DDR 3,也开始涨价了?
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继标准型DRAM、储存型快闪记忆体(NAND Flash)市况谷底反弹后,DDR3利基型记忆体在国际大厂全力冲刺高频宽记忆体(HBM)、DDR5等高阶应用并空出DDR3市场带动下,推升DDR3芯片价格短线急涨近一成,本季合约价可望劲扬10%至15%,明年首季持续看俏,华邦(2344)、钰创、晶豪科等业者近期订单涌进,开始加大备货力道,喜迎涨价商机。
法人指出,标准型DRAM与NAND芯片目前都由三星、SK海力士、美光等国际大厂主导,台厂在芯片制造端无法与其抗衡,仅模组厂有望以低价库存优势搭上DRAM与NAND芯片市况反弹列车;DDR3制造则是台厂的天下,随着DDR3跟着涨价,对台湾记忆体业者帮助大。
业界人士分析,带动此波记忆体市况转扬的主要动能,在于国际大厂陆续减产的效益发酵,近期随着产能紧缩,更严格控制出货,完全展现要支撑价格上涨的决心。
另一方面,三星、SK海力士、美光积极跨足AI应用,将主要产能挪到生产高频宽记忆体、DDR5等高阶领域,也让DDR3市场出现空间,近期客户端回补库存以及消费性电子急单报到,研调机构集邦科技(TrendForce)指出,DDR3报价从9月起陆续走扬,DDR3 4Gb至今累计涨幅近一成,DDR3 2Gb累计涨幅则有14%。
合约价方面,集邦预期本季将劲扬10%至15%,明年首季续强,有望再涨5%至10%。
DDR3相关业者均正向看待市况发展。钰创认为,随着库存消化告一段落,「循环谷底已过」,目前逐渐迎向复苏的曙光.正向看待明年全球DRAM市场将迎来显著成长。
晶豪科方面,该公司不断推进自家产品的进程,无论在DRAM、Flash以及MCP产品,都持续开发新品,并跨足不同市场,包括加速19纳米DRAM记忆体IC研发、完成28纳米Nand Flash产品量产,另外也研发车规用的利基型记忆体IC产品。
华邦总经理陈沛铭指出,本季营运将优于第3季,看好明年DRAM市况。
供应链透露,随着产业经过逾一年库存去化,近期终端消费性电子急单大增,带动DDR3芯片需求喷发,因应客户需求,华邦、钰创向载板协力厂备货量激增,晶豪科投片量也有上升趋势,显示市况回温以及价格反转之际,业者无不积极备货迎接盛况。
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