崩盘与重生，DRAM芯片50年兴衰

2022年，智能手机、PC等消费电子市场需求放缓，供需失衡之下，库存持续上升，存储芯片市场不可避免受到严重影响。

TrendForce表示，DRAM价格自年初以来就一路走跌，下半年合约价每季跌幅更超过10%，显见需求市场的严峻；闪存市场同样呈现供过于求的状态，导致第三季wafer价格跌幅达30%-35%，预计第四季NAND价格持续下探。

Gartner此前观点表示，全球半导体市场疲软期至少将持续到2023 年，预计明年的半导体收入将下降2.5%左右。而存储芯片市场的下滑势头会更大，可能突破10%。

世界半导体贸易统计协会（WSTS）给出的预测更为悲观。其表示，受到存储芯片市场急剧冷冻所拖累，2023年的全球半导体市场规模将萎缩4.1%至5570亿美元，存储芯片市场则将出现17%的降幅。

市场的供过于求强烈推动了存储市场进入下行周期，存储芯片的头部厂商正努力跨越“寒冬”。

在存储产业阵阵寒意再次涌上心头之际，我们来回顾一下存储行业的发展历程，以求从中汲取经验，反哺行业发展。

以史为镜，可以知兴替。

存储行业兴起于上实际60年代，是半导体行业重要的细分领域，约占整个半导体行业的25%。DRAM和NAND闪存为存储芯片行业中占比最高的两个分支，销售总额占据了整个存储芯片行业90%以上的市场份额。

存储行业的发展历程大致可分为3个阶段。1990年以前，DRAM为存储芯片市场上主要的产品，且伴随少量的EPROM和EEPROM；1990年至2000年，NOF Flash开始逐步占据一定比例的市场份额；2000年以后，NAND Flash开始爆发式增长，其市场规模直逼DRAM, 而NOF Flash的市场规模于2006年达到顶峰后开始逐渐下滑，但于近两年又开始有微小上升趋势。

存储行业的主要玩家伴随历史发展发生了显著的变化，霸主地位由一开始的美国企业（1969-1984年）逐步转移到日本（1985-1996年），最后再转移到韩国企业（1996-现在）。

据WSTS统计，目前在DRAM市场，三星、美光、SK海力士合计占比约94%；NAND Flash领域，三星、铠侠、SK海力士、西部数据、美光、英特尔合计占比约98%。

相比于过去两年的“一芯难求”，随着消费电子市场进入下滑周期，以DRAM为代表的芯片需求正在快速下滑。

DRAM产业正在被贴上“第六次大萧条”、“产业下行”、“市场寒冬”的标签。纵观内存芯片全球发展史，围绕DRAM产业发展而产生的激烈竞争此起彼伏。

1966年，来自IBM的罗伯特·登纳德成功研发出MOS型晶体管+电容结构，半导体存储器的发展从此开启。

行业发展早期，Intel依靠DRAM量产实现一家独大。由于当时大中型计算机使用的磁鼓存储器笨重昂贵，Intel向计算机用户大力宣传DRAM，1972 年凭借 1K DRAM 取得巨大成功。服务于HP、DEC等重要客户，IBM在新推出的S370/158大型计算机上，也开始使用DRAM内存。

1974年，英特尔DRAM产品的全球市场份额达到惊人的82.9%。就在英特尔在DRAM领域赚得盆满钵满的同时，竞争对手也在迅速崛起。1973年，美国德州仪器（TI）、莫斯泰克（Mostek）、日本NEC等厂商先后进入DRAM市场。

其中，Mostek利用技术升级成为市场霸主，70年代后期，Mostek一度占据了全球DRAM市场85%的份额。可惜，没过多久，因遭遇资本市场的恶意收购，公司发展遭遇较大障碍。Mostek被UTC收购，后来又转卖给了意法半导体。1978年，几位从Mostek公司离职的技术人员，在爱达荷州一家牙科诊所的地下室，共同创立了一家新的存储技术公司，也就是后来的存储巨头——Micron（美光）。

