三星扩大DRAM减产的五大原因

记忆体大厂三星9月宣布扩大减产，限缩DRAM、NAND Flash供给，在供应商不愿再降价下，DDR4 1G*8颗粒现货价持续上涨，近两周累积涨幅超过一成。

三星宣布扩大减产，将DRAM减产幅度自第二季的20％、第三季的25％，进一步扩大至第四季的30％，减产着重在DDR4。

产业界人士认为，三星扩大减产，主要原因有五：一是自8月以来，AI伺服器持续排挤一般伺服器需求，拖累伺服器需求下修，且此情势可能延续下去，2024年一般伺服器需求数恐持平。

二是9月以来，大陆政府限缩iPhone采购，带动Android手机业者增加记忆体采购，惟仍不足以弥补伺服器需求的下修。三是Q2及Q3零售及工控型皆已大致完成补库存至15～20周的目标。

四是三星因应DDR5供不应求情势，预计在第四季拉升P3L新厂的投片量至每月5万片，需限缩既有厂区DDR4生产量，限缩整体位元产量、达成在第四季底将库存去化至10周以下的目标，并推动大宗的DDR4价格在第四季止跌翻涨。五是1Ynm以上制程仍处现金流出状况，须减产止血。

三星减产DRAM及NAND Flash后，零售型模组业者的通路询单已回温，带动库存周转加速、SSD模组价格上涨，进一步带动DRAM模组通路的询单及报价格。

展望9月下旬，业者认为，SK海力士及美光亦将跟进，NAND Flash减产幅度将自第三季的25％扩大至第四季的30％，推动产业链采购气氛回温。

TrendForce最新现货价也显示，与近期NAND Flash现货市场态势相近，由于供应商强烈表达不愿意再降价，使得原先盘据DRAM低价端的二手拆板reball颗粒开始出现明显买气。然而，观察现货的模组价格并未出现明显涨幅，能够研判目前的涨价来自于先前跌深的低价颗粒，尚未出现因为实际需求回温，所带来全面性的上涨。