to tidewater: 贴一段本科毕业论文# Memory - 如烟网事
s*e
1 楼
呵呵，现在看起来真好玩：
……
为了减小光刻芯片时产生的图形变形与偏差，实际生产中通常采用掩膜版图形补偿机制
，也就是说，通过改变掩膜版上图形的形状或者图形透光的相位来弥补光刻到硅片上时
产生的图形变形，使得硅片上光刻得到的图形与预期的图形基本符合。我们将这种补偿
机制称之为刻线提高技术 (RET：reticule enhancement technology)。刻线提高技术
一般来说主要包括光学临近矫正(OPC：optical proximity correction)、相位转换掩
膜版 (PSM：phase-shift mask) 和辅助图形与伪图形（assist and dummy features）
。这些技术已经被单独或综合地应用于实际生产，许多公司也相继开发了处理软件，取
得了良好的效果。在深亚微米技术阶段，这种矫正处理已经成为芯片设计过程必不可少
的步骤。
……
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为了减小光刻芯片时产生的图形变形与偏差，实际生产中通常采用掩膜版图形补偿机制
，也就是说，通过改变掩膜版上图形的形状或者图形透光的相位来弥补光刻到硅片上时
产生的图形变形，使得硅片上光刻得到的图形与预期的图形基本符合。我们将这种补偿
机制称之为刻线提高技术 (RET：reticule enhancement technology)。刻线提高技术
一般来说主要包括光学临近矫正(OPC：optical proximity correction)、相位转换掩
膜版 (PSM：phase-shift mask) 和辅助图形与伪图形（assist and dummy features）
。这些技术已经被单独或综合地应用于实际生产，许多公司也相继开发了处理软件，取
得了良好的效果。在深亚微米技术阶段，这种矫正处理已经成为芯片设计过程必不可少
的步骤。
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