Mostek是内存界第一个败退的巨头，也为美国群雄接下来的连续崩溃埋下了伏笔。

除了国内竞争对手之外，英特尔面临的更大威胁来自国外。1970年代，经济高速崛起的日本看到DRAM市场潜力后，在70年代末期以举国体制发展DRAM技术，成立了VLSI联合研发体。在VLSI项目的帮助下，1977年日本成功研制出了64K DRAM，追平了美国公司的研发进度。

随后日本 DRAM 产业进入增长爆发期。到了1980年代中期，富士通、日立、三菱、 NEC、东芝等一众日本厂商继续发力，凭借质量和价格优势，快速占领全球市场，开始反超美国公司。

1984年，日立生产的DRAM内存已开始采用1.5um生产工艺，三菱甚至公开4M DRAM关键技术。到1986年，仅东芝一家，每月1M DRAM产量就超过100万块。

1980年代日本DRAM崛起

由于日本廉价DRAM的大量倾销，美光被迫裁员一半，只得向美国政府寻求帮助；Intel也深陷泥潭，无奈退出DRAM市场。

另外，1983-1985年游戏机市场的崩盘，市场销量下降到只有之前的10%不到，也是导致内存严重过剩，导致了Intel和国家半导体等美国厂商退出DRAM领域的一个重要原因。

1986年，日本存储器产品的全球市场占有率上升至65%，而美国则降低至30%。

然而，就在日本半导体厂商横扫存储市场的时候，外部政治环境开始发生了微妙的变化。1985年日美关系发生转变，美国主导的《广场协议》以及对日本半导体产品发起反倾销诉讼，致使日本产品性价比极速下降。

在接二连三的打击下，日本半导体产品市场份额一落千丈，很快丧失了主导权。

此时产业的发展机会转向了韩国，韩国三星、LG、现代、大宇等财阀集团也看中了半导体技术的市场前景，通过购买、引进技术专利及加工设备，对其进行消化吸收，积蓄技术力量。其中，三星通过购买专利叠加自研的方法迅速崛起，随后在 DRAM领域继续保持着高投入研发，最终实现技术超越成为新巨头。

1998年韩企在DRAM份额超过日本企业。

DRAM产业经历了几十多年的发展，如果用一个词来形容这四十年，那就是——“腥风血雨”。

1975-2000年DRAM市场份额变化情况

2001年，因为现代电子从现代集团中拆分，公司改名为海力士。同年美光完成收购德州仪器的内存部门，随着1999年到2001年内存行业整合结束，三星、美光、海力士、英飞凌四家掌握有全球近八成的DRAM市场份额。

在经过日韩两国之间不断的价格战，激烈竞争的大浪淘沙后，DRAM市场玩家剩下三星、SK海力士、奇梦达、美光、尔必达这五家。

2007年微软推出Vista系统，提高了对内存的消耗，各大厂商纷纷扩大产能以应对市场需求，结果Vista销量平淡，供过于求的DRAM价格便一路下滑，并在2008年全球金融危机中跌破材料成本。

此时的三星为了提高市场占有率，不惜亏本扩大产能加剧行业亏损，导致奇梦达和尔必达接连被淘汰。在历经多年搏杀后，全球DRAM厂商逐渐从“群雄逐鹿”变成“三足鼎立”。

2016年手机内存需求的快速增长导致全球内存芯片缺货，而内存条价格也跟着水涨船高。据Business korea报道，内存价格大涨的背后可能不全是市场因素，是三星、美光等存储公司通过削减产量、减少供应的方式，抬高了DRAM的价格。

可见，商业世界里，一个行业高度垄断可能造成的结果是：头部厂商有可能操纵产量和价格，用低价来挤垮竞争对手，或用涨价来谋取暴利。

DRAM产业最大的特点就是其周期性规律。业内人士曾指出：DRAM存储，每赚钱一年，就要亏钱两年，所谓“赚一亏二”。

在这种强烈的周期性规律下，想要长期生存下去，是一件非常困难的事情。DRAM厂商需要有强大的现金流和融资能力，能够维持高强度的研发支出，保持团队的稳定。

在亏损周期，DRAM厂商需要更多的钱，才能够活下去。在繁荣周期，也不能大意。厂商在选择扩充产能时机时，需要非常谨慎。不然就可能导致供大于求，盈利变亏损。

四十年前，全球大概有几十家DRAM厂商。如今，只剩下三家，竞争之残酷，由此可见一斑。这四十年里，有一家企业不仅坚持活了下来，还干掉无数对手，长期占据霸主地位。这家企业，就是前面提到的三星。

