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AMD处理器将颠覆SSD技术

AMD处理器将颠覆SSD技术

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来源:内容由半导体行业观察(ID:icbank)编译自tomshardware,谢谢。


当你拥有 AMD 的 3D V-Cache 时,谁还需要英特尔的 Optane?



谁会想到最好的 CPU可以与最好的 SSD相媲美?显然,可以在 AMD 的 Ryzen 3D V-Cache处理器上运行 RAM 磁盘,并实现连续读写速度,甚至可以击败最快的PCIe 5.0 SSD。


这个谜团始于我们的冷却专家Albert Thomas分享的一个有趣的屏幕截图,其中 RAM 磁盘在 CrystalDiskMark 中的顺序读取和写入速度分别约为 178 GB/s 和 163 GB/s。值得注意的是,据报道,结果来自运行在 AMD Ryzen 7 7800X3D处理器上的 RAM 磁盘。


起初,人们对这一说法持怀疑态度,因为您需要将 L3 公开为块存储设备才能运行 CrystalDiskMark 基准测试。假定的容量 (508MB) 大于 Ryzen 7 7800X3D 上的 3D V-Cache,后者具有 96MB 的 L3 缓存。然而,似乎有一种合法的方法可以将 3D V-Cache 用于 RAM 磁盘。


Nemez是 X(以前称为 Twitter)上的用户,发现了该方法。这位热心人在二月份分享了让它发挥作用的步骤,但它并没有引起人们的注意。结果甚至比 Thomas 的结果更加引人注目,在上一代 Ryzen 7 5800X3D 上,RAM 磁盘的顺序读取和写入速度分别达到 182 GB/s 和 175 GB/s左右。



该方法基于 OSFMount,这是一个免费软件,允许您创建 RAM 磁盘并挂载不同格式的映像文件。创建采用 FAT32 格式的 RAM 磁盘听起来很简单。


但是,您需要在 CrystalDiskMark 上使用精确的设置才能使其正常工作。根据 Nemez 的说法,您必须将测试值配置为 SEQ 256KB、队列深度为 1、线程数为 16。您还必须将数据填充设置为零而不是随机。由于系统负载的性质,该方法可能在第一次尝试时不起作用,因此您可能需要运行基准测试几次。


看到爱好者发现 AMD 3D V-Cache 的新用途真是令人着迷。虽然性能数据看起来非常出色,但它们仍远未发挥 3D V-Cache 的潜力。例如,第一代3D V-Cache的峰值吞吐量为2 TB/s。AMD 随后将第二代变体的带宽提高到 2.5 TB/s 。


这个实验很酷,但在实际使用中并不实用,因为没有一致的方法来利用 3D V-Cache。该方法并非万无一失,有时需要反复试验。此外,消费者 Ryzen 芯片上的 3D V-Cache 太小,没有什么帮助。例如,旗舰Ryzen 9 7950X3D只有128MB的L3缓存。另一方面,AMD 的 EPYC 处理器(例如具有 1.3GB L3 缓存的Genoa-X)可能是一个有趣的用例。


尽管如此,我们认为 3D V-Cache 和 RAM 磁盘还是有潜力的。这是将老派技术和新技术结合在一起的巧妙方法。SSD 已经让 RAM 磁盘过时了,但也许大量的 3D V-Cache 可以让它们复活。试想一下,如果 AMD 接受这个想法并推出故障安全实施方案,消费者可以通过翻转开关将 3D V-Cache 转变为 RAM 磁盘,那么这种可能性将会有多大。


*免责声明:本文由作者原创。文章内容系作者个人观点,半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点,不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系半导体行业观察。


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