ASML公告：部分出口许可证被吊销
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来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）综合自ASML官方信息，谢谢。
近日，ASML发公告称，荷兰政府最近部分吊销了2023年发货NXT:2050i和NXT:2100i光刻系统的许可证，影响了少数中国客户。
我们预计目前出口许可证的撤销或美国最新的出口管制限制不会对我们 2023 年的财务前景产生重大影响。
在最近与美国政府的讨论中，ASML获得了美国出口管制法规的范围和影响的进一步明确。美国最新出口规则（2023 年 10 月 17 日发布）对有限数量的先进生产设施的某些中关键 DUV 浸没式光刻系统施加了限制。
ASML 完全致力于遵守所有适用的法律和法规，包括我们经营所在国家的出口管制立法。
领先的DUV光刻机
据ASML介绍，TWINSCAN NXT:2050i 是一款高生产率、双级浸没式光刻工具，专为在先进节点批量生产 300 毫米晶圆而设计。
TWINSCAN NXT:2050i 基于面向未来的 NXT4 平台而构建，突破了重叠限制，并为浸没式光刻系统提供了无与伦比的生产力。
TWINSCAN NXT:2050i 是最先进的浸没式光刻系统设计与先进镜头设计的结合，其数值孔径 (NA)为 1.35，这是目前半导体行业中最高的。
该步进扫描系统是一款高生产率的双级工具，专为批量生产而设计。
通过将高生产率与前所未有的覆盖性能相结合，该系统满足了多种图案化要求，为在先进逻辑和 DRAM 节点制造 300 毫米晶圆提供了经济高效的解决方案。
TWINSCAN NXT:2050i 正在提高半导体生产力，每小时能够生产 295 片晶圆。与早期的TWINSCAN系统相比，该系统减少了管理时间，每天能够额外交付 400 至 500 个晶圆 。重新设计的晶圆台配备了更强大的电机，能够更快地加速并更准确地执行运动。
TWINSCAN NXT:2050i 采用新型浸入式罩，可减少水分流失，显著提高缺陷性能。这意味着通过减少减速来提高产品产量和生产率。
该系统采用 1.35 NA 193 nm 折反射投影镜头，可实现低至 40 nm（C-quad）和 38 nm（偶极）的生产分辨率，并采用支持全 26 x 33 mm 视场尺寸、4X 缩小和十字线的串联设计与现有设计的兼容性。
该系统的透镜元件配备了操纵器来校正光学像差，从而实现低 k 1的最大生产率成像。镜头指纹现已进行高密度优化，可匹配EUV。
并行 ILIAS (PARIS) 传感器可以并行测量整个投影狭缝的光学像差，从而实现更精确的对准、增强的标线加热校正和即时透镜加热校正。TWINSCAN NXT:2050i 使用的 PARIS 传感器对传感器安装座进行了改进，从而实现了更好的定位再现性。
该系统通过ASML的极紫外 (EUV) NXE 系统提供了改进的交叉匹配性能 。它可以在产品叠加上实现 2.5 nm 交叉匹配。标线台配备了增强型夹具，不仅提高了系统的可靠性，还提高了覆盖层的可靠性。ORION 对准传感器可提供更高的对准测量精度和增强的过程稳健性，未来可升级至 12 色模式。
液位传感器 (UVLS-2) 使用紫外线来最大限度地降低系统在晶圆表面在线测绘过程中对工艺堆栈变化的敏感度。该传感器具有更高的测量密度，可在晶圆边缘实现更高的调平精度。
TWINSCAN NXT:2100i 是TWINSCAN NXT:2050i的后继产品。其新的硬件和软件创新使单机覆盖率提高了 10% (0.9 nm)，匹配机覆盖率提高了 13% (1.3 nm)。每小时晶圆产量为295片。
NXT:2100i 采用了新的镜头畸变操纵器 ，为芯片制造商提供了前所未有的校正能力。它使系统能够改善 DUV-EUV 交叉匹配叠加。
通过将 4 色测量增加到 12 色以及在晶圆测量侧添加更多对准标记测量，可以提高对准精度。各种软件算法也已更新，以提供改进的场间和场内叠加控制。
其他进步包括改进分划板的热调节，从而降低分划板之间的温度变化，以及新的集成传感器单元，以提高透镜计量和分划板对准精度。
这些创新将改进产品上的覆盖，从而提高使用深紫外 (DUV) 和极紫外 (EUV) 光刻系统印刷的内存和逻辑芯片的产量。
新闻链接
https://www.asml.com/en/news/press-releases/2023/statement-regarding-partial-revocation-export-license
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END
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