IEEE行业快报 | 新型存储技术-铁电存储
随着物联网、人工智能、智慧车辆等新兴应用的快速更迭，市场对数据存储在速度、功耗、容量、可靠性等层面提出了更高要求，存储器技术也在不断地面临着新的挑战。在当前主流的存储器技术中，DRAM虽然速度快，但功耗大、容量低、成本高，且断电无法保存数据，使用场景受限；NAND Flash读写速度低，存储密度明显受限于工艺制程。为了突破DRAM、NAND Flash等传统存储器的局限，新型存储技术开始进入大众视野。
本期快报将聚焦于“铁电存储”技术，“铁电存储”技术具有读写速度快、寿命长、功耗低、可靠性高的特点，凭借诸多特性，正在成为存储器未来发展方向之一。
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IEEE在“铁电存储”领域技术全景
IEEE近10年在“铁电存储”领域的发文趋势。（点击文末“阅读原文”，下载完整版报告即可访问历年发文情况。）
数据来源：IEEE Xplore，2023年5月
IEEE在“铁电存储”领域的技术热词。
数据来源：IEEE Xplore，2023年5月
全球 “铁电存储”领域研究情况。（点击文末“阅读原文”，下载完整版报告即可了解部分国家研究情况。）
数据来源：IEEE Xplore，2023年5月
IEEE Transactions on Electron Devices
关于本刊：月刊，关注电子、离子集成电路的理论、建模、设计、性能以及可靠性相关的研究。
该刊“铁电存储”相关技术文章推荐：
Monolithic Integration of Oxide Semiconductor FET and Ferroelectric Capacitor Enabled by Sn-Doped InGaZnO for 3-D Embedded RAM Application
Performance Improvement by Modifying Deposition Temperature in HfZrOx Ferroelectric Memory
A Technology Path for Scaling Embedded FeRAM to 28 nm and Beyond With 2T1C Structure
69th Annual IEEE International Electron Devices Meeting
第 69 届 IEDM 将于 2023 年 12 月9 日至13 日在美国旧金山举行。会议内容涵盖半导体和电子元件技术、设计、制造、物理和建模等领域的技术突破，主要针对纳米级 CMOS 晶体管技术、先进存储器、显示器、传感器、MEMS 元件、新型量子和纳米元件和现象学、光电子学、功率和能量采集设备、高速设备、工艺技术和设备建模与仿真等技术的最新动态。
该会议录“铁电存储”相关文章推荐：
FeRAM using Anti-ferroelectric Capacitors for High-speed and High-density Embedded Memory
Hafnia-Based FeRAM: A Path Toward Ultra-High Density for Next-Generation High-Speed Embedded Memory
A c-axis aligned crystalline IGZO FET and a 0.06-μm2 HfO2-based Capacitor 1T1C FeRAM with High Voltage Tolerance and 10-ns Write Time
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Semiconductor Microchips and Fabrication: A Practical Guide to Theory and Manufacturing
本书是2023年新出版的电子图书，该书将半导体理论与实践相结合，围绕实际的设备和工艺，以高度可视化的形式进行展示，配以插图，包括设备图片、制造工艺原理图、半导体微芯片的结构等。
涵盖的主题包括：
半导体基本概念的介绍；
半导体设备和制造机器的基本知识；
晶体管和集成电路的介绍；
微芯片制造中使用的主要工艺，包括光刻、金属化、反应离子蚀刻(RIE)、等离子增强型化学气相沉积(PECVD)、热氧化和注入等；
工艺设计和解决问题的技巧，如干蚀刻配方的设计等；
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