晶圆厂，抢攻成熟制程

美国鼓吹下，半导体设备大厂阿斯麦（ASML）母国荷兰今夏有意扩大限制部分芯片制造设备出口范围，日本也跟进，将对23种先进芯片制造技术实施出口限制措施，业界认为，此举让大陆晶圆代工厂发展先进制程无望，预料将全力猛攻成熟制程，联电、世界、力积电等台厂面临更大的竞争压力。

综合外媒近期报导，荷兰准备加大限制部分芯片制造设备出口到中国大陆，亦即艾司摩尔生产的机台，从原先规范用于先进制程的极紫外光（EUV）设备，延伸到部分成熟制程用的深紫外光（DUV）设备，最快今年夏天揭露细节。

日本也传出有意跟进扩大对陆销售半导体设备的措施，包括东京威力科创（Tokyo Electron）在内的约十家日企，若要出口晶圆制造、晶圆清洗、沉积、回火（annealing）、微影、蚀刻和测试等设备时，必须先取得许可。

业界研判，随着美、日、荷联手扩大限制中国大陆取得关键半导体制造机台，将使得大陆晶圆代工厂再也无法发展先进制程，只能藉由既有设备持续扩大成熟制程能量，透过良率提升、产能去瓶颈优化等方式争取订单，随着陆企全力冲刺成熟制程发展，联电、世界、力积电等台厂竞争压力更大。

因应陆企相关策略，台湾晶圆代工厂积极出招因应。以联电为例，主要锁定车用领域，并强化特殊制程发展。

联电先前在法说会上表态，即使主要终端市场需求疲弱，旗下车用和工业产品依持续成长，特别是车用业务首季营收贡献达17%，在汽车电子化和自动驾驶驱动下，正向看待车用IC含量持续增加，车用产品将是公司未来重要营收来源和成长主动能，联电会同步强化与关键车用客户的长约合作。

力积电方面，为强化整合逻辑、记忆体代工独特优势，投入开发逻辑芯片与记忆体芯片垂直异质叠合（Hybrid Bonding）制程，适用于3D结构的超高频宽DRAM，并与数家设计公司合作开发超高效能与超低能耗AI应用芯片。

世界先进部分，去年于8吋0.35微米650 V的新基底高电压氮化镓制程（GaN-on-QST），已在客户端完成首批产品系统及可靠性验证，正式进入量产，同时已和海内外整合元件厂（IDM）及IC设计公司展开合作。

面对半导体库存调整状况不如预期与陆企发展成熟制程来势汹汹，联电、力积电等台湾晶圆代工厂沉着应战，购置设备的动作持续进行。联电今年以来已斥资242.51亿元添购新设备冲刺技术，新加坡扩厂也不停歇；力积电也持续向科林研发（Lam Research）等设备大厂购买设备强化竞争力。

业界指出，目前多数台湾晶圆代工厂仍维持今年资本支出计画不变，希望在市况低迷之际仍持续储备能量，迎接景气反转。

以联电为例，今年首季资本支出约9.98亿美元，虽然季减14.33％，但仍较去年同期大增1.46倍。联电预估，今年资本支出维持30亿美元不变，其中九成用于12吋产能，其余用于8吋产能。随着南科Fab 12A厂区新产能开出，本季晶圆产能估约263万片8吋约当晶圆，季增4.12％，年增3.88％。

力积电方面，今年资本支出约18.9亿美元，其中77%用于铜锣新厂，20%用于铜锣厂以外的12吋厂，3%用于8吋厂。至于铜锣新厂最新进展，力积电规划厂房洁净室及厂务设施预估第3季中完成，并取得使用执照，年底应该可以完成8,500片试产线建置。

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