美光的DRAM厂，延期了
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来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）综合自电子时报，谢谢。
内存制造商美光科技计划在日本广岛建设新的DRAM 工厂。新工厂将配备极紫外光刻 (EUV)设备，用于生产美光最先进的内存产品。根据公司原计划，公司将于 2026 年初破土动工，并于 2027 年建成并投入运营。
据《电子时报》报道，美光于 2023 年宣布将投资高达 5000 亿日元（32 亿美元）将 EUV 设备引入广岛。最初的目标是在 2025 年底前在那里开始量产最先进的 DRAM。最新消息表示，该工厂的建设可能会推迟两年。
工厂 竣工后，将生产下一代计算机内存技术1-gamma DRAM 。它还将生产用于生成式 AI 的高带宽内存 (HBM)。美光希望到 2025 年在 HBM 市场占有 25% 的份额。目前，它落后于 SK 海力士和三星，后两家公司的 HBM 产量分别占全球 50% 和 40%。美光执行副总裁兼首席商务官 Sumit Sadana 估计，DRAM 的全球市场规模每年增长 15%。该高管预计 HBM 的增幅将是这个数字的三倍。这意味着HBM 的销售额每年可以增长 40% 到 50%。这对美光来说具有很大的潜力。
目前，有报道显示，新工厂的初期投资将在 6000 亿至 8000 亿日元（38 亿至 51 亿美元）之间。据报道，日本经济产业省将承担三分之一的成本。它向美光提供了高达 1920 亿日元（12 亿美元）的建设和设备补贴。美光还获得了一笔补贴，以支付工厂生产 HBM 所需资金的一半，金额为 250 亿日元（1.59 亿美元）。
日经新闻4月30日报导，为了因应生成式AI用记忆体需求扩大，美光将在日本广岛工厂量产生成式AI所必需的「高频宽记忆体(HBM)」、目标在2025年将HBM全球市占率提高至25%、将达2022年的2倍以上水准。
美光执行副总裁兼事业长Sumit Sadana接受日经新闻专访表示，「广岛工厂将成为AI记忆体生产据点」，藉由导入次世代技术和增产投资，「目标将HBM市占率提高至25%左右水准」。美光2024年2月开始出货的新型HBM产品已获英伟达(Nvidia)采用。
因此，虽然工厂的启动和运营有所延迟，但对工厂的投资金额却有所增加。这可能是因为美光需要尽快增加生产能力。其 2024 年的 HBM 产量已经完全售罄，而美光 2025 年的产量也已被客户 100% 预订。
参考链接
https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/microns-plans-for-an-additional-dram-fab-in-hiroshima-delayed-until-2027
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