三星这家公司，就是靠着韩国的举国之力，接二连三地采用“逆周期投资”策略，干掉了无数对手，成为了半导体存储领域的老大。

三星的第一次“反周期投入”，就发生在前文所说的1980年代中期。

彼时，日美激战正酣，DRAM市场普遍不景气，价格大跌，从1984年初的每片4美元下降到1985年的30美分。而三星推出64K DRAM时，生产成本是1.3美元/片。

面对行业寒冬，三星不仅没有收缩投资，反而开始逆向投资，扩大产能，并开发更大容量的DRAM。到1986年底，三星半导体累积亏损3亿美元，股权资本完全亏空，接近破产。

关键时期，韩国政府出手“救市”，总共投入近3.5亿美金，并且以政府名义背书，给三星拉来了20亿美元的个体募资。并且赶上日本半导体被美国压制，加上PC电脑进入热销期带来的行业繁荣，使得三星顺利翻盘，迎来业绩增长。

不久后，以三星为代表的韩系DRAM厂商，逐渐蚕食了日本半导体企业让出的市场份额，占据了市场的主导地位。

1992年，日本住友树脂厂发生爆炸，导致原材料供应紧张，内存价格暴涨。这一年，三星率先推出世界上第一个64M DRAM。

1993年，全球半导体市场又开始转弱。这时，三星故技重施，采取了第二次“反周期投入”，投资兴建8英寸硅片生产线来生产DRAM。

1995年，微软公司Windows95视窗操作系统发布，极大地刺激了内存的需求，带动内存价格大幅上扬，三星的投资获得回报。全球各大厂商后知后觉，纷纷投资扩大产能。

然而，到了1995年底，各厂商8英寸晶圆厂投产后，导致产能急剧增加，使得DRAM供大于求。于是，卖方市场又变成了买方市场，价格又开始下跌。在此情况下，厂商们被迫削减产量，减小投资规模。

三星继续扩大投资。1996年，三星推出世界上第一个1GB DRAM，奠定了行业领军地位。

直到1999年，DRAM价格下跌的趋势有所缓解。因为互联网泡沫的出现，DRAM行业进入了短暂的繁荣阶段。

同年，在激烈的竞争环境下，DRAM行业发生了若干重大变化：

韩国现代内存与LG半导体合并，成立现代半导体，后来，又从现代集团拆分（2001年），改名海力士（Hynix）；美国存储厂商美光收购德州仪器内存部门；日本方面，日立、NEC、三菱电机的DRAM业务整合，抱团成立了尔必达。

欧洲方面，西门子集团的半导体部门独立，成立了亿恒科技，2002年改名为英飞凌。再后来，2006年英飞凌科技存储器事业部拆分独立，变成了奇梦达。

然而好景不长，随着互联网泡沫破碎，2000年全球遭遇互联网危机。PC市场遭受重创，DRAM的市场需求也急速下降，而三星、美光、海力士、英飞凌等龙头企业刚经历扩产，价格又迎来了跳水，DRAM市场规模从288亿美元腰斩至110亿美元。

经济危机过后，DRAM市场从低谷中逐渐恢复。2006年，三星开发出世界上第一个50nm工艺的1GB DRAM；海力士则开发出当时世界上最高速的200MHz 512MB Mobile DRAM。

那一时期，DRAM市场逐渐形成了五强格局：三星（韩）、SK海力士（韩）、奇梦达（德）、美光（美）和尔必达（日）。

2007年，微软推出Vista系统。该系统对内存消耗较大，DRAM厂商预期内存需求大增，于是纷纷增加产能。但实际上，Vista销量很差，没有带动内存市场，导致产能再次过剩。

