三星正努力在代工芯片制造领域占据领先地位，因为台积电长期以来一直是全球领先的接触式芯片制造商。另外，三星旨在通过推出采用 3nm 工艺技术的 2023 Gate All Around (GAA) 晶体管芯片来弥合自身与台湾公司之间的技术差距。

三星总裁兼设备解决方案业务部芯片合同制造总经理 Siyoung Choi 今天在韩国的主题演讲中宣布了这一消息。该活动在大田的韩国科学技术研究院 (KAIST) 举行。在活动中，首席执行官回答了与会者有关三星芯片业务状况及其未来计划的问题。

Choi 表示，台积电在芯片制造方面远远领先于三星。他认为三星需要五年时间才能赶上并超过台积电，尽管两家公司目前都在生产 3nm 半导体。虽然这些技术的营销名称可能相似，但它们在设计上完全不同，三星使用最新的 GAA 技术制造晶体管，而台积电则依赖成熟的 FinFET。

Choi 表示，使用 GAA 至关重要，因为“三星的 4nm 技术目前比台积电落后大约两年，3nm 技术落后大约一年，但当台积电转向 2nm 时，这种情况将会改变”。与三星不同，据报道台积电计划使用 2nm 的 GAA 技术。Siyoung 认为三星将有机会迎头赶上，因为台积电预计将因新技术而变得更加困难。

三星发言人还强调，该公司芯片的合同制造客户数量持续增长，重点是关键的全球技术。”“客户对三星的 3nm GAA 工艺赞不绝口”，Choi 说。“我不能说出任何名字，但几乎所有知名公司现在都在与我们合作。”。Choi进一步指出。

这位三星高管不仅对其公司的新芯片技术持乐观态度，而且相信三星的芯片部门将在 AI 竞赛中证明比 NVIDIA 的 GPU 更重要。

据报道，全球第一大晶圆代工公司台湾台积电计划对美国制造的半导体收取比台湾制造的半导体高出 30% 的费用。此举是否会影响三星电子芯片的价格还有待观察。

5 月 3 日，据外媒和业内消息人士透露，台积电将对美国制造的芯片收取比台湾制造的芯片高 30% 的费用。

据报道，台积电已开始与客户讨论其在美国和日本的工厂计划于 2024 年底开始推出产品的定价。这将导致台积电在美国制造的 4 纳米 (N4) 和 5 纳米产品价格上涨 20% 至 30% 。

台积电一再指出，在台湾以外建半导体厂比在台湾建厂要贵得多。4月中旬，台积电创始人张忠谋在台湾台北的一次座谈会上警告称，美国生产半导体芯片的成本可能比台湾成本高出一倍。Chang 此前曾预测，台积电在亚利桑那州的芯片工厂成本将比其在台湾的主要生产线高出 50% 以上，但当天，Chang 更进一步，声称实际成本将翻一番。台积电正在亚利桑那州建设一家半导体工厂，并计划建设第二家工厂，总耗资 400 亿美元（52.5 万亿韩元）。

业内人士一直指出，在美国建造半导体晶圆厂的成本更高。根据美国半导体行业协会 (SIA) 的数据，美国晶圆厂的建造和运营成本在 10 年内比台湾、韩国和新加坡的晶圆厂高出约 30%。即使与中国的晶圆厂相比，它们在美国的成本也要高出 37% 到 50%。

他们说，因此，台积电将把这些额外的半导体制造成本转嫁给美国客户。不知道台积电的客户，无晶圆厂公司是否会容忍这样的价格上涨是一个很大的挑战，但台积电极有可能主要针对价格敏感度较低的电子设备芯片实施定价政策。

消息人士称，由于在美国建设和运营晶圆厂的成本很高，台积电将把这些额外成本转嫁给客户，以维持其 53% 的毛利率目标。

分析师表示，这让三星电子的代工业务变得更加复杂。据行业观察人士称，三星将倾向于提高其芯片的价格，因为在美国建造晶圆厂的成本正在膨胀。另一方面，世界第二大晶圆代工企业三星电子需要增加市场份额以与台积电竞争，因此可能不需要提高价格来吸引客户在三星电子和台积电之间进行选择。