国内存储厂商又迎发展新契机

纵观存储行业的发展历程，大致可以分为三个阶段：1970年代以美国为中心的起步阶段，1980年代以日本为中心的发展阶段，1990年代至今以韩国为中心的成熟阶段。目前全球存储芯片市场仍然被韩国、美国垄断，而中国的存储产业则起步较晚，虽然在上世纪七八十年代就生产出中国第一块1K DRAM，并先后成功研制了4K DRAM、16K DRAM、64K DRAM，但彼时的产业仍然十分薄弱。

在进入21世纪后，随着中国迎来了计算机普及的第三次高潮，计算机硬件成本的降低，再加上互联网电子商务的爆发，推动着存储产品的需求“水涨船高”，存储系统也成为IT市场中一个新亮点。

赛迪顾问数据显示，2003年中国SAN和NAS产品销售市场份额合计为53.9%，首次超过DAS产品，表明了中国存储市场正处在由DAS向网络存储过渡的重要时期，是市场逐渐走向成熟的开始。到了2010年，受益于来自各个应用领域的带动，中国存储器增速超过40%，市场份额达23.9%，成为了中国集成电路市场份额最大的产品。

虽然中国存储市场前景旺盛，但大部分都依靠进口。工信部2011年数据显示，作为全球最大的集成电路市场，我国自行设计生产的产品只能满足20%的市场需求的，CPU、存储器等通用芯片主要依靠进口，2010年集成电路进口额高达1569.9亿美元。此外，IDC 2011年统计数据也显示，外企占据了近80%的中国存储市场空间，仅IBM一家的存储设备就超过了所有国内厂商的总和。种种数据表明了，那时候我国本土存储厂商的市场份额微乎其微。

然而，2011年，一个重要的转折点出现了，国务院印发了《进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》，到了2014年6月，国务院又再次印发《国家集成电路产业发展推进纲要》，明确了集成电路产业是信息技术产业的核心。政策的激励下，中国存储芯片产业的发展迎来了新机遇，东芯半导体就是在那时候成立的，并矢志成为领先的存储芯片设计公司。

此后的多年间，国家激励政策不断出台，2015年印发了《中国制造2025》，将集成电路列为十大战略发展产业的首位；2017年国家大基金启动第二部规划，重点布局国家战略和新兴产业；2020年出台了《关于新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知》，大力支持集成电路产业。

与此同时，中国存储芯片市场也在不断扩大。2016年后，随着智能手机功能逐渐多样化，中国智能手机等消费电子应用市场迅速扩张促进了存储芯片市场需求快速释放。2016年-2021年，中国存储芯片市场销售额由2930亿元增长到5494亿元，年均复合增长率达到15.37%。

图源：资产信息网

在政策和市场的双重助力下，本土存储芯片厂商迎来了发展热潮，东芯半导体也在此期间一步步成长为国内SLC NAND龙头。

2022年8月17日，东芯半导体副总经理陈磊在2022中国IC领袖峰会上进行了以《开启芯时代，本土存储“芯”使命》为主题的演讲。

东芯半导体副总经理陈磊

东芯半导体是目前国内少数拥有自主知识产权、专注中小存储芯片领域的研发设计厂商，从公司的发展历程来看，在成立后的第二年，也就是2015年开始在中芯国际的工艺平台进行SLC NAND产品研发，2021年东芯半导体成功登陆科创板，并实现了营收11.34亿元，同比增长44.62%，实现归母净利润2.62亿元，同比增长高达1240.27%。

作为国内少数拥有NAND Flash、NOR Flash、DRAM产品等存储芯片解决方案的厂商，东芯半导体主攻利基型市场，简单地说就是中小容量市场，共有6条产品线：

图源：东芯半导体

其中，在NAND Flash领域，东芯半导体聚焦SLC NAND Flash 的设计与研发。虽然SLC NAND容量小但其性能却十分优异，目前东芯在SLC NAND领域已成为国内龙头，产品存储容量覆盖达到1Gb至16Gb，可灵活选择SPI或PPI类型接口，并搭配3.3V/1.8V两种电压，下游应用主要包括机顶盒、支付盒子、扫地机器人、智能音箱等。

值得注意的是，在2021年下半年，东芯半导体与中芯国际深度合作，基于 19nm 工艺平台完成了首颗 SLC NAND Flash 流片，向先进制程和大容量迭代升级。东芯财报显示，2021年其NAND业务实现营收6.60亿元，同比增长65.63%，毛利率51.07%，同比增长28.67%。未来随着欧美和韩国企业逐步退出SLC NAND市场，东芯的市场份额势必会继续扩大。

