4)在出入境、居留、落户、医疗、保险以及国际交流等方面提供便利条件等；
优秀者将由我校全力协助申请国家千人计划，青年千人计划，长江学者，青年长江学者
，陕西省百人计划。
4.应聘方式
有意应聘者请通过电子邮件提供如下应聘材料：
1)一份意向信（cover letter）,信中注明研究领域和应聘岗位名称，简单描述自己为
什么合格；
2)一份详细电子版简历（英文、中文均可），简历中请包括个人和家庭的有关信息
3)三封推荐信；
4)三篇代表性的学术论文；
5)一份未来研究课题计划的摘要2-3页；
初选合格者将受邀来我校参加评聘答辩，由我校支付往返旅费和食宿费用。
招聘博士后、专职研究人员若干名
1.研究方向
1)低维或二维介观量子体系材料、器件的电磁声光元激发和量子输运理论；
2)低维介观量子体系材料、器件的仿真和模拟；
3)新材料（石墨烯，拓扑绝缘体、MX2，磁性超薄膜等）的埃米生长技术（磁控溅射，
ALD， CVD）；
4)低维介观量子体系材料、器件物理测试系统改进与搭建（<1K低温>60特斯拉高磁场,
飞秒激光激发， STM，MFM，FMR）；
5)低维介观量子体系材料、器件物理表征（<1K低温>60特斯拉高磁场,飞秒激光激发，
STM，MFM，FMR）用磁控溅射，ALD进行铁磁，反铁磁，亚铁磁超薄膜生长与磁隧道节制
作；
6)生化医疗Microfluidic测试系统的设计、研究和制作；
7)量子计算，类脑计算，量子ECC器件物理，系统设计与表征；
8)Nanoimprint和Directed-Self-Assembly器件制作工艺；
9)先进半导体逻辑与储存（DRAM,Flash,STT-MRAM,PcRAM,RRAM,）器件制作集成和工艺。
2.应聘条件
年龄在35岁以下；最近两年内在物理，材料、化学、化学工程学科取得博士学位；博士
论文研究方向同上列一个或多个方向相关；以第一作者或通讯作者在所研究学科一流期
刊发表2篇以上高水平学术论文；基本具备独立从事科学研究的能力；优秀的中英文交
流、表达能力，能撰写英文学术论文；脚踏实地、勤学上进、富有科学献身精神。
3.薪资待遇
提供8-10万元的年薪，其他待遇参照学校有关规定执行。
4.应聘方式
有意应聘者请通过电子邮件提供如下应聘材料；
本人中英文简历，PDF版本；
三篇已发表的论文；
三名推荐人的联系方式（电子邮件和电话），PDF版本。
初选合格者将受邀来我校参加评聘答辩，由我校支付往返旅费和食宿费用。
三、联系方式
单 位：西安交通大学高层次人才办公室
地 址：中国陕西省西安市咸宁西路28号
邮 编：710049
联系人：刘莹
电 话：133-1918-1800
E-mail: [email protected]
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截止日期：即日起至2016年8月31日
