TFT(Thin film transistor,薄膜晶体管)无疑是IGZO的贵人。在TFT中,a-IGZO(非晶铟镓锌氧化物)充当沟道材料,是传统材料的替代品,此外,这种替换也只是对现有生产线进行改良,改换也极为方便。TFT是一种三端子控制器件,是显示液晶面板的关键集成元件,无论是LCD还是OLED,都需要由TFT控制每个像素点的点亮与熄灭。打个比方来说,可以将TFT的作用和机制理解为一个封闭水闸,栅极是开关式阀门,源极和漏极就如同水闸左右两端的沟道,载流子就像水流,水流流动地越快,制造出来的屏幕越好。[10]随着下游产品不断迭代,市场开始对显示面板的尺寸、清晰度、柔性、能耗等参数提出要求,TFT中传统非晶硅材料已无法追赶显示面板发展速度。为了追求高速和低功耗两种特性,学界和业界将目光放在新型氧化物半导体TFT和新型有机半导体TFT两种器件上[11],IGZO便是其中一种新型氧化物半导体TFT。把氧化物半导体材料应用到TFT中的想法最早可追溯到1964年,当时这种TFT并没有引起人们的关注。1985年,IGZO晶体被制备出来,因缺乏应用形式,也没有掀起太大的浪花。直到2004年,日本学者细野秀雄发明了第一个a-IGZO TFT,才让IGZO的研究进入白热化。细野秀雄也首次证明了世界还存在其它能与低温多晶硅(LTPS)TFT性能相媲美的TFT。[12]在同一路线中,IGZO也存在诸多竞争者,通过研究发现,在可用于TFT的候选新型材料中,IGZO脱颖而出。[13]以a-IGZO制造的TFT性能尤为出色,不仅具备高迁移率(>8cm2/(V·s))、低漏电流(<10-12 A)、低亚阈摆幅(<0.3V/dec)等优良硬参数[14][15],还具备透射率高、制备工艺温度低、制造过程比非晶硅简单、均匀性好及化学稳定性高等特性。[7]上述特性对成像质量起到关键的作用,能够提高显示面板分辨率,同时使得大屏幕OLED电视成为可能[16]。可以说,凭借着美丽的材料属性,IGZO成为推动TFT-LCD、TFT-OLED与TFT-Micro-LED未来发展的关键。[17]更为重要的是,IGZO在TFT中的优势让它找到了更多应用:比如说,可将a-IGZO TFT被光照射后电学信号的变化作为敏感信号,使之应用于光电探测领域[18];一些研究表明,IGZO的特性也可充当肖特基管[19]、忆阻器有源层[20]、太空穿戴设备[8]、X射线传感器、IGZO MEMS、IGZO半导体处理器[21]的材料。虽说拥有诸多优势,但IGZO也不是万能的,甚至可以说,可能不是最优画质的选择。实际上,a-Si(非晶硅)、IGZO、LTPS(低温多晶硅,Low Temperature Poly-Silicon)都是主流的TFT技术,LTPS明显在电子迁移率、高分辨率、窄边框化等参数上更强,而IGZO的优势更多体现在功耗、制造良品率、制造成本方面。正因材料本身有长处也有短处,所以便各司其职,在应用中发挥自己最擅长的部分:a-Si用于对分辨率要求不高的普通大尺寸TFT-LCD面板中[22];IGZO则用于在大尺寸OLED面板或高分辨率TFT-LCD,如110寸以上电视[23];LTPS受限于成本、良率等问题,主要应用在高分辨率小尺寸面板中,如手机、平板,其在大尺寸OLED上的应用还有一定困难。[24]此外,市场还有一种更为折中的方法,在驱动电路中混合使用具有高迁移率和低漏电流的LTPS TFT和IGZO TFT[17],便是Apple Watch Series 5所使用的低温多晶氧化物(LTPO),看似无理取闹的组合,却兼顾了高显示效果和低功耗,一度成为苹果的制胜法宝。迄今为止,Apple Watch、iPad、MacBook依然使用LTPO技术。总而言之,作为一种特性独特的材料,IGZO的价值远没有被榨干,现阶段仍被学界和业界所大力研究。
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