当选中国科学院院士的刘胜，是国内芯片封装技术的引领者

2023-11-24 01:11

来源：内容来自长江日报，谢谢。

11月22日，2023年两院院士增选当选院士名单揭晓，武汉地区新增5名院士。其中，武汉大学动力与机械学院刘胜教授成功当选中国科学院院士。

武汉大学官网显示，刘胜为武汉大学工业科学研究院执行院长、动力与机械学院院长、微电子学院副院长，主要研究方向为工艺力学在微电子、光电子、LED、MEMS传感器、电力电子等领域应用，宽禁带半导体生长在线实时监测科学装置，增材制造集成在线监测科学装置，MEMS/NEMS，系统封装与集成，可靠性等。

刘胜（中）在实验室

刘胜早期研究航空复合材料结构力学和设计方法，成绩斐然；在国外求学时认识到国家在芯片封装领域的落后现状和预感未来发展需要，毅然转入新兴的芯片封装领域。2006年放弃美国终身教职回国，已为国内培养博硕士130余人，为改变我国芯片封装技术受制于人的局面做出了突出贡献。

主持完成国家重大科研仪器研制项目

今年9月，国家自然科学基金委工程与材料科学部组织专家，由三位院士领衔的国家自然科学基金委项目验收专家组，在武汉对刘胜教授主持的国家重大科研仪器研制项目（部门推荐）“薄膜生长缺陷跨时空尺度原位/实时监测与调控实验装置”进行了结题验收。专家组一致同意项目通过结题验收，并表示具有突出的原创性。

这项原创性突破可提升半导体芯片质量。据介绍，半导体芯片制造过程十分复杂，主要包括硅片制造、集成电路设计、前道工艺和后道工艺四大环节数十道至数百道工艺。“薄膜生长”、光刻、蚀刻等依次皆属于前道工艺。

刘胜接受长江日报记者采访时表示，“薄膜生长”采用传统的化学沉积方式容易产生污染和缺陷，影响半导体质量和性能。而这套实验装置引入超快激光，可以对整个“薄膜生长”过程中的缺陷进行监测和调控。

刘胜团队将半导体材料生长装备及测试装备集成设计和制造，攻克多项关键技术难题，设备真空互联，避免人为因素及外部环境对生长材料造成的不良影响，显著提高生长材料的质量。

今年10月，在武汉大学举办的2023新工科论坛上，剑桥大学的英国皇家科学院院士、皇家工程院院士John Robertson接受长江日报记者采访时这样评价：高端芯片制造是科技高速发展的瓶颈，而薄膜生长则是高端芯片制造及集成电路领域的基础。刘胜教授这一成果不仅突出研究的原创性和科学价值，更是能帮助解决基础科学问题，是推动集成电路领域发展的关键基础和重要阶梯。

倡导成立工业科学研究院，推动武大新工科建设

今年10月26日至27日，武汉大学举办2023新工科论坛。刘胜教授既是“传统工学—新工科”的亲历者，又是学科交叉的践行者。他认为，人类当前正面临着以人工智能、物联网等技术为核心的第四次技术革命，促进了工学与其他学科的交叉融合，如生物学、经济学、管理学等，这些学科的交叉融合为工学专业的发展提供了新的思路和方法。着力培养未来新兴产业和新经济需要的、实践能力强、创新能力强的高素质复合型新工科人才已成为目前世界科技发展的重要举措。

在刘胜教授积极倡导下，2017年，武汉大学成立了聚焦新工科教育的独立科研机构——工业科学研究院，并于2022年聘请毛明院士兼任院长，这是促进武汉大学新工科建设的重要举措。

研究院定位于面向国家战略行业和支柱产业对高端制造装备的重大需求，站在芯片与激光制造的国际学术前沿，开展高端制造装备的应用基础理论和共性技术研究。其目标是建设成为国家芯片与激光制造领域重要的应用基础研究、高端装备研发与应用、高层次人才培养、国际学术合作与交流基地。

武汉大学工业科学研究院成立6年来，取得了一系列令人瞩目的成绩：

——面向国家重大需求和国际前沿，开展基础理论与科技创新研究，承担项目134项，实到经费3.1亿元。

——获得国家级与省部级科技奖7项：2020年度国家科技进步一等奖1项、教育部技术发明一等奖1项、中国电子学会技术发明一等奖1项、湖北省科技进步一等奖1项、湖南省科技进步一等奖2项等。

——发表学术论文511篇，其中SCI收录论文504篇，实现Science正刊论文的突破（2篇），Nature/Science子刊10篇；出版专著7部，其中英文著作5部。

——授权发明专利174项，专利转让141项，成果转化1.98亿元；成果孵化高新技术企业5家。

最惊艳的成果是两项“0”到“1”的突破：刘胜教授以第一作者牵头完成的“高可靠性封装关键技术及成套工艺”，支撑我国电子制造跨越式发展，荣获2020年度国家科技进步一等奖；其二就是前面提到的国家基金委重大仪器专项——国际上首台薄膜生长缺陷跨时空尺度的原位/实时测量与调控关键部件及综合科学实验装置通过国家验收。

刘胜简介：

刘胜，1963年3月出生，斯坦福大学博士，ASME会士和IEEE会士，微纳制造领域专家，国内芯片封装技术的引领者，在微纳制造科学与工程技术方面（涉及集成电路、发光二极管（LED）、微传感器及电力电子IGBT等芯片封装）取得了系统的创新成果。以第一完成人获2020年国家科学技术进步一等奖、2016年国家技术发明二等奖、2015年教育部技术发明一等奖、2018年电子学会技术发明一等奖、2009年IEEE国际电子封装学会杰出技术成就奖（全球每年1人，国内首人）、2009年中国电子学会特别成就奖、1997年国际微电子及封装学会（IMAPS）技术贡献奖、1995年美国总统教授奖（当年30人），1999年入选首批国家杰青（海外）项目（当年仅7人）。发表SCI论文424篇、SCI他引6600余次，出版专著6部（英文4部），授权发明专利196件。

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