群雄逐鹿化合物半导体市场

2024-01-31 01:01

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来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）编译自yole，谢谢。

根据市场分析公司 Yole Group 发布的《2024 年化合物半导体行业现状》报告，化合物半导体衬底市场将以 17% 的复合年增长率 (CAGR) 增长，到 2029 年将达到 33 亿美元。

化合物半导体 (CS) 是跨行业的变革力量。SiC 在汽车领域（尤其是 800V 电动汽车领域）的主导地位推动了价值数十亿美元的市场；而 Power GaN 则将其影响力扩展到消费技术和汽车领域，预计在智能手机 OVP 领域将拥有 10 亿台机会；RF GaAs 预计将迎来复兴，与 5G 和汽车连接保持一致；而 RF GaN 则在国防、电信和航天工业中占据一席之地，并将目光投向高功率应用；在光子学领域，InP和GaAs处于领先地位，其中InP在人工智能应用的推动下复苏，而GaAs光子学由于各种市场动态而经历了温和的增长。尽管 MicroLED 的广泛采用之路仍是渐进的，但它仍展现出潜力。

Yole Group 半导体衬底与材料技术与市场分析师 Ali Jaffal 博士指出：“化合物半导体行业正处于向大直径衬底过渡的关键时刻。” “在光子学领域，人工智能正在推动对高数据速率激光器的需求，这可能会加速向 6 英寸 InP 衬底的过渡。另一方面，GaAs 探索 8 英寸 micro-LED 制造——它正在与有机发光二极管 (OLED) 竞争——面临产量和效率挑战，对其成功提出质疑，但通过大量投资获得了动力。”

化合物半导体衬底厂商不断制定新的策略来扩大其产品组合，寻求扩大其市场份额。Wolfspeed 处于领先地位，引领功率 SiC 的 SiC 衬底供应。向大型 8 英寸晶圆厂和扩大材料产能的战略转变标志着未来十年雄心勃勃的目标。与此同时，相干公司 (Coherent) 已成为光子器件领域的主要参与者，并作为功率和射频应用的 SiC 衬底供应商占据主导地位。与 SEDI 在 RF GaN 领域的合作以及与 GE 一起进入功率 SiC 器件领域，增强了其从衬底到器件的竞争优势。

AXT、Sumitomo Electric、Freiberger 和 SICC 在 GaAs、InP 和半绝缘 SiC 衬底领域处于领先地位，旨在通过扩展到其他 CS 材料来实现收入增长。业界人士正在研究 GaAs 和 InP 基板在 RF、光子学和 µLED 应用中的协同作用。与此同时，中国对从中国出口镓原材料的新规定也使得CS衬底厂商调整了原材料的战略供应。这些新的战略物资是什么？我们会看到对 CS 基板价格的影响吗？

化合物半导体 (CS) 技术展示了各个领域的各种进步。事实上，SiC行业正在蓬勃发展，各厂商都在关注扩张和投资。例如，6” 晶圆仍然是 SiC 的主流，尽管 Wolfspeed 对 8” MHV 晶圆厂的 1.2B 美元投资刺激了 2023 年第 1 季度的收入。研发重点是提高 SiC 晶圆产量，包括 Soitec 和 Sumitomo Mining 的工程衬底等创新。Infineon等主要IDM厂商以晶锭和晶圆分割技术为主，Power GaN主要采用6英寸GaN-on-Si，8英寸GaN-on-Si则随着Innoscience、意法半导体、Infineon等厂商的扩展而逐渐普及。正在推动与 SiC 具有类似的吸引力。创新的目标是垂直器件结构并使用 QST 等新衬底提高性能。

在 RF 业务中，GaN-on-Si 正在为与现有技术竞争的新机会铺平道路，例如GaN-on-SiC。光子学乘着人工智能浪潮，刺激高数据速率激光器。

半导体衬底与材料技术与市场分析师 Aymen Ghorbel 表示：“RF GaN-on-Si 受益于与相对更成熟的功率 GaN 的协同效应，进入电信市场并与成熟的 RF GaN-on-SiC 技术竞争。” “此外，RF GaN 生态系统的重大变化，例如 MACOM 收购 Wolfspeed RF 业务，可能会影响 RF GaN 行业，”他总结道。

InP光子学是一个处于增长阶段的成熟市场。人工智能能否推动InP向6英寸过渡？同时，GaAs探索由MicroLED驱动的8英寸制造。MicroLED 与 OLED 竞争，面临着良率和效率的挑战，其成功受到质疑，但通过大量投资获得了动力。苹果的 8 英寸 microLED 智能手表计划可能会推动行业从 6 英寸基板向 8 英寸基板过渡，释放新的市场潜力。