台积电大幅增加2纳米投资
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需求强劲，台积电2025年资本支出又将冲高。业界传出，因持续加码2纳米等最先进制程相关研发加上2纳米后续需求超乎预期强劲，产能将导入南科，台积电2025年资本支出可望达320亿美元至360亿美元区间，为历年次高，年增12.5%至14.3%。
市场指出，阿斯麦（ASML）与应用材料会是龙头厂资本支出拉升的赢家，相关协力厂有望同步沾光。台积电表示不评论市场传闻，重申有关资本支出和2纳米进展，以4月法说会内容为主。
台积电4月法说会上强调，资本支出和产能规划是基于长期的结构性市场需求。2024年资本支出预计将介于280亿至320亿美元之间。2纳米如期在2025年进入量产，量产曲线预计与3纳米相似。
台积电董事长魏哲家在今年股东会后回应媒体提问时指出，先前台积电三年千亿美元的投资计画去年已真正达成，人工智能（AI）使台积电前途一片美好，谨慎考量资本支出与规划产能，产能和市场需求息息相关，至于是否会超过先前的规画则希望投资人拭目以待。
近期业界则传出，台积电2纳米客户群需求超乎预期强劲，相关扩充产能规画也传将导入南科，以制程升级挪出空间。除了苹果先前率先包下台积电2纳米首批产能，非苹应用客户也因AI蓬勃发展而积极规划采用。
业界传出，台积电2纳米产能建置估计全台，包含竹科宝山可盖四期、高雄二期，南科相关规画若成真，估将有助2纳米家族冲刺达至少八期八个厂的产能。
台积电持续推进2纳米2025年量产的目标，先前2纳米的宝山第一厂在2024年4月设备进机，后续宝山第二厂也维持进度，高雄厂规划2纳米扩充，预定相关设备最快2025年第3季进机，若南科也加入生产，应从2025年底至2026年接续量产扩充。
从2nm工艺开始，台积电还将引入全栅晶体管（GAA）技术。在3nm工艺保留现有FinFET工艺的同时，台积电和三星电子都将从2nm工艺开始采用GAA技术。这一举措引起了极大关注，尤其是三星电子此前已从第一代3nm工艺开始采用GAA技术。
因此，预计明年 2nm 工艺将出现激烈的竞争，或称“代工厂大屠杀”，行业亚军三星电子将选择专注于 2nm 工艺，而不是突破 2nm 以下技术的极限。
业界观察台积电动态调整，因应客户与市场需求，中科仍有空间规划建置更先进1纳米家族制程。
法人预期，台积2025年资本支出恢复小幅年增，估计不影响季配息拉升，因台积3纳米、5纳米先进制程领先带来充沛现金流，资本密集度可维持不过度冲高，有利季配息逐步拉升，最快2025年现金股息24元起跳，后续仍有成长空间。
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