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来源：走向科学（k95028）

中共中央政治局常委、国务院总理李强8月16日在北京主持召开国务院第二次全体会议，对下半年工作完成部署后开始下基层调研，8月22日至24日，总理李强到了广东。

为何着急到广东调研？

“坐在办公室碰到的都是问题，深入基层看到的全是办法。”李强总理曾这样说。

根据24日《新闻联播》播出的消息，在深圳期间，李强先后来到贝特瑞新材料、思谋信息、迈瑞医疗、华为公司调研，对企业取得的创新成绩表示赞赏，鼓励企业向着国际一流水平继续努力。

为何到这4家企业？

这4家深圳企业都是高新技术头部企业，其所属行业也都是事关我国发展的关键领域，它们也都在塑造高质量发展的新优势。

第一个贝特瑞是全球新能源材料的龙头，其核心产品是锂离子电池负极材料、正极材料及石墨烯材料。

因为新材料产业是战略性、基础性产业，也是高技术竞争的关键领域。

贝特瑞有多牛？2022年贝特瑞负极材料市场份额达26%，同比提升5个百分点，连续十年位居全球第一。同时，它也是北交所上市公司总市值排名第一位的公司。

第二个是智能制造和数字经济的代表思谋信息，这是一家专门为智能制造和数字创新提供全面的产品和解决方案的科技企业。

它的客户都是谁？空客、博世、佳能等全球逾100家行业头部企业。

它是干什么的？凭借自主研发的SMore ViMo智能工业平台，已为以上全球逾100家行业头部企业的数百条生产线装上了“会思考的大脑”。该公司创立仅3年便跻身智能制造领域全球知名的“独角兽”企业，目前估值超过10亿美元。

第三个是迈瑞医疗，它是我国大型医疗器械及解决方案供应商，经初步测算，2023年第二季度公司预计实现营业收入约101亿元，同比增长约20%。

最近5年其在研发领域累计投入超110亿元，创新成果显著，已在境外设立51家子公司和4大海外研发中心。

第四个是华为，上半年华为业绩明显提升，顶着美国的极限打压，今年1-6月华为实现销售收入3109亿元，同比增长3.1%，净利润率15%。

净利润提高了10个百分点，预示华为或已度过最困难的阶段。

“我国正处于经济转型升级的关键期，要保持推动高质量发展的定力，在转方式、调结构、增动能上持续发力、久久为功。”李强总理在调研座谈会上这句话，是对广东、深圳说的，更是对全国说的。

科技创新是高质量发展的核心驱动力，也是应对百年变局的关键变量。

习近平总书记曾这样比喻，“科技创新，就像撬动地球的杠杆，总能创造令人意想不到的奇迹。”

当前外部形势严峻复杂，7月经济数据呈现不同程度放缓，如何让科技创新“关键变量”成为高质量发展的“最大增量”，这是举国都在探索和努力的大事。

改革开放创新，是深圳的关键优势，这也是李强总理亲自到深圳的意义所在。

在不断的科技创新和持续攻关下，华为逐渐走出困境，并准备推出最新5G手机，也预示着中国被卡脖子的芯片领域开始有解了。

在芯片领域，我国制定了相关目标：在2025年实现70%的国产化率。70%的国产化率就意味着要实现28nm纯国产化。

数据显示，28nm及以上工艺仍占据75%的使用场景，航天军工、信息通信、汽车工业、工控芯片、家用电器等多个领域都在广泛使用。

如果按照28nm短期目标来看的话，EDA、CPU架构、设计、制造工艺、封装测试都已经实现了目标，只有设备环节仍被“卡”着。

芯片制造设备高达几十、上百种，其中最核心的9种设备是必备的，缺少任何一种，产品线就会瘫痪。

九种设备为：光刻机、刻蚀机、CVD、PVD、离子注入机、涂胶/显影机、抛光机、金属蒸发设备、清洗设备。

其中，刻蚀机被中微半导体攻克，达到了5nm水平，进入了台积电供应链。

CVD、PVD被拓荆科技、北方华创、盛美上海攻克，替代率达到了10%左右，仅能满足成熟工艺需求。

离子注入机被中电科攻克，达到了28nm精度，但尚未在生产线上铺开。

涂胶/显影机被芯源微攻克，但市场份额仅为个位数，只是摆脱了成熟工艺的“卡脖子”，距离国际领先还很远。

清洗设备由盛美上海、致纯科技攻克，具备完善产业链和先进的技术，国内使用率达到了50%。

抛光机、金属蒸发设备，也实现了成熟工艺的替代。

而最核心的设备光刻机仍然处于在90nm，连28nm成熟工艺都没有达到。

今年上半年，日本、荷兰相继出台半导体设备限制政策，加上老美，至少91%的半导体设备被限制供应了。

荷兰甚至还扬言，不再提供光刻机维护保养服务，如果真的实施的话，国内800台ASML光刻机都可能变成“废铁”，芯片生产线将面临巨大的“瘫痪”风险。

如何摆脱风险呢？唯有攻克28nm国产光刻机。

只要我们突破28nm光刻机，荷兰必然会放开浸润式DUV光刻机的限制，利用低价和优质服务和国产28nm光刻机进行竞争。

尽管这对国产光刻机来说不是啥好事，但至少解决了我国在成熟领域的芯片制造难题。

那么国产28nm光刻机进展如何呢？

• 28nm光刻机在测试阶段

据多方消息，国产28nm光刻机处于企业测试阶段，今年年底或明年初就会官宣。

关键核心技术均采用了自主研发：

光源系统由北京科益虹源提供，非线性晶体由中科院旗下福晶电子提供。

采用了ArF准分子激光技术，通过579nm的基频光穿过非线性晶体，获得289.5nm的倍频激光，进一步得到193nm三倍紫外激光，再通过水的折射获得134nmDUV光源。

双工作台由清华大学和华卓精科共同打造，误差达到了2nm，可以说打破了ASML的垄断，使用在28nm光刻机上绰绰有余。

浸没系统由浙江启尔机电研发，精密度接近日本尼康，温度稳定性误差达到了0.001℃，达到国际先进水准，完全可使用在28nm浸润式DUV光刻机中。

光学镜片由中科院长春光机所制造，工艺方面基本达到了28nm光刻机的要求，但与德国蔡司仍有巨大差距。

光学镜片需要机密的镀膜，国内中科科美已经研发出了国产镀膜装置，可实现0.1nm的精度，不仅满足了我国在先进光学领域的空白，同时还可以满足对EUV镜头的制备工作。

如果，国产28nm光刻机能够一次性通过测试，就意味着我国能够实现2025年达到70%的国产化率的目标。

国产芯片初步摆脱“卡脖子”，工业基础不会受到制约。

实现28nm国产化的目标后，14nm、10nm仅需要升级迭代就够了，7nm、5nm技术攻克才能真正提上日程。

7nm、5nm及以下工艺可以说与成熟工艺差别很大，1、涉及到EUV光源技术，2、镜片也是反射镜，而且精密度要求更高，3、EDA软件需要进口，4、EUV光刻胶被日本垄断。

不要轻信所谓的芯片制造弯道超车，勿听某些短视频自媒体不负责任的瞎吹，芯片技术的进步必须一步一步走过来，扎扎实实打好基础，才能有韧性、才能走得更远。

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