更残酷的是，2008年金融危机爆发，导致DRAM市场雪上加霜。内存价格一路下跌，甚至跌破材料成本，行业面临洗牌。

就在众厂商哀鸿遍野时，三星第三次举起了“反周期”屠刀，决定将三星电子总利润的118%投入DRAM扩张业务，进而加剧行业亏损，给艰难度日的对手们压上最后一根稻草。

当年排名第三的德系厂商奇梦达成为倒在2009年春天的第一个大厂。自此，欧洲玩家正式退出DRAM 市场。2012年初，曾经的DRAM头部厂商尔必达也支撑不下去了，宣布破产，曾经占据DRAM市场50%以上份额的日本，也输掉了最后一张底牌。

40年来半导体产业周期

（数据来源：CS）

总结来看，三星充分利用了存储器行业的强周期特点，在价格下跌，生产过剩，其他企业削减投资的时候，逆势疯狂扩产，通过大规模生产进一步下杀产品价格，从而逼竞争对手退出市场甚至直接破产，世人称之为“逆周期投资”。

三星的逆周期投资已经成为半导体界的一段传奇故事。

至此，DRAM领域形成了三星、SK海力士、美光“三足鼎立”的局面。2011年之后，DRAM内存的市场格局没有发生什么重大变化。但是，DRAM的用户需求和市场环境，变化很大。

之后，三大DRAM厂商为提高自身市占率，继续大打价格战，DRAM价格不断下跌。2017-2018年，受益于数据中心、智能手机市场需求，DRAM市场迎来增长。服务器DRAM、移动DRAM需求成长，DRAM厂商的供应量增长低于市场需求量，DRAM价格一路上扬。此外，运算加密货币所需的绘图型DRAM推动了市场供不应求加剧。

2019 年，由于前期产能扩张和去库存因素，存储芯片价格下跌较多。加密货币市场价格崩塌、智能手机市场进入成熟期，驱动市场进一步需求疲软，DRAM价格跌幅最高达37%。

DRAM产业的前五次大萧条

（图源：IC Insights）

1994年以来，DRAM江湖经历了五次大萧条。目前，DRAM行业又处于多周期叠加下的“寒冬”，DRAM产业的第六次萧条或许正在路上。

总体上来说，DRAM产业每3-5年都经历“需求提出-供不应求-价格上涨-扩充产能-产能过剩-价格下跌-重新洗牌”的过山车，如此不断循环。

纵观 DRAM发展历史，DRAM产业具备成长和周期双重属性，围绕成本、技术、品质等为核心竞争要素，而背后需要企业在融资能力、产业链配套及人才梯队等全方位储备，考验企业系统性的资源调动能力。

DRAM行业早期竞争激烈，参与者众多，70 年代是市场分水岭。1972 年，Intel 凭借 1K DRAM研发取得成功，迅速占领市场。同时期，IBM 和德州仪器也开始入局。1973 年，PC 需求放缓对半导体产业造成冲击。德州仪器和各大日本厂商抓住时机进入内存市场，Intel 市场份额快速下降。80 年代，日本厂商凭借低价的优势份额持续提升，韩国三星也在此时开始布局DRAM。1984 年，Intel 开始退出市场；1998 年，德州仪器将存储业务出售给美光；1999年 IBM 也将合资工厂出售给东芝并退出市场。

过去50多年的发展历程中，存储企业间搏杀惨烈，王朝几经更替。美国、日本、德国、韩国、中国台湾的选手，怀揣巨额筹码，兴高采烈地走进来，却在输光之后黯然离场。无数名震世界的产业巨头轰然倒地，就连开创DRAM产业的三大元老——英特尔、德州仪器和IBM，也在商业厮杀中含恨退出了DRAM市场。

经过大浪淘沙后，英特尔、IBM、英飞凌、Motorola、德州仪器、日立、三菱、东芝、松下、现代、LG等厂商纷纷退出了DRAM江湖。

近10年来DRAM市场集中度逐渐上升，当前全球DRAM厂商的数量不到10家，形成了三星电子、SK海力士、美光三足鼎立的格局，在DRAM市场呼风唤雨，赚得盆满钵满。2021年，三巨头总共占有94%的DRAM市场份额。

