SK海力士大砍资本支出，传高达八成

韩媒披露，全球第二大DRAM厂暨储存型快闪记忆体（NAND Flash）二哥SK海力士将大砍明年资本支出七至八成。加上先前美光、铠侠已揭露下修资本支出或大幅减产计划，这三大指标厂市占总和已能与龙头三星抗衡，其缩减投资与产出将加速记忆体市况赶底复苏。

此前，美光率先宣布下修明年度资本支出三成，其后铠侠也揭露日本厂区减产三成讯息，SK海力士则是目前传出资本支出修正幅度最大的记忆体厂。

根据市调机构集邦科技（TrendForce）统计，今年第2季SK海力士NAND芯片全球市占19.9%，铠侠15.6%，美光12.6%，三家公司超过三星的33%；DRAM方面，今年首季SK海力士市占27.3%，美光23.8％，两家公司市占总和逼近三星的43.5%。

业界人士指出，美光、铠侠、SK海力士在全球DRAM与NAND芯片市占总和进逼甚至超越三星，时值记忆体市场供过于求，价格直直落，三大厂不约而同大幅缩减投资或产出，对市场正面效果「比三星单一公司宣布减产或缩手资本支出还可观」。

南韩媒体报导，考量记忆体市况疲弱，SK海力士明年资本支出将大幅缩减七至八成；据悉，SK海力士过去都在每年8至9月决定隔年设备投资计划，但由于疫情、设备交期等因素，SK海力士今年提前下单，4月便与供应商谈明年设备投资，随着芯片供给过剩， 9 月底开始对设备商砍单。

先前美光也因需求下滑，放慢生产速度并削减资本支出，预期2023会计年度资本支出将减少约80亿美元，即至少30%，晶圆厂设备支出减少50%；日商铠侠随后宣布，10月起将旗下位于日本四日市及北上市快闪记忆体厂产能下调近30%。

集邦认为，在各大原厂DRAM减产规划将远低于供给位元成长的历史水位后，2023全年DRAM供过于求比率将由原先预估的11.6%，收敛至低于10%，有助改善快速恶化的库存压力。业界认为，随大厂逐步减产或缩减资本支出，将能加速产业市况走出谷底。

消费性电子需求疲弱，芯片生产链加快库存去化，记忆体同样面临供过于求压力，DRAM及NAND Flash第三季合约价格大跌，价格跌势恐延续到明年上半年。为了减缓价格下跌速度及幅度，包括美光、铠侠等大厂已透露将减产保价，业者预期韩系大厂第四季应会加入减产行列，让记忆体价格在明年第一季提前触底。

台湾记忆体厂南亚科、华邦电等目前没有减产动作，包括威刚、群联等模组厂则降低库存因应，业者寄望国际大厂减产能让下半年价格跌势放缓，明年上半年价格若有效止跌，看好明年全年营运可望如倒吃甘蔗逐季回温。

第三季DRAM合约均价跌幅约达15％左右，其中标准型8GB DDR4模组合约均价季减14.15％达24.87美元，伺服器32GB DDR4模组合约均价季减14.07％达116美元。利基型DRAM的4Gb DDR4及2Gb DDR3第三季合约均价较上季下滑15％～17％之间，第四季恐全面跌破2美元整数价位。

第三季NAND Flash合约价较上季下跌约7％～8％，其中128Gb MLC NAND合约均价季减7.58％达4.40美元，64Gb MLC NAND合约均价季减6.99％达3.17美元。主要应用在工控领域的4Gb及8Gb SLC NAND第三季合约均价普遍较上季下跌8％左右。

集邦日前预期在高通膨影响下，消费性产品需求疲软且旺季不旺，终端买方因需求明显下滑而延缓采购，导致供应商库存压力进一步升高。DRAM供应商为求增加市占的策略不变，导致第四季DRAM价格续跌13～18％。至于各类NAND Flash终端产品需求仍然疲弱，原厂库存急速上升，预期将导致第四季NAND Flash总体平均价格跌幅扩大至15～20％。

面对记忆体价格急跌，业者已计划减产因应，其中，美光在日前法人说明会中指出，第四季会开始放慢生产速度来缩减位元供给量，并决定降低2023年会计年度资本支出达30％，晶圆设备采购支出会降低50％。至于铠侠已宣布将减产30％，约影响全球产能约9％幅度。业者除了希望减产保价，也期望价格在明年第一季提前触底。