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请教反相器剖面图一个问题

请教反相器剖面图一个问题# EE - 电子工程

C*e2008-10-04 07:10

1 楼

小弟新学VLSI，异常郁闷，问个很弱的问题
图中NMOS旁边的P+和PMOS旁边的N+是做什么用的？
为什么一般电路图上NMOS的p+的gate在两个n+之间，pmos的n+的gate在两个p+之间，到
了这个截面图上就到旁边了？gate那里成了polysilicon？

c*l2008-10-04 07:10

2 楼

P+和N+是电源接触contact的地方，减小电阻
那俩黑的是gates,一个给NMOS，一个给PMOS.是poly
这个都是课上讲的。
VLSI其实不难，主要是size那些gates, wells, dopes, etc

【在 C********e 的大作中提到】

: 小弟新学VLSI，异常郁闷，问个很弱的问题
: 图中NMOS旁边的P+和PMOS旁边的N+是做什么用的？
: 为什么一般电路图上NMOS的p+的gate在两个n+之间，pmos的n+的gate在两个p+之间，到
: 了这个截面图上就到旁边了？gate那里成了polysilicon？

C*e2008-10-04 07:10

3 楼

谢谢解答
那为什么要用P+和N+呢，不能直接把电源接在左边的N+和右边的P+上么？

c*p2008-10-04 07:10

4 楼

那个+和-不是表示电极性，而是表示N和P掺杂的浓度，+为浓度大，-为浓度小。之所以
用P+和N+是为了减小wire和well/substrate的接触电阻。通常情况下，P+接VDD，N+接
GND。
n管和p管的源极要接地和电源是没错的，但是也要保证它们所在的p阱（well）和n衬底
（substrate/bulk）也要接电源和地。这是管子工作的基础。建议找书看一下相关的结
构。
管子下面的那两个三极管应该是latch up的示意图，可以暂时先不研究它。MOS的基本
结构搞清楚以后再摆弄它也行

【在 C********e 的大作中提到】

: 谢谢解答
: 那为什么要用P+和N+呢，不能直接把电源接在左边的N+和右边的P+上么？

C*e2008-10-04 07:10

5 楼

在谢谢解答
那可以这样理解吧：这里接触电阻是P+相对于P-well要小一些吧，原因就是掺杂浓度高
？

c*p2008-10-04 07:10

6 楼

嗯

【在 C********e 的大作中提到】

: 在谢谢解答
: 那可以这样理解吧：这里接触电阻是P+相对于P-well要小一些吧，原因就是掺杂浓度高
: ？

C*e2008-10-04 07:10

7 楼

理解了，谢谢两位