DRAM，将大涨20%
👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~
来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）XXXXXXXXXX，谢谢。
过去一年来存储芯片大厂相继减产终于让芯片价格回稳，再加上近日AI商机及先进电脑运算需求持续扩大，令业者开始酝酿涨价。外媒引述消息报导，三星电子及美光打算在第一季将DRAM芯片价格调涨15％至20％。
去年第四季NAND Flash芯片价格已率先反弹，虽然当时DRAM芯片尚未出现明显涨幅，但产业人士已开始预期整体存储芯片价格即将开始上涨，尤其是DDR4及DDR5两种规格的DRAM芯片可望率先在今年初上涨。
近日已有储存设备制造商透露，三星第一季DRAM芯片价格至少调涨15％。此外，三星并未透露NAND Flash芯片是否在第一季涨价，但业界普遍预期NAND Flash芯片价格在去年底呈现的涨势将延续到今年。
2023年12月3D TLC NAND芯片价格上涨10％，同一期间DRAM价格仅上涨2％至3％。但近日随着智慧型手机及伺服器需求升温，且DRAM芯片大厂产能利用率依旧偏低，业界预期DRAM供应相对吃紧，将推动DDR4及DDR5芯片价格在第一季上涨。
以三星为例，2023年第四季三星DRAM产量只有去年第一季的70％。这段期间三星及同业藉由调整产线配置并扩大先进制程比重来维护获利，因此业界认为今年第一季各大厂仍将继续严格控制DRAM产能，进而激励价格回升。
研究机构TrendForce也预期，2024年随着智慧型手机及PC市场库存回补，DRAM芯片供应量可能逐渐吃紧，估计价格涨势将延续到今年底。
该机构预期今年第一季DRAM芯片价格平均涨幅约在13％至18％，其中又以智慧型手机DRAM芯片价格涨幅最大，伺服器DRAM芯片价格涨幅相对保守。
TrendForce在最新报告中预期2024年第一季智慧型手机DRAM芯片价格上涨13％至18％，与先前预期的8％至13％涨幅相比上修不少。
部分存储模组厂甚至乐观地认为，DRAM第一季报价有机会季涨20～25％，主要理由有三：一是上游三家供应商的涨价心态明确；二是库存水位已明显降低很多；三是客户端的备料和买货意愿增加，有望推升DRAM报价水涨船高。
产业界人士分析，相较于2023年第四季DRAM价格相对持稳，上游原厂2024年的涨价焦点，将从NAND转移至DRAM，如DDR4、DDR5成下一波调涨重点，以加速改善营运亏损。
业者研判，第一季DRAM合约价，将以Mobile、DDR5涨幅相对较佳，利基型DRAM相对较平缓。
NAND合约价预估季增逾双位数，领先指标NAND Wafer于12月仍呈现上涨，显示第一季上涨趋势不变。
NOR Flash现货于2023年11～12月价格止跌回稳，客户备货心态正转趋积极，预估直供售价2024年第一季大致持平，但销售量有望小幅成长。
惟通路商则认为，2023年第四季因为上游供应商齐步减产、拉抬报价，加上手机厂商有备货需求，以致于在预期涨价的心理下，出现一波拉货潮。
但以目前的需求端来看，手机市况没有变得很好，只能算是温和回复，因此，手机、PC消费力道仍有待观察，需求端状况将攸关存储报价的持续性。
END
*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。
今天是《半导体行业观察》为您分享的第3635期内容，欢迎关注。
推荐阅读
『半导体第一垂直媒体』
实时 专业 原创 深度
公众号ID：icbank
喜欢我们的内容就点“在看”分享给小伙伴哦
微信扫码关注该文公众号作者