扬杰公告，投资10亿建SiC晶圆生产线，年产60000片

昨夜晚间，扬州扬杰电子科技股份有限公司发布了关于签署 6 英寸碳化硅晶圆项目进园框架合同的公告。

公告指出，因扬州扬杰电子科技股份有限公司(以下简称“公司”或“乙方”)战略发 展需要，公司于 2023 年 4 月 18 日与扬州市邗江区人民政府(以下简称“甲方”) 签署了《6 英寸碳化硅晶圆项目进园框架合同》，公司拟在甲方辖区投资新建 6 英寸碳化硅晶圆生产线项目，总投资约 10 亿元。

据公告所说，乙方拟在甲方辖区投资新建 6 英寸碳化硅晶圆生产线项目，项目总投 资约 10 亿元，分两期实施建设，项目全部建成投产后，形成碳化硅 6 英寸晶圆产能 5000 片/月。

公告表示，作为第三代半导体材料的核心，碳化硅与传统的硅半导体相比，具有宽禁带、 高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，可以在更高温度、更高电压、更 高频率和更高辐射环境下工作，并具有更高的耐用性和可靠性，在汽车、工业、 IT 及消费电子等多个领域的应用中有替代硅基器件的潜力，未来前景广阔。近年来，在全球“碳达峰、碳中和”的大背景下，新能源汽车、光伏等市场景气度 高企，对碳化硅产品的市场需求日益强烈，驱动碳化硅器件加速导入和发展，进一步打开了碳化硅的市场空间。

扬杰表示，公司较早地布局了第三代半导体产业，已涉足碳化硅产品研发设计多年，形 成了多项专利等知识产权，已成功开发并向市场推出 SiC 模块及 650V SiC SBD、 1200V 系列 SiC SBD 全系列产品，SiC Mosfet 已取得关键性进展，后续拟进一步 布局 6-8 英寸碳化硅芯片生产线建设。若本次合作框架合同能实施落地，有利于 充分发挥公司的技术研发、运营管理及客户资源等核心优势，及扬州产业支持政策、区位条件等优势，帮助公司抓住碳化硅市场发展的良好机遇，加速提升公司碳化硅产品的技术水平和实现产品升级，有助于将公司打造成为碳化硅领域具有 行业影响力的上市公司，推动公司积极转型升级向高端制造业迈进，为功率器件 国产化贡献力量。

电动车(EV)需求加持，带动碳化硅(SiC)功率半导体需求冲、2035年市场规模预估将狂飙30倍。

日本市调机构富士经济(Fuji Keizai)公布调查报告指出，因EV等车辆电动化需求、加上太阳能发电等再生能源普及，带动2023年全球功率半导体市场规模(包含硅制产品和碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化镓等次世代功率半导体)预估将年增12.5%至3兆186亿日圆，且之后市场规模将持续扩大，预估2035年将扩增至13兆4,302亿日圆、将较2022年暴增4倍(飙增约400%)。

其中，2023年硅制功率半导体市场规模预估将年增11.0%至2兆7,833亿日圆，2035年预估将扩大至7兆9,817亿日圆、将较2022年增加2.2倍；2023年SiC等次世代功率半导体市场规模预估将年增34.5%至2,354亿日圆，之后市场规模将呈现急速扩大，预估2035年将达5兆4,485亿日圆、将较2022年狂飙30.1倍。

就次世代功率半导体的细项来看，因以中国、欧洲为中心加速采用，带动2023年SiC功率半导体市场规模(包含SiC-SBD、SiC-FET、SiC功率模组)预估将年增34.3%至2,293亿日圆，之后随着车辆电动化、再生能源普及，带动市场有望呈现急速增长，2035年预估将扩大至5兆3,300亿日圆、将较2022年狂飙30.2倍；2023年GaN功率半导体市场规模预估将年增32.6%至57亿日圆，2035年预估将扩大至740亿日圆、将较2022年暴增16.2倍；2023年氧化镓功率半导体市场规模预估为4亿日圆、2030年有望扩大至445亿日圆。

三菱电机3月14日宣布，将增产SiC功率半导体，主因EV用需求旺、带动市场预估将呈现急速成长。三菱电机将投资约1,000亿日圆，在熊本县菊池市的现有工厂厂区内兴建新厂房，该座新厂将导入8吋SiC晶圆产线、预计2026年4月启用生产，三菱电机并将扩增位于熊本县合志市的工厂的6吋晶圆产能。

日媒指出，藉由上述增产投资，2026年度时、三菱电机SiC晶圆产能将扩增至2022年度的约5倍水准。

根据法国调查公司Yole指出，2021年三菱电机SiC功率半导体全球市占率排第6，在日厂中、仅次于位居第4位的Rohm。富士电机、东芝也挤进全球前10大之列，龙头厂为瑞士STMicroelectronics。

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