盘点碳化硅领域的复旦大佬，撑起行业半壁江山？

芯联集成总经理赵奇毕业于复旦大学应用物理系，曾长期担任华虹NEC和中芯国际企业规划负责人赵奇先生拥有二十几年半导体行业工作经验，曾长期担任华虹NEC和中芯国际企业规划负责人，是优秀的半导体工厂规划专家，在半导体工艺设备技术、工厂布局规划、生产效率提升、成本控制、运营管理等方面有丰富的经验积累和造诣。赵奇先生作为发起人之一，筹划推动了中芯国际和绍兴市政府合作的中芯集成项目落地。

芯联集成联合创始人、执行副总裁刘煊杰目前为复旦大学微电子学系博士在读，曾长期担任中芯国际特殊工艺研发负责人，在传感器、功率器件和先进封装领域有突出贡献，共获国内外发明专利 55 项，多次担任国家重大科技专项项目负责人，同时担任上海MEMS及智能传感芯片产业技术创新战略联盟理事，上海交通大学硕士生导师，享受上海张江高新区特殊人才津贴。刘煊杰先生曾获2016年中国半导体创新产品和技术奖，2017年上海市浦东新区科学技术奖。

芯联集成成立于2018年3月份，公司于2023年5月份于科创板发行上市，成为发展最快的半导体企业之一.芯联集成是目前国内最大的碳化硅MOSFET制造基地，公司目前8英寸碳化硅晶圆已经下线，在国产8英寸碳化硅制造领域处于领先地位。目前，芯联集成的碳化硅产品已实现月产5000片以上的规模，预计2024年碳化硅业务营收将超过10亿元。长期来看，公司碳化硅业务市场占有率目标是达到全球30%。

士兰微创始人、董事长毕业于复旦大学物理电子半导体专业。在创立士兰微之前，曾在甘肃国营第八七一厂绍兴分厂担任车间副主任，并在华越微电子有限公司担任常务副总经理等职务。1997年，陈向东与范伟宏、郑少波、江忠永、罗华兵、宋卫权、陈国华等六位同事共同创建了杭州士兰电子有限公司，即士兰微前身，并担任董事长。

士兰微便秉承创新驱动的发展理念，不断加大研发投入，推动技术进步和产品升级。经过多年的努力，士兰微已经成为国内领先的集成电路设计企业之一，其产品广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等多个领域。

士兰微在碳化硅行业进展迅速。2022年，士兰微启动了SiC功率器件生产线建设项目，2023年碳化硅器件试生产，2024年士兰微产能已经超过5000片/月。2024年5月，士兰微宣布建设“8英寸产线”，建设完成后将在厦门形成年产72万片的生产能力。

目前，士兰微的碳化硅产品已经上车，公司预计碳化硅主驱模块装车数量在5月单月将超过8000辆、6月单月将超过2万辆。

现任复旦大学特聘教授，博士生导师，上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任，复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所所长，复旦大学工程与应用技术研究院宽禁带半导体与超越照明研究所副所长，专长于宽禁带半导体物理与器件的教学、科研、应用与产业化，长期从事SiC器件的研发和产业化，是该领域国际知名专家。

张清纯老师曾经在全球碳化硅行业的鼻祖Cree工作近13年。2019年底全职回国，入职复旦大学，领衔建立“上海碳化硅功率器件工程技术研究中心”，培养高水平的第三代半导体高端人才，健全国内碳化硅半导体产业链，推动中国碳化硅芯片国产化；2021年3月创立了清纯半导体。清纯半导体自成立以来，大力突破国产SiC功率器件设计及大规模制造瓶颈，产品性能达到国际领先水平。清纯半导体作为中国设计能力最强的企业之一，已经推出了全系列的750V、1200V、1700V及高压碳化硅功率器件，覆盖车规、光储、充电桩等领域，并通过了相关的车规验证测试。2022年领衔建立复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所，致力打造国内领先、国际一流的碳化硅技术研发平台，推动产学研结合。

瞻芯电子创始人、CEO张永熙1993年至2000年在复旦大学物理电子学专业学习，后在新泽西州立大学（Rutgers University）攻读博士，读博期间，研发了世界上第一款碳化硅功率集成电路，并于2008年获得博士学位。博士毕业后就职于美国TI公司模拟技术研发部，入选Senior Member Technical Staff。2017年7月在临港创办上海瞻芯电子科技有限公司，始终专注于碳化硅功率器件芯片和驱动芯片的产业化。

经过6年多的发展，瞻芯电子的SiC MOSFET已经完成车规级认证，并且累计量产出货超过700万颗，并且在浙江义乌建成了6英寸SiC晶圆厂，到24年2月底累计产出13000片6寸晶圆，成为国内少有的SiC芯片IDM企业。

瞻芯分管市场的副总曹峻同样毕业于复旦大学，拥有逾20年半导体行业技术、市场和销售管理经验，服务过多家晶圆厂和芯片设计公司。

另外，公司副总黄海涛、陈伟都持有复旦大学微电子学硕士学位。

王鹏飞1998年本科毕业于复旦大学化学系，2001年硕士毕业于复旦大学微电子学院，2003年博士毕业于德国慕尼黑工业大学。主要从事新型微电子器件的研发。曾获国家高层次人才计划科技创新领军人才、上海市特聘专家、上海市高校特聘教授等荣誉称号。在德国慕尼黑工业大学攻读博士学位期间，命名了知名的TFET（隧穿场效应晶体管）器件，并首次制造出互补隧穿晶体管（CTFET），在不到三年的时间以最高荣誉成绩博士毕业。王鹏飞博士毕业后加入德国半导体公司英飞凌科技公司后，作为第一发明人研发了多项核心器件，多项技术被应用至该公司DRAM产品中。后担任复旦大学微电子学院教授、博导，专用集成电路与系统国家重点实验室副主任。王鹏飞曾在Science杂志上发表高质量的研究论文，先后获授权发明专利70余项，其中美国专利授权30余项。发明了互补隧穿场效应晶体管、半浮栅无电容式存储器、半浮栅光传感器、GreenMOS、SFGMOS等微电子器件，多项技术实现量产。

2008年，王鹏飞与龚轶联合创办了苏州东微半导体有限公司，在应用于工业级领域的高压超级结和中低压功率器件产品领域实现了国产化替代。公司于2022年在科创版上市成功，并且利用募集资金扩大新型功率半导体器件的研发投入。

在碳化硅业务方面，苏州东微半导体股份有限公司和国内一线碳化硅代工厂合作，公司第一代Si2C混合器件以及SiC SBD，SiC MOSFET已经趋于成熟。2024年东微推进第二代SiC MOSFET的研制，东微第二代和国内外领先的SiC MOS器件的水平相当。并且公司已经启动第三代以及第四代SiC MOSFET的开发，立志成为业界主要的SiC功率器件厂商。 

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