TowerSemi秦磊：携手共创光通信未来

在11月10日举行的第29届中国集成电路设计业2023年会暨广州集成电路产业创新发展高峰论坛（ICCAD）上，Tower Semiconductor Ltd.（下称“TowerSemi”）全球副总裁秦磊发表了题为“射频终端、基础设施和电源市场趋势及Tower解决方案”的演讲。

在演讲中，秦磊先生对射频基础设施、射频终端、电源和混合信号这三个市场的趋势做了解读。与此同时，他还分享了TowerSemi公司作为晶圆代工厂目前相关的解决方案。

秦磊表示，在射频和高性能模拟电路（RF&HPA）领域，5G市场的迅速成长以及技术的发展和成熟给射频模拟芯片市场带来了诸多增量，同时也带来了对技术性能上的更高要求和市场需求。在晶圆生产制造端，RF-SOI、高速SiGe和硅光（Si Photonics）工艺的发展十分迅速，市场规模也在加速提升。

面对这些机会，Tower Semi研发的RF-SOI等工艺已经在8英寸和12英寸上平台同步发力。公司同时还拥有多种工艺技术，能够更好地满足客户和市场需求。

秦磊强调了目前光通信市场的庞大潜力。不论国内还是国外，都在发展自己的大数据中心。而随着大家对数据需求量的增大，以及对数据通讯速度的要求，高速的光通信愈发凸显其重要性。400G的市场正在快速增长；随着ChatGPT等人工智能技术的突破，相信到明后年800G将迎来非常高速的增长，推动光通信全产业往前进步；与此同时，100G的市场仍将存续。

在基础设施领域，不仅大数据中心，光通信在5G基站中也获得了应用机会，5G通信基站靠光通信的电缆在通讯，光通信芯片从传统的光纤到户。

如秦磊所说，传统光模块以前有很多不同的分离器件。而技术发展到今天，我们可以依靠SiGe和硅光技术将它们整合成若干个芯片。凭着高速率、高集成化、低功耗、低成本等优势，硅光芯片成为了目前的热门产品，未来市场前景广阔。

光通信模块目前还有一个“去DSP化”的大趋势，尤其在数据中心使用的芯片中，为了实现更低成本、更低功耗、更低延迟，同时提升自主可控，近两年的架构设计上倾向于用更多补偿取代DSP，由此，适用SiGe工艺的模块更多了，推动SiGe市场的进一步增长。

秦磊提到，与数字工艺的scaling不同，SiGe等射频模拟工艺更佳重视每一代性能上的提升。以TowerSemi锗硅工艺中当前最先进的H5/H6为例，在FT, FMAX和BVCEO等关键指标上均有显著的提升。目前H5已经大规模量产，并通过大量产品验证保障了稳定的良率，更先进的H6是今年9月份正式发布，目前正在原型验证阶段中。

“目前硅光市场仍在起步阶段，现阶段以数据中心的应用为主，未来几年内预计将取得高速增长。硅光是一个投资非常热门的领域，在中国市场中已有不少公司开始尝试。国内外的光模块厂都在硅光产品上有所布局，同时也有很多初创公司进入该领域。这是一个极具技术挑战的领域，预计也会出现非常多的创新。”秦磊提到，“不过，相对普通CMOS工艺平台而言，硅光工艺很难做成标准的工艺平台。但TowerSemi也在不断努力，目前已经有了标准平台可以供客户使用。”

硅光工艺的关键指标是追求更高的带宽，更低的功耗，和更低的综合成本（每Gbps的成本），秦磊表示，TowerSemi在这些指标上为客户提供了具有优势的工艺技术。他重点提到了目前TowerSemi业界领先的PH18M SiPho平台，该平台提供了一系列丰富的光学元件，包括超高带宽调制器、光电探测器、低损耗波导和光耦合解决方案。结合成熟的设计库，该平台能够提供设计仿真到芯片性能的准确匹配，使设计人员能够以最小的设计迭代将解决方案按时推向市场。TowerSemi是目前全球为数不多的，能够进行硅光大规模量产的晶圆厂之一。

在射频移动终端领域，尽管手机市场目前看不到杀手级的应用，换新机的驱动力不够强劲，但受5G和未来6G的驱动，射频前端的含量不断增加，推动RF-SOI和SiGe的市场稳步增长。TowerSemi的RF-SOI工艺拥有业界领先的Ron-Coff参数，且在全球多个国家进行生产，提升供应链的弹性，降低缺货风险。

电源市场一直是比较大的市场，运用范围广泛，秦磊提到，针对不同的客户需求，如追求更小的Rdson，或是更高的耐压等，TowerSemi为客户提供了匹配的工艺选择。

秦磊总结说，TowerSemi通过提供专业的解决方案，在射频终端、基础设施、电源这三个重要市场中更好的为行业客户赋能，凭借不断演进的技术能力，创新的思维方式和专注力，TowerSemi未来会继续积极引领模拟生态系统，为创造全周期价值贡献力量。