从市场规模来看，NOR Flash是除DRAM和NAND Flash之外最大规模的利基型存储，此前其市场空间曾随着功能手机的消亡而逐步降低，但近几年凭借着其“内执行”、读取速度快等特点，在TWS、5G、车载等领域再次大放异彩，市场规模逐步恢复，CINNO 预计 2022 年全球 NOR Flash 市场规模将达到 37 亿美元。东芯半导体在NOR Flash领域聚焦大容量低功耗产品，在2015年就已设计出65nm NOR Flash芯片，目前其NOR制程已达48nm，产品线从32MB到512MB均具备量产能力，2021年NOR业务实现营收1.88亿元，同比增长2.71%。

利基型DRAM虽然只约占总DRAM市场规模的8%-10%，但Trendforce数据统计，2021年全球利基型DRAM市场（消费、工控等）规模约90亿美元，并且随着下游各类应用的稳定发展，未来市场规模将保持增长趋势。东芯的DRAM重点市场在于其自主研发的DDR3（L），以及LPDDR1、LPDDR2、在研的LPDDR4X等产品。据了解，东芯从去年已经开始正式设计25nm LPDDR4x产品，主要针对基础基带以及汽车领域的客户。2021年，东芯DRAM业务实现营收0.79亿元，同比增长68.73%。

MCP指的是将闪存芯片与 DRAM 进行合封的产品，随着可穿戴设备、物联网在应用领域的表现力逐渐增强，低功耗、小型化的需求促进了MCP存储产品的广泛应用。在NAND MCP领域，东芯产品主要应用于手机、基带，可以应用在4G甚至5G物联网模块, 2021年其MCP业务实现营收1.78亿元，同比增长34.19%。

除了产品线布局的不断丰富，东芯半导体供应链体系也在持续稳定，打造了具有“本土深度，全球广度”的供应链体系。在产品设计方面，东芯半导体拥有自主清晰的自主产权，截止2021年12月31日，东芯持有发明专利78项，集成电路布图保护登记48项、软件著作权13项。

图源：东芯半导体

而在代工和封测方面，东芯与中芯国际开展了多年的深度技术合作，继共同开发大陆第一条 NAND Flash 工艺线后，目前已经将 NAND Flash 工艺制程推进至19nm；除此之外，东芯还与力积电建立紧密合作，于2019年生产了第一颗48nm的NOR Flash芯片，进一步扩充了产品品类；封装测试方面，东芯也与紫光宏茂、华润安盛、南茂科技、AT Semicon 等封测厂商建立了稳定的合作关系。

图源：东芯半导体

根据IDC预测，全球数据存储需求总量将从2019年的41ZB增长至2025年175ZB，增幅将超过4倍，随之而来对存储芯片的要求也越来越高。东芯半导体作为国内Fabless芯片设计企业，在通过技术创新向高制程、大容量突围的同时，也将持续保持在业内的领先优势。

为了提高创新能力，增强技术优势，东芯高度重视研发投入与研发团队建设，2021 年研发费用达到 0.75 亿元，同比增长 57.37%；新增研发人员20人，同比增长 29.85%，截至 2021 年年底，东芯共有87名研发人员，占员工总人数的 47.28%。

除了加大研发投入，东芯半导体还将持续优化产品性能。一方面，东芯半导体将在现有的存储芯片设计能力的基础上，与中芯国际合作开发生产 1xnm NAND Flash 芯片，实现国内存储芯片先进制程技术的进一步突破。以NAND Flash为例，东芯半导体将向更高制程和大容量迭代升级，在实现1Gb到32Gb系列产品设计研发的全覆盖的同时，还对已有产品进行不断迭代升级，持续改善工艺和产品良率。

另外一方面，东芯半导体将顺应汽车产业在智能网联功能的布局，产品的可靠性逐步从工业级标准向车规级标准迈进。在“双碳”经济和绿色经济的驱动下，汽车智能化正迎来快速发展时期。ADAS 作为汽车智能化变革中的一项关键技术，正成为推动汽车领域存储芯片增长的主要力量。Gartner 数据显示，由于智能汽车领域的快速发展，预计至 2024 年，全球ADAS领域的 NAND Flash 存储消费将达 41.5 亿 GB，2019-2024 年复合增速达 79.8%。

在车规级产品领域，东芯SLC NAND产品工艺制程可以达到38nm，并能在-40℃到 105℃的极端环境下保持数据有效性长达10年，主要应用于车机；NOR Flash产品是在基于48nm制程的工艺上进行开发，主要是应用在汽车仪表盘快速启动的部分；DRAM产品也主要用于仪表盘。

据陈磊介绍，目前东芯半导体在SLC NAND部分已经在汽车后装市场取得部分突破。通过进入车规市场，东芯半导体也在积极打造包括整个产品设计以及客户服务在内的团队。此外，陈磊还透露到，东芯半导体还在建设研发中心，并积极研发存算一体化芯片、DTR NAND 等前瞻性产品，旨在丰富和拓展未来产品结构。

虽然当前我国存储技术与存储行业巨头相比，在规模、工艺成熟度等方面仍有一定的技术差距，但是可以相信的是，在东芯半导体“们”的努力下，中国存储行业的未来定将一片光明。

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