三星带头，内存价格触底反弹？

内存报价跌跌不休，业者难忍亏损，三星祭出重手下令暂停内存第六代V-NAND成熟型制程报价，低于1.6美元者全面停止出货。业界二大龙头厂私下证实，并表示，「先前该产品1.45～1.48美元低价位，未来不会再出现了」，意味内存价格全面看涨，可望在供应链配合下，进入报价回升周期。

内存产业上半年虽经历三星、SK海力士及美光国际三大厂全面减产，跌价趋势止缓，但低需求市况拖累，造成内存价格持续低档盘旋。业者分析，由于三大国际内存原厂上半年亏损幅度太大，即使已减产三成，内存报价仍无法止跌，原厂目前的态度，倾向极力推动涨价，以避免营运继续失血。

国际内存原厂也拟扩大减产，不仅是韩系三星、SK海力士相继宣布，将进一步减产NAND Flash，美系的美光也将跟进扩大减产幅度，期待再更进一步的减少市场供给量，进而拉抬报价出现回升。

三星此次下令暂停低价报价，引起市场高度关切，惟此举带动中系模组厂配合原厂调涨报价，根据报导指出，涨幅应声已达8～10％；据了解，中国大陆内存模组厂配合韩国三星涨价策略，近日向嵌入式存储、SSD、手机、平板或NB的OEM厂客户宣布，将暂停低价接单，并预估调涨8～10％。

不过，目前终端需求疲软，苹果iPhone 15新机虽然将在秋季上市，但最新产业报告预估目标生产量大降至7,700万台，对电子产业营运将产生的挹注效果恐不明朗，因此，虽有大陆模组厂暂停报价，拟调涨报价的动作，但买方仍在观望，涨价效应有待继续观察，特别是主流内存报价上涨时间可能有所延后。

且从台系模组厂角度来看，NAND需求缓步回升，但多属急单，客户拉货心态保守，下单维持刚性需求，第二季报价季减11～13％，致各厂第二季营收表现低于预期。

展望第三季，进入传统备货旺季，NAND报价跌幅有望进一步收敛，研究机构集邦预估，第三季NAND Flash报价将季减3～8％，跌幅收敛。

内存业者则指出，整体而言，内存报价有落底现象，大厂全面启动减产，效应预估第三季开始反应，报价已非全面下跌，高带宽内存（HBM）在AI风潮带动下，需求大增，价格也不错，研判内存报价于2024年重回上涨周期的概率颇高。

展望下半年，多数厂商认为，下半年需求有望逐步回温，营运可望优于上半年。

存储器控制IC设计业者慧荣科技也指出，该公司第三季营收有望季增15～20％，毛利率则持稳往上，反映出PC与行动装置OEM厂相关库存渐趋正常化，并开始向控制IC设计业者增加下单量。

而三星、SK海力士、美光、铠侠等存储器大厂今年上半年扩大减产，DRAM价格已见止稳，NAND库存也加速去化，预期报价将在第四季或明年第一季全面回升。

威刚卡位低价库存，存货净额由第一季的72.76亿元，上升至114.62亿元。此举为存储器业者赶在报价反转之前，抢买低价存储器。

当前终端市场需求仍低，急单较多，订单能见度不高，业者仍静待市场行情早日反转。

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