开拓BAW/FBAR滤波器芯片的国产化之路，「武汉光钜」获小米科技战略投资｜36氪首发

武汉光钜投入人民币6亿，自建国内首条8寸体声波晶圆厂和封装厂。

文｜Ben

封面来源｜IC photo

36氪获悉，近日武汉光钜微电子有限公司（以下简称“武汉光钜“）宣布获得小米科技战略投资，这也是武汉光钜在一年内，继复星锐正、架桥资本的A轮投资之后，所获得新一轮次来自国内知名产业资本的战略性投资。

武汉光钜成立于2017年7月，专注于射频前端模组中BAW/FBAR类滤波器的研发和生产，所生产的微电子器件主要应用于智能手机、平板电脑、智能手表、智能家居等前沿消费电子类产品。

从2017年至今，武汉光钜在六年的时间一直将主要精力用于打磨技术、工艺和产品，始终坚持探索自主研发、自主生产以及自主品牌的一体化路径。经过了长期的技术积累，武汉光钜在射频关键零组件的研发和制造方面已经取得显著的突破，据介绍，目前其TDD滤波器以及FDD双工器等多种产品已实现量产供货。

“武汉光钜将坚持走IDM的模式，积极布局，加大人才和研发投入，进一步扩大自有产线，发挥规模化优势，以满足客户未来几年逐步提升的国产化需求。”武汉光钜负责人向36氪表示：“并且，光钜在激烈的市场竞争当中，始终用优质的产品服务客户，稳健发展，拓路前行，力争成为国产BAW/FBAR的领先企业。”

近几年来，由于下游消费电子行业的不断创新和需求升级，国产射频芯片行业一直备受关注，该领域也涌现出了大量国内创业公司，共同推动着射频芯片的国产化进程。

而在射频前端模组的几种芯片当中，BAW/FBAR类滤波器一直是公认专利门槛最高、工艺挑战最强、技术难度最大的芯片。目前，其国产化率在所有射频前端芯片当中也是最低的，据公开数据，占比近乎可以忽略不计。

武汉光钜的创始团队在公司成立之初，就下定决心走与国际大厂完全不同的全新技术路线，构建自己独有的BAW/FBAR专利体系，并且，要在产品性能方面追上或超越海外大厂。基于独特的结构和工艺制程，其产品在设计方面，整体成本结构也是大幅优于主流BAW/FBAR产品。在此基础上，产品的规模化效益也将更加明显。

当然，为了要实现这些目标，建立自己的晶圆厂和封装厂无疑是最好的选择。只有具备自己的产线，才能高效而且放心地通过大量流片实验，将自己独特的专利布局、产品性能和成本结构优势一一实现。

据介绍，为此武汉光钜前期投入了人民币6亿多元，自建起全国第一条8寸体声波晶圆厂和封装厂，并为此成立专利布局团队，先后历经数万小时、流片数万片，构建起武汉光钜独有的BAW/FBAR专利体系，从中积累了丰富的工艺工程数据和经验。

目前，武汉光钜的多款产品在性能方面已经可以比肩国际大厂，并获得重要客户的信任，也因此收获了大批量订单，同时率先进入海外市场，开启了全球化布局。

之所以在一年之内连续获得小米战投、复星锐正、架桥资本的两轮次投资，也正是因为投资人看中了武汉光钜甘愿承担前期巨大投资风险，敢为人先的创业、创新精神。

小米科技的投资团队表示：小米集团一直以来都特别关注国产射频芯片领域，本轮投资加注，是对武汉光钜多年来在射频前端BAW/FBAR滤波器领域耕耘的支持，同时我们期待武汉光钜在未来持续创新，能够成为BAW/FBAR滤波器领域的领导者，为各种消费类产品提供高性能的滤波器器件。

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来源: qq

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