这类芯片涨价，已成定局

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2024-01-02 02:01

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来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）转载自工商时报，谢谢。

存储产业走过整个2023年，由「去库存」转至「补库存」，加上AI高速运算所需搭配高频宽存储器（HBM）需求大增，国际大厂包括三星、SK海力士等稼动率逐渐恢复，展望2024年，业者乐估，大厂产能扩张仍属节制，存储报价将维持上涨趋势不变。

据业界了解，2023年11～12月期间，随PC及手机回补库存需求带动，SK海力士及威腾分别提升DRAM及NAND Flash工厂稼动率。

三星及SK海力士的DRAM及NAND Flash投片量，也在2023年第四季恢复至2022年第四季的高峰，但稼动率虽有所提升，产品报价尚未回到成本之上。

研调机构预估，2024年DRAM资本支出将和2023年相当，NAND资本支出则低于2023年约7％～9％，并未有大幅扩产现象。

截至2023年第四季，DRAM及NAND产能利用率，仅在先前高峰时的75％～80％、60％～65％，而原厂资本支出，将主要用于1b／1c nm制程扩充，以及HBM／200L 3D NAND相关需求。

业界人士指出，近期存储报价趋于稳定，主因季节性淡季需求减缓，交易行情冷清，但各大原厂在亏损下，涨价意图坚决，因此，在未回到成本之上前，预期存储报价涨势趋势不变。

中国大陆手机备货需求畅旺，TrendForce上修2024年第一季手机相关存储报价展望，将Mobile DRAM涨幅从原本预估的上涨8％～13％，上修至18％～23％，将eMMC／ UFS涨幅，由原本的5％～10％，上修至18％～23％，即是一例。

最近，DRAM内存、NAND闪存的价格都迎来了两年多来的首次上涨，似乎在印证这一观点。

从存储企业和设备企业签约的11月DRAM内存大宗交易价格来看，作为市场风向标的8GB DDR4单价为1.65美元左右，环比上涨11％。

这是2021年6月以来，该产品的价格首次上涨。

NAND产品中，同样代表市场行情的256Gb TLC，第四季度单价为1.85美元左右，相比三季度上涨12％。

这也是该产品2021年第三季度以来首次上涨。

从2022年下半年开始，三星、SK海力士、美光等存储大厂纷纷大幅减产，以期降低库存水平，控制市场价格下跌的趋势，如今看来终于有了“成效”，涨价的意愿非常强烈。

某PC厂商的采购负责人透露：“如果对方说‘价太低不能供货’，我们就只能接受一定的涨价。”

根据大摩在最新报告中再次上调了存储芯片涨价预期。报告指出，目前市场供需情况呈现供不应求的局面，下游客户已经开始补充库存，中国智能手机 OEM 厂明年第一季订单量将大幅增加，电脑 ODM/ OEM 也在建立库存。大摩此次的预估是， DRAM 和 NAND 价格将在明年第一季上涨 20%，最新的预期较此前增幅翻倍，此前的预期是 DRAM 价格涨幅为 8% 至 13%，NAND 价格涨幅为 5% 至 10%。

其中，智能手机制造商重新补库存将带来价格的上涨，库存将恢复到正常水准 (移动 DRAM 需要 4 至 6 周，NAND 需要 6 至 7 周)。在供需方面层面，存储芯片商在大幅减产、积极去库存之后，产量远远低于需求，随着需求的改善，明年的价格上涨前景将更加明确。人工智能需求将进一步提振存储芯片价格，大摩指出，“我们还需要考虑到明年 HBM 芯片100 亿美元市场规模长的影响，以及 AI 需求的突然出现将导致供应短缺延长。”此外，虽然 AI 应用程序大部分都部署在云端，但从 2024 年开始，边缘计算需求将变得越来越普遍 (移动 AI)，并可能逐渐进入智能手机升级周期。

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