h*e
3 楼
最快也只能光速了吧?再快时间就得倒流了。。。
G*d
18 楼
这个做芯片device的人都能知道吧,两大原因
晶体管器件角度 - 硅基半导体MOSFET晶体管的开关速度受限于氧化层绝缘体
的厚度,目前的厚度已经只有不到1个纳米了,有就是只有一两层氧化硅分子的厚度了
,基本已经接近极限了。除非有基于新物理原理的CPU或者全新的材料,不太可能有改
善空间了
电路角度 - wire interconnect越做越细,距离也越近,电阻增大带来延迟效应,还有
距离变短带来的电子隧穿导致漏电流,也限制了继续缩小CPU电路来提高速度
晶体管器件角度 - 硅基半导体MOSFET晶体管的开关速度受限于氧化层绝缘体
的厚度,目前的厚度已经只有不到1个纳米了,有就是只有一两层氧化硅分子的厚度了
,基本已经接近极限了。除非有基于新物理原理的CPU或者全新的材料,不太可能有改
善空间了
电路角度 - wire interconnect越做越细,距离也越近,电阻增大带来延迟效应,还有
距离变短带来的电子隧穿导致漏电流,也限制了继续缩小CPU电路来提高速度
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