半导体激光企业「晶飞半导体」完成数千万天使轮融资，致力于降低半导体剥离损耗｜早起看早期

36氪独家获悉，北京晶飞半导体科技有限公司（下文简称：晶飞半导体）于2023年9月完成天使轮融资，该轮融资金额为数千万元。本次融资由无限基金See Fund领投，德联资本和中科神光跟投。

该轮融资筹集到的资金将主要用于公司的技术研发、市场拓展以及团队建设。这一投资将进一步加速晶飞半导体在半导体领域的创新步伐，为推动公司技术和产品的不断升级提供了有力支持。

成立于2023年7月，晶飞半导体的创业契机源于第三代半导体材料——碳化硅。

碳化硅相较于上一代半导体材料硅，具备“高功率密度、高开关频率、高工作温度和高耐压”等特点，因此是高压功率器件的演进方向，在新能源汽车、光伏、轨道交通等各类场景下拥有广泛的使用前景。

然而，全球制约碳化硅在功率器件渗透率的核心要素便是成本。尽管碳化硅具备大带隙、大载流子漂移速率和大热导率的优势，但是其硬度远比传统半导体材料硅更硬，导致切割碳化硅损耗极高。从成本结构来看，衬底成本占比在碳化硅器件中高达47%，传统硅基器件仅有7%。因此其衬底降本是实现碳化硅器件快速渗透的重要途径。

综上所述，晶飞半导体致力于研究激光垂直剥离技术研究，以实现对第三代半导体材料的精准剥离，以有效降低碳化硅衬底的生产成本。在6英寸和8英寸碳化硅衬底激光垂直剥离技术的研发方面，创始团队深耕于激光精细微加工领域，利用超快激光技术，为各种超薄、超硬、脆性材料提供激光解决方案，积极推动激光精细加工在制造业的国产化和传统工艺替代。

晶飞半导体目前的主打产品，是碳化硅晶圆激光垂直剥离设备。此前，碳化硅普遍使用金刚线剥离，激光垂直剥离特点在于，此前技术模式的线损为200 μm，研磨和抛光的损失为100 μm；激光垂直剥离晶圆的线损为0，脉冲激光在晶锭内部形成爆破层，在分离后由于裂纹延伸的存在，在后续抛光加工后材料损失可控制在80~100 μm。

晶飞在半导体剥离上的新技术模式相比于金刚线剥离损失的1/3，这大大节约了剥离损失；对于厚度为 2 cm的晶锭，使用金刚线切割晶圆产出量约为 30 片，然而采用激光剥离技术晶圆产出量约为 45 片，增加了约 50 %。

碳化硅激光剥离技术演示图

团队构成方面，晶飞半导体本科及以上学历人员占比90%、研发人员占比80%， 其中40%以上的人员具备博士学位，团队具备机械、电气、软件和光学的融合背景。

关于晶飞剥离技术的商业价值，德联资本投资经理康乾熙对36氪表示，“新能源革命的大背景下，碳化硅功率器件市场潜力巨大。第三代半导体是功率半导体材料的重要演进方向，但受制于成本，行业的渗透一直存在挑战。激光剥片这一新技术的出现可以显著降低衬底成本，通过在切片加工新技术的部署，可以大幅降低碳化硅衬底成本从而完成下游，如新能源汽车、轨道交通、光伏等行业的进一步渗透，降低损耗，推动未来能源系统变革。”

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