NAND和DRAM,一起涨价
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外媒5日引述消息报导,韩国记忆体大厂三星电子为了提振NAND Flash芯片市场行情,打算在第四季将NAND芯片价格调涨10%以上,且最快自10月开始涨价。业界人士认为,第四季DRAM及NAND合约价可望看涨10%~15%。
消息称,三星电子最快将从10月签约的新订单开始调涨NAND芯片合约价格,这是继先前宣布NAND芯片减产后,企图提振NAND芯片价格的最新策略。
2022年下半年以来,高通膨及全球经济前景恶化不断打击芯片需求,使芯片产业陷入前所未有的低迷期。今年第一季,三星DRAM芯片销售年减61.2%至40.1亿美元,NAND芯片销售也降至29.9亿美元,与去年同期相比少掉一半。
眼看记忆体芯片价格一路下跌,SK海力士带头在去年底宣布减产,而三星也在今年1月跟进,并在4月宣布扩大减产幅度,终于让DRAM芯片价格起死回生,无奈NAND芯片价格未见明显起色。
由于NAND芯片利润比DRAM芯片低,因此三星近来积极推动价格正常化。三星立下目标要在明年第二季达成NAND芯片事业收支打平,因此决定在减产之余还要调涨芯片价格。
SK证券公司分析师Han Dong-hee表示:「三星电子的第二波减产行动及获利至上政策,可望激励记忆体芯片价格反弹。」
另一方面,对于三星、SK海力士及美光持续减少供给,意图带动DRAM及NAND合约价及现货价止跌回升。台湾业界人士指出,目前DRAM现货报价中,以DDR5涨势最为明显,主要是库存较少。DDR4库存水位虽偏高,但三大厂的DRAM减产重点锁定于DDR4,朝DDR5扩大生产,预期至2023年底,DDR5销售比重将可达30%~40%,与DDR4用量呈现黄金交叉。
惟法人考量逻辑代工厂端成熟制程产能利用率,并无明显回升,后续仍需观察需求延续力道。
目前第四季模组厂对客户涨价已成市场共识,合约价也有望随现货价回升,模组厂获利将率先反应,而记忆体制造及代工厂则因持续透过减产支撑价格,业绩预料较晚复苏。
DRAM合约价第4季拉涨12~15%
存储器市场近期因三大DRAM持续减产,使DRAM价格开始出现涨势。业界传出,由于第4季DRAM市场供给量将相较第3季再度减少两成,将使DRAM第4季合约价传出可望有12~15%涨幅。法人看好,DRAM厂南亚科(2408)将可望因此受惠。
三星、SK海力士等DRAM大厂今年起开始陆续启动减产措施,以因应市场需求不振,且进入下半年后,业界再度传出三星将再度减产,且累计各大DRAM厂的减产后,将可望让第4季的DRAM市场供给量再比第3季减少两成,使市场供给位元数明显降低。
虽然目前消费性市场需求不佳,不过由于PC、智能手机等终端电子装置搭载容量都呈现大幅成长趋势,其中以智能手机来看,前几年平均仅4GB左右,目前都已经迈向16GB水平,与去年同期相比成长五成,成为下半年有效去化库存的关键。
法人指出,在三大DRAM原厂的市场供给量持续减少,以及终端电子装置搭载容量年成长五成情况下,目前第4季的DRAM合约报价已经传出将可望具备12~15%的涨幅。
其中,南亚科由于为DRAM晶圆厂,因此无法像模块厂透过采购量来控管库存,使南亚科先前营运表现低迷。法人预期,随着DRAM价格有望回温,南亚科后续业绩成长动能可望明显上扬。
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