三星的光刻机规划，曝光

据相关报道，ASML Holding NV表示，它开始向英特尔公司运送其第一台最新芯片制造机的主要部件。

据不愿透露姓名的知情人士透露，这套名为高数值孔径极紫外线的最先进系统已运往英特尔位于俄勒冈州的D1X工厂。英特尔和ASML发言人没有对该系统的目的地发表评论。

该技术对两家公司都具有巨大意义，这两家公司都是半导体行业最重要的公司之一。英特尔首席执行官帕特·基辛格承诺，他的公司将获得第一台这种新型机器，表明了他重返制造技术前沿的承诺。就 ASML 而言，它正在推出这项新技术，其目标是保持芯片行业对其设备的依赖。

ASML 在去年的一份声明中表示，英特尔计划于 2025 年开始生产该系统。D1X 是英特尔开发和完善其未来生产技术的工厂。

ASML 是世界顶级的光刻系统制造商，这些机器在半导体制造过程中执行关键步骤。它是台积电、三星电子和英特尔用于最先进制造的唯一一家极紫外光刻机生产商。ASML 周四在社交媒体 X 上发布的一篇文章中表示：“我们很高兴也很自豪能够向英特尔交付我们的首个高 NA EUV 系统。”

Oddo BHF 分析师在本月早些时候的一份报告中表示，ASML 的第一款高数值孔径极紫外光刻机名为 Twinscan EXE:5200，定价约为 2.5 亿欧元（2.75 亿美元）。分析师在与该公司会面后表示，第二代高数值孔径 EUV 机器被称为 EXE:5200B，将具有更高的生产率和超过 3.5 亿欧元的价格标签。

ASML目前的高端机器售价约为 1.8 亿美元。

在今年九月份，ASML 透露，该公司计划在今年年底前推出业界首款高数值孔径极紫外 (EUV) 光刻扫描仪，这是下一代 EUV 光刻机开发的一个有希望的迹象。该机器是 0.55 数值孔径 (NA) Twinscan EXE:5000 试点扫描仪，是为芯片制造商开发的，以便他们可以学习如何有效地使用高数值孔径 EUV 技术。在这些研发工作之后，预计将于 2025 年开始使用高数值孔径扫描仪进行芯片的大批量生产，届时 ASML 开始发货商业级 Twinscan EXE:5200 扫描仪。

ASML 首席执行官彼得·温尼克 (Peter Wennink) 在接受路透社的简短采访时表示：“一些供应商在实际提高产能以及为我们提供适当的技术质量水平方面遇到了一些困难，因此导致了一些延迟。” “但事实上，第一批货还是今年。

目前，各晶圆厂最先进的 EUV 扫描仪是 ASML 的 Twinscan NXE:3400C 和 NXE:3400D。这些扫描仪配备 0.33 数值孔径 (NA) 光学器件，可提供 13 nm 分辨率。这样的分辨率适合采用金属间距在30纳米至38纳米之间的制造技术来印刷芯片。然而，当节距降至 30 nm 以下（节点超过 5 nm）时，13 nm 分辨率就不够了，芯片制造商将不得不使用 EUV 双图案化和/或图案成形技术。鉴于双图案 EUV 成本高昂且充满风险，业界正在开发高数值孔径 EUV 扫描仪（其数值孔径为 0.55），以实现本世纪后半叶制造技术的 8 纳米分辨率。

ASML 的高数值孔径扫描仪将再次改变半导体工厂的配置，因为它们不仅将采用新的光学器件，而且还需要更大的新光源，这将需要新的工厂结构，从而导致大量投资。尽管 ASML 的高 NA 扫描仪本身预计将是重大投资，各种报告指出每台 300 至 4 亿美元，高于每台 0.33 NA EUV 扫描仪 2 亿美元以上。

英特尔最初计划在其18A (1.8 nm) 生产节点中使用 ASML 的 High-NA 工具，该节点定于 2025 年进行大批量生产，恰逢 ASML 预计交付其 Twinscan EXE:5200。然而，英特尔后来将18A生产的开始时间推迟到2024年下半年，显然选择使用ASML的Twinscan NXE:3600D/3800E进行两次曝光，以及应用材料公司的Endura Sculpta图案成形系统，以减少EUV的使用双图案化。

英特尔预计将成为 ASML 试点 High-NA 扫描仪的 alpha 客户，因此当英特尔在今年晚些时候收到该机器时，其开发人员和工程师将能够调整英特尔的工艺技术以适应即将推出的生产工具。考虑到这些工具的时间安排与英特尔自己的工艺节点计划的比较，目前仍不清楚他们将如何以及何时将这些工具集成到他们的工艺中。由于 18A 预计将成为一个长期节点，英特尔可能仍打算在其上使用高数值孔径 EUV，即使该选项一开始并不可行。

与此同时，三星代工厂和台积电计划于 2025 年末开始在其 2 纳米级节点（SF2、N2）上生产芯片。尽管High NA 机器如何纳入他们的计划仍然悬而未决。

南韩科技媒体SamMobile报导，南韩三星电子运行董事长李在镕上周访荷兰时，与半导体制造设备大厂艾司摩尔（ASML）签订合资创建研发设施的历史性协议，将有助于三星进攻2纳米芯片的发展。报导同时指出，ASML计划明年生产10台能生产2纳米芯片的设备，而英特尔（Intel）据传已经抢下其中的六台。

SamMobile报导指出，ASML将在未来几个月内推出生产2纳米芯片的设备，最新的EUV微影设备，预计将让数值孔径（NA）从0.33提高至0.55，让光学系统的收光能力更强，将有助于芯片制造厂利用超精细图案化技术来生产2纳米芯片。

报导说，ASML计划明年生产十台这款设备，而英特尔据传已经买下其中的六台。ASML计划未来几年要改善产能，年产20台。

至于三星则计划在取得2纳米芯片制造设备后，将在2025年底开始生产2纳米芯片。然而，就像任何技术和策略计划一样，这类芯片的推出时程也可能延后，取决于市况和制造品质。

SamMobile的报导指出，李在镕从荷兰回到南韩后，表示他对三星与ASML签署的合资创建研发设施协议感到满意。三星上周和ASML签署以1兆韩元（7.55亿美元）在南韩投资创建半导体芯片研发设施的协议，未来将在该设施研发EUV技术。

三星电子领导设备解决部门的负责主管庆桂显强调，该公司的最新协议有助于取得下一代高数值孔径EUV微影设备。他说，「三星已经取得高数值孔径设备技术的优先权。（从这趟旅程）我相信我们创造了机会，能优化利用高数值孔径技术，长期有利于我们生产DRAM内存芯片和逻辑芯片」。

报导说，在即将设立、位于京畿道东滩的芯片研发设施，来自ASML和三星电子的工程师将合作改善EUV芯片制造技术。这项协议不是聚焦把2纳米芯片制造设备引入南韩，而是聚焦两家公司的合作关系，以便让三星能够更好地利用下一代的设备。

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