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[学术问题求指教] Hot Carrier Injection on MOSFET相关
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r*n
2
热衷于内容聚合啊:
http://www.popbuzz.me/
还有一个面向国内的博客聚合:
http://www.voosee.com/
虽然小型,不过最初的想法是从日志中找出好的文章来,办电子杂志,我发现美食和旅
行摄影类的,最适合成杂志形式,不过需要美工强的,懂InDesign的人,有没有资源的
情况下,有时间自学一下,设计和排版一份杂志,看上去很美、听上去很酷啊。。。。
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g*e
3
【 以下文字转载自 Biology 讨论区 】
发信人: demoner (回不去的叫故乡), 信区: Biology
标 题: IF excel版本
发信站: BBS 未名空间站 (Sat Jun 20 01:38:41 2009, 美东)
发信人: zzyzzy (Zhang), 信区: Chemistry
标 题: IF excel版本
发信站: BBS 未名空间站 (Sat Jun 20 00:54:12 2009, 美东)
FYI
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C*E
4
各位大牛小牛们,
最近在读些HCI effect和MOSFET lifetime相关的paper, 发现很多paper直接用了 "10%
reduction in drain current", 即 "Delta_Id / Id = 10%" 条件 作为计算MOSFET寿
命的标准. 请问是否有人了解这个10%标准出处何在? 又及, 10%标准下只是MOSFET
degradation达到不可靠的程度, 这时的MOSFET failure rate又是如何? 例如, 在普通
logic gate中, 某FET degrade到这个程度, 未发生击穿, 应该还是可以用的吧?
多谢赐教.
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b*u
5
挺简单好用。说说看用户为什么用这个而不是google reader?盈利模式是什么?
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ET
6
10% is from JEDEC standard, as I remembered.
breakdown 分成soft breakdown and hard breakdown. soft breakdown多指"器件性能
变差,但还能用", hard breakdown就是彻底击穿不能用,所以就有failure rate.
工业界出的产品,一般(好吧,有些有)都有做JEDEC标准测试的,会给出这些测量数
据,还有其它更多与可靠性相关的测试;另外foundry也会给这些测试数据。一般都是
有stress的数据来预计device的寿命。
reliability的主要是用于寿命预测的,在预测的寿命年限内,用还是可以用的。

10%

【在 C*E 的大作中提到】
: 各位大牛小牛们,
: 最近在读些HCI effect和MOSFET lifetime相关的paper, 发现很多paper直接用了 "10%
: reduction in drain current", 即 "Delta_Id / Id = 10%" 条件 作为计算MOSFET寿
: 命的标准. 请问是否有人了解这个10%标准出处何在? 又及, 10%标准下只是MOSFET
: degradation达到不可靠的程度, 这时的MOSFET failure rate又是如何? 例如, 在普通
: logic gate中, 某FET degrade到这个程度, 未发生击穿, 应该还是可以用的吧?
: 多谢赐教.

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r*n
7
google reader适合跟读某些挺喜欢的博客,但是不能太多,不然内容过多的话,你花
时间在“淘”上面了,所以google reader适合你平时的阅读
voosee是你在阅读完自己跟的博客后,想读其他热点的东西,因为你不可能follw好几
百个rss feed. 所以并不是想和google reader竞争,而是提供另一种选择。
盈利模式没有太多想法,如果真的能成电子杂志,盈利相对就简单了,就像一般杂志那
样,有全页的美图广告。
网站上的话,可以像digg那样,中间插几个付费的文章。。。
不过成不了大气候啦,就是一个小网站而已。。。

【在 b*****u 的大作中提到】
: 挺简单好用。说说看用户为什么用这个而不是google reader?盈利模式是什么?
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i*d
8
这个网站内容挺不错,闲下来可以看看上面的一些相关报道。
那个中间的竖条能不能让它可以左右移动啊。我一看到就想拖到右边,大部分时间都想
看的是左边简洁的部分。
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