另一边，NAND闪存市场同样激烈。

在日美激战正酣的1984年，东芝（2017年4月东芝存储器集团从东芝公司剥离，并于2019年10月正式更名为KIOXIA，中文名为铠侠）跨时代地提出了“闪存”概念，宣告一个新时代的到来。

遗憾的是，Flash闪存并没有得到东芝公司的充分重视。相比已经开跑多年的DRAM，以及日本DRAM正强势碾压美国，刚面世的NAND闪存在东芝眼里瞬间黯然失色。

直到三年之后，东芝才根据闪存的概念发明出了全球第一块NAND闪存芯片，为之后的电脑、智能手机、数据中心等许多新应用奠定了技术基础。

整个90年代末，受益于手机、数码相机、便携式摄像机、MP3播放器等消费数码产品的爆发，Flash市场规模迅猛提升。当时，市场一片繁荣，参与的企业也数量众多。

此时的闪存市场，竞争开始加剧，英特尔、三星、东芝等厂商互不相让地追逐NAND闪存的制高点。

进入21世纪，NAND Flash崛起的势头更加迅猛。

在互联网泡沫与美国的围追堵截之下，2001财年，东芝在巨额亏损之下彻底剔除DRAM，将DRAM业务卖给了美光。之后便决意重拾此前不被自己重视的NAND闪存业务。

三星则一路披荆斩棘，将NAND闪存的容量从1G升到2GB、4Gb、8Gb、16Gb、32Gb、64Gb，在工艺方面，三星成功开发出90nm、70nm、50nm、40nm、30nm。

虽然退出DRAM市场，但在闪存领域，英特尔并未放弃。1992年，英特尔第一款NAND闪存产品姗姗来迟，容量为12MB。

在这场技术竞赛中，单打独斗不是市场的主旋律。东芝联手闪迪，英特尔则选择了美光。

在DRAM争霸赛中发展良好的美光，在NAND闪存领域比其余几家存储企业出发都晚。2005年，英特尔与美光成立合资公司IM Flash，珠联璧合一方面是抵御三星与东芝的冲击，另一方面则是押注未来，全力进军3D NAND。

2007年，手机进入智能机时代，乔布斯在旧金山的马士孔尼会展中心，从口袋中掏出了那款影响世界的iPhone，再次对闪存市场技术格局造成影响。

基于芯片性能和应用需求，NOR Flash的市场份额开始被NAND Flash大量取代。NAND闪存迎来黄金期，同时各家企业在新技术上的竞赛也更加激烈。

也是在这一年，2D NAND走到头。这一次东芝又引领了潮头，独辟蹊径发布基于BiCS技术的3D NAND。而三星并没有借鉴东芝的结构，反而另辟蹊径选择了VG垂直栅极结构的V-NAND闪存。

闪存行业进入3D时代。此后数年，英特尔与美光、东芝（铠侠）、SK海力士以及三星走在在追逐更高密度，更高层数的道路上。

产业发展初期，朝气蓬勃，各家企业都能找到属于自己的生态位，产业一旦进入成熟期，并购加剧，马太效应之下生态位要么扩张，要么被蚕食。2010年之后，整个闪存行业动荡不安，收购事件此起彼伏，一方面巩固自身优势，另一方面弥补短板。

LSI收购Sandforce、闪迪收购IMFT、 苹果收购Anobit、Fusion-io收购IO Turbine。其中美光与SK海力士是最为活跃的两家企业。

据统计，美光在2010完成对闪存制造商Numonyx的并购，2012年收购PCle虚拟化解决方案供应商Virtensys，2015年收购SSD控制器初创公司Tidal，2019年正式收购IM Flash。SK海力士则在2012年收购意大利NAND闪存开发商Ideaflash，并在2021年拿下英特尔的NAND闪存业务。

图源：全球半导体观察

而英特尔与美光这一对战友对技术路线出现了分歧。2019年，英特尔与美光正式结束了在NAND Flash技术方面长达14年的合作关系。最终美光收购了IM Flash，英特尔则独自建立了NAND Flash和3D XPoint存储器研发团队，但没多久，英特尔就彻底放下了NAND Flash，如同其当年放下DRAM一样。这一决定算是宣告英特尔对NAND闪存的告别，同时也切断了基于3D XPoint技术打造出傲腾（Optane）产品线，同时也为英特尔的存储之路彻底地画上句号。

英特尔告别赛场之后，将一部分财产留给了昔日战友美光，另外的场地留给了后起之秀SK海力士。2021年12月底，SK海力士以90亿美元的价格接手了英特尔NAND闪存业务及SSD业务，后在美国成立NAND闪存解决方案提供商Solidigm。2021年第四季度，海力士加上Solidigm的市场总份额来到了全球第二，仅次于三星。

通过市场博弈和整合并购，NAND Flash领域的玩家数量越来越少。最终，形成了由三星、SK海力士、铠侠、西部数据、美光等巨头为主导的集中型市场。

自1987年发明NAND闪存以来，经过了35年的跌宕起伏，有前浪退出，也有后浪涌进。东芝雄霸市场、三星一跃龙门、美光与SK海力士强势突围，以及退出赛场的英特尔，都为NAND Flash市场演绎了一场横跨时空的精彩剧情，并创写了属于自己的江湖春秋。

从WSTS公布的出货量数据来看，NAND闪存的发展大致可以分为三个阶段。2000年至2016年间，NAND闪存出货量呈现线性增长趋势；2016年至2018年，出货量相对稳定；2018年之后，受益于数据中心市场增长，NAND闪存出货量随之增加。

NAND出货金额及出货量

（图源：WSTS）

从NAND闪存市场的角度看，随着2001年以后音乐播放器、数码相机、手机等领域疾速增长，NAND闪存市场需求持续上扬，出货量以线性趋势持续增加。

发展至今，大数据、云计算、元宇宙等新兴领域的快速发展，对NAND产品的容量、性能、功耗提出了更高的要求。在技术没有代际差异的情况下，NAND产品趋于标准化同质化，成本、堆叠层数和市场规模正在成为NAND产业接下来的竞争焦点。一系列闪存厂商再次纷纷加速技术演进和市场布局，以争夺NAND闪存市场的主导权。

回顾存储行业的发展历史，应用市场的更迭、供需关系的改变和存储芯片的价格波动主导了众多存储公司的命运，催生了市场新格局。

行业厂商的起起伏伏也展示了市场判断对于企业经营的重要性。存储芯片市场由于其周期性和产线投产时间长等缘故，扎堆投资，就容易造成供过于求，进而使半导体公司出现亏损、生产线荒废、人员解散，又会导致市场紧缺，价格上升，又开始建立新的或者改善原生产线。这种情况下，如何对市场周期进行预判，又如何度过低迷期，都对各家存储企业提出了极高的要求。

当前，存储市场再次吹起下行的寒风，存储厂商在先进技术方面的竞争不见颓靡。

无论是第五代10nm级DRAM技术，还是更高层数堆叠的NAND Flash，存储大厂都在积极发力，以保持市场领先地位，并满足市场对高容量、高性能产品需求，呈现出持续发展的潜能。

与此同时，存储厂商们也在布局未来的潜力市场。虽然移动、PC等消费市场呈现出疲软态势，但云、服务器、高性能运算、车用与工控等领域结构性增长需求不减，半导体市场结构化增长的特征，为存储原厂的增长提供了坚实后盾。

尽管存储市场需求近期疲软，但长期需求趋势依然强劲，数字化的浪潮已经不可逆转，存储市场长久来看必然是向更高更大的格局迈进。

回顾过往几十年存储行业发展脉络，起起伏伏正如传奇投资人John Templeton所言：“牛市在悲观中萌生，在怀疑里成长，在乐观中登顶，在亢奋里寂灭”。

存储市场的兴衰也大抵